賓夕法尼亞,、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新型500V,、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3,、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω,，柵極電荷減小為48nC,，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝,。
　
　　這三款器件的低導通電阻意味著更低的功率損耗,，從而在各種應用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和LLC拓撲中節(jié)約能源,，這些應用包括筆記本電腦的交流適配器,、PC機和液晶電視，以及開放式電源,。
　
　　除了具有低導通電阻，這三款器件的柵極電荷為48nC,。柵極電荷與導通電阻的乘積低至26.64Ω-nC,，該數(shù)值是描述用于功率轉(zhuǎn)換應用中MOSFET性能的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。
　
　　新款N溝道MOSFET采用Vishay Planar Cell技術(shù)生產(chǎn),，這項技術(shù)為減小通態(tài)電阻進行了定制處理,，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脈沖。與前一代MOSFET相比,，SiHP12N50C-E3,、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了開關(guān)速度和損耗。
　
　　這些器件符合RoHS指令2002/95/EC,，并經(jīng)過了完備的雪崩測試,，以實現(xiàn)可靠的工作,。新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周,。
　
VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）（二極管,、整流器、MOSFET,、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器,、電感器、電容器,、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計算,、汽車,、消費、電信,、軍事,、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備,。(這些元件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備),。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者,。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。