賓夕法尼亞,、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN,。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的,。
　
　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦,、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器,、負載和電池開關(guān),。適配器開關(guān)(在適配器,、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗,，節(jié)省能源,，延長兩次充電之間的電池壽命，同時還可以減少發(fā)熱,，減小PCB焊盤的面積,。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達24V的負載切換和熱插拔應(yīng)用，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降,。
　
　　Si7625DN在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至7mΩ和11mΩ,，這些數(shù)值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在10和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別低30%和39%。
　
　　新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝,。為滿足工業(yè)應(yīng)用的要求,，第三代TrenchFET封裝讓設(shè)計者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8之間進行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm,，該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3,。
　
　　MOSFET進行了完備的Rg和UIS測試，符合ROHS指令2002/95/EC,，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,。
　
　　新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十六周,。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、整流器,、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電容器,、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一,，這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。
　
　　TrenchFET®和PowerPAK®是Vishay Siliconix公司的注冊商標(biāo),。