《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
飛兆半導(dǎo)體公司
摘要: 要開(kāi)發(fā)針對(duì)高級(jí)電源的先進(jìn)功率器件并取得市場(chǎng)佳績(jī),必須考慮和順應(yīng)不斷演進(jìn)的應(yīng)用需求,。這需要針對(duì)應(yīng)用中的所有元件進(jìn)行大量的優(yōu)化工作,,包括功率器件的半導(dǎo)體芯片、封裝,、電路板布局,以及轉(zhuǎn)換器的工作頻率,。飛兆半導(dǎo)體公司認(rèn)識(shí)到這一挑戰(zhàn),,并使用新的設(shè)計(jì)原則來(lái)開(kāi)發(fā)功率MOSFET。飛兆半導(dǎo)體在電源設(shè)計(jì)方面擁有的專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì),,使其PowerTrench產(chǎn)品功能在業(yè)界穩(wěn)占領(lǐng)先地位,。
Abstract:
Key words :

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET

    隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng),,加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代,,平面柵極功率MOSFET首度面向高壓器件,,BVDSS電壓范圍達(dá)到500-600V,取得市場(chǎng)的成功,。在這個(gè)時(shí)期,,功率MOSFET的傳導(dǎo)損耗主要取決于溝道密度、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)阻抗和外延阻抗(參見(jiàn)圖1),。隨著半導(dǎo)體行業(yè)光刻設(shè)備越來(lái)越精密,,提高了晶體管單元密度,傳導(dǎo)損耗因而得以改善,。光刻設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更高的單元密度,,同時(shí)也促使功率MOSFET的BVDSS范圍成功地下降到100V以?xún)?nèi),,實(shí)現(xiàn)了新的汽車(chē)電子、電源和電機(jī)控制應(yīng)用,。高壓MOSFET的傳導(dǎo)損耗問(wèn)題也就轉(zhuǎn)移到外延設(shè)計(jì)之上,。另一方面,MOSFET器件在降壓轉(zhuǎn)換器中的使用,,以及更寬的電源電壓范圍(30V)要求,,激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)更高性能器件的需求。

圖1:平面功率MOSFET的導(dǎo)通阻抗元件

    上世紀(jì)90年代初期平面功率MOSFET技術(shù)的長(zhǎng)足發(fā)展之時(shí),,出現(xiàn)了一類(lèi)新型溝道柵極功率MOSFET,,為低壓器件設(shè)立了新的性能標(biāo)桿。這類(lèi)溝道MOSFET采用一種嵌入在溝道區(qū)域并細(xì)致地蝕刻到器件的柵極結(jié)構(gòu),,使得溝道密度增加一倍(第一代產(chǎn)品就達(dá)到每平方英寸1200萬(wàn)個(gè)單元),。由于新技術(shù)能夠增加并行傳導(dǎo)通道的數(shù)量并減少JFET阻抗元件,因此使到傳導(dǎo)效率提高近30%,。

    器件設(shè)計(jì)人員面對(duì)的挑戰(zhàn)是:技術(shù)提升除了增加單元密度,,因?yàn)闁艠O-漏極區(qū)域交疊面積和柵極-源極交疊面積增加,所以同時(shí)引起容抗和柵極電荷的增加,。因此,,器件設(shè)計(jì)人員一直希望通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗。飛兆半導(dǎo)體公司于1998年推出一種專(zhuān)為高效降壓轉(zhuǎn)換器而優(yōu)化的溝道柵極功率MOSFET,,也就是第一代PowerTrench® 產(chǎn)品,。如今PowerTrench®已經(jīng)過(guò)七代改進(jìn)優(yōu)化,演變?yōu)樽钚碌?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/降壓轉(zhuǎn)換器" title="降壓轉(zhuǎn)換器" target="_blank">降壓轉(zhuǎn)換器部件,。

針對(duì)同步整流拓?fù)涞墓β蔒OSFET優(yōu)化

    隨著首批微控制器開(kāi)始使用有別于計(jì)算機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)5V或12V電源,,功率MOSFET也開(kāi)始獲得廣泛應(yīng)用,。將直流電壓轉(zhuǎn)換成更低電壓的舊式降壓轉(zhuǎn)換器,,成為低電壓開(kāi)關(guān)功率器件發(fā)展的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)力。而且開(kāi)發(fā)焦點(diǎn)也從AC-DC開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng),,轉(zhuǎn)向要求更嚴(yán)苛的處理器以及能滿足特定的供電要求的相關(guān)外設(shè)組件,。

    作為處理器電源的降壓轉(zhuǎn)換器隨即增配同步整流器以改善效率,并使用同步開(kāi)關(guān)功率MOSFET來(lái)補(bǔ)充并最終替代肖特基整流二極管,,從而降低傳導(dǎo)損耗,。而移動(dòng)計(jì)算技術(shù)的出現(xiàn),對(duì)轉(zhuǎn)換器效率提出了更高求,,進(jìn)而推動(dòng)了該技術(shù)的高度演進(jìn),,成為現(xiàn)代功率MOSFET中使用的模式。

   在高技術(shù)水平下,,易于確定對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET的要求,。在大多數(shù)情況下,,同步整流器或SyncFET™都在導(dǎo)通狀態(tài)下工作,并且其導(dǎo)通阻抗應(yīng)當(dāng)很小,,以最大限度減少功耗,。高側(cè)開(kāi)關(guān)MOSFET由直流電源驅(qū)動(dòng),生成電脈沖,,然后經(jīng)LC濾波器平滑處理成連續(xù)的電壓,,再施加到負(fù)載上。因?yàn)镸OSFET的主要損耗來(lái)自開(kāi)關(guān)動(dòng)作,,而且導(dǎo)通時(shí)間很短,,所以開(kāi)關(guān)器件速度要夠快,而且導(dǎo)通阻抗要夠小,。開(kāi)關(guān)和整流兩個(gè)環(huán)節(jié)交替處于導(dǎo)通狀態(tài),,但導(dǎo)通時(shí)段不能重疊,否則電源和接地間便會(huì)形成所謂直通(shoot-through),,直接造成功率損耗,。當(dāng)開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)通時(shí),SyncFET™的漏極電壓瞬變將在柵極CGS上產(chǎn)生感應(yīng)電流和電壓,,其大小則取決于CGS和CGD的幅度及兩者的比率以及開(kāi)關(guān)瞬變速率,。如果柵極電壓超過(guò)閾值,器件將再次導(dǎo)通,,導(dǎo)致直通,。所以只要CGS/CGD比率足夠大,便能夠防止漏極電壓瞬變誘發(fā)直通,。

    分析該技術(shù)演進(jìn)并明確MOSFET要求后,,就能明白器件技術(shù)發(fā)展的主要推動(dòng)因素。在圖2a的基本溝道柵極結(jié)構(gòu)中,,通過(guò)增加溝道的寬度/長(zhǎng)度比,,便可以降低導(dǎo)通阻抗。而按圖2b所示在溝道底部延伸氧化層厚度,,就能夠提高開(kāi)關(guān)速度和增大CGS/ CGD比率,。最終的設(shè)定就如圖2c所示,在溝道的柵極下部額外嵌入一個(gè)電極,,以增加漂移區(qū)電荷,,從而降低導(dǎo)通阻抗;并且同時(shí)降低CGD,,提高開(kāi)關(guān)速度,,并改變CGS /CGD比率,藉此最大限度地防止直通。

圖2:a)傳統(tǒng)溝道柵極功率MOSFET,;b)溝道底部氧化層加厚的溝道MOSFET,;c)增添屏蔽電極的溝道MOSFET。

    如今,,飛兆半導(dǎo)體公司已將上述屏蔽器件的結(jié)構(gòu)發(fā)展到新的精細(xì)水平,。特定阻抗,或者說(shuō)單位面積阻抗,,已較上一代產(chǎn)品大幅降低,,同時(shí)提高了業(yè)已出色的開(kāi)關(guān)性能。過(guò)去的數(shù)代器件,,例如飛兆半導(dǎo)體的領(lǐng)先產(chǎn)品SyncFET,,也需要在低側(cè)同步整流器集成一個(gè)肖特基二極管,以降低MOSFET體二極管的死區(qū)時(shí)間(dead-time)傳導(dǎo)損耗,,并控制體二極管反向恢復(fù)時(shí)產(chǎn)生的電壓瞬變,。為了省去成本相對(duì)高昂的肖特基二極管,最新一代的產(chǎn)品采用二極管正向注入,,以求最大限度地減小漏極屏蔽容抗,,以及降低屏蔽阻抗等專(zhuān)業(yè)技術(shù),力爭(zhēng)抑制那些不利的電壓瞬變行為,,如漏極電壓過(guò)沖(over-shoot),。

    如圖3a和3b所示,新產(chǎn)品的電壓過(guò)沖和振蕩甚至大大低于采用集成肖特基部件的器件,。SyncFET漏極電壓振蕩經(jīng)過(guò)阻尼抑制,,使該類(lèi)應(yīng)用中常見(jiàn)的EMI噪聲大大減少。該解決方案具有極其安靜的開(kāi)關(guān)特性,,可以完全省去用來(lái)消除振蕩的外部緩沖電路,。

圖3:飛兆半導(dǎo)體器件的安靜開(kāi)關(guān)行為(a)與傳統(tǒng)溝道產(chǎn)品開(kāi)關(guān)行為(b)的比較

    由于器件技術(shù)不斷演進(jìn),新產(chǎn)品也開(kāi)始百花齊放,。這些產(chǎn)品通過(guò)降低MOSFET開(kāi)關(guān)的功耗來(lái)提高性能及電壓轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流,。目前,SyncFET通常使用三個(gè)毫歐級(jí)部件,,使多相轉(zhuǎn)換器的每級(jí)輸出電流都達(dá)到30A以上,。鑒于過(guò)去數(shù)代產(chǎn)品的部件之間存在封裝互連阻抗,,而這種互連阻抗與當(dāng)今PowerTrench產(chǎn)品的整體阻抗相接近,,相比之下,這是一項(xiàng)卓越的成就,。封裝互連阻抗降低了八倍,,使過(guò)去10年來(lái)針對(duì)半導(dǎo)體阻抗取得四倍的改進(jìn),結(jié)果使轉(zhuǎn)換器輸出電流增加了一倍。新產(chǎn)品在未來(lái)可達(dá)到的進(jìn)展還包括提高工作頻率,,使到濾波電感和電容更小,,進(jìn)而減少所用的電路板空間。

    包含封裝的控制器和(或)驅(qū)動(dòng)電路以及功率開(kāi)關(guān)的多芯片模塊正在打進(jìn)諸如游戲機(jī)和便攜電腦之類(lèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng),。這些新型部件的優(yōu)勢(shì)包括減少電路板的寄生電感因素,、避免了分立元件方案所產(chǎn)生的電壓瞬變,以及從轉(zhuǎn)換器剝奪功率的固有弱點(diǎn),,從而延長(zhǎng)電池壽命,,降低工作溫度,減低輻射噪聲或EMI,,并減小電路板尺寸,。

    封裝和MOSFET器件技術(shù)的進(jìn)步,大多來(lái)自于日益增多的仿真技術(shù)的使用,,讓工程師能夠開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的解決方案,。本文所述的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展就依賴(lài)于器件的有限元模擬分析和應(yīng)用的模擬分析,從而對(duì)半導(dǎo)體 ,、封裝,、柵極驅(qū)動(dòng)電路和電路板寄生因素間的相互影響有更深入的了解。仿真技術(shù)還能讓人們深入了解器件參數(shù)變化的工藝環(huán)節(jié),,找到最大限度消除這些變化的解決方案,。

結(jié)論

    要開(kāi)發(fā)針對(duì)高級(jí)電源的先進(jìn)功率器件并取得市場(chǎng)佳績(jī),必須考慮和順應(yīng)不斷演進(jìn)的應(yīng)用需求,。這需要針對(duì)應(yīng)用中的所有元件進(jìn)行大量的優(yōu)化工作,,包括功率器件的半導(dǎo)體芯片、封裝,、電路板布局,,以及轉(zhuǎn)換器的工作頻率。飛兆半導(dǎo)體公司認(rèn)識(shí)到這一挑戰(zhàn),,并使用新的設(shè)計(jì)原則來(lái)開(kāi)發(fā)功率MOSFET,。飛兆半導(dǎo)體在電源設(shè)計(jì)方面擁有的專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì),使其PowerTrench產(chǎn)品功能在業(yè)界穩(wěn)占領(lǐng)先地位,。

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