《電子技術應用》
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家電智能功率模塊單驅動電源方案
三菱電機公司
摘要: 由于雙列直插式(DIP)智能功率模塊(IPM)內(nèi)置高壓集成電路(HVIC),使采用單一控制電源供電成為可能。對控制電源的性能指標要求為:+15V(+-10%),,dv/dt≤(1V/us,V紋波>≤2Vp-p,。HVIC器件通常會忽略掉脈寬<50ns、脈沖幅值<5V的高頻噪聲,。這里值得注意的是,,控制電源VD應先于主電源(P-N間電源)開啟,,并晚于主電源關斷。
Abstract:
Key words :

 由于雙列直插式(DIP)智能功率模塊(IPM)內(nèi)置高壓集成電路(HVIC),,使采用單一控制電源供電成為可能,。對控制電源的性能指標要求為:+15V(+-10%),dv/dt≤(1V/us,,V紋波>≤2Vp-p,。HVIC器件通常會忽略掉脈寬<50ns、脈沖幅值<5V的高頻噪聲,。這里值得注意的是,,控制電源VD應先于主電源(P-N間電源)開啟,并晚于主電源關斷,。

充電初始過程

        為了使IPM正常起動,,需要提供初始自舉充電信號。如圖1所示,,通過打開N側的IGBT,,自舉電容被充電,控制信號應具有足夠的脈寬使自舉電容能充滿電,。為了實現(xiàn)此初始化功能,,在軟件上應進行相應的處理,即增加初始化程序段,。

參考參數(shù):自舉電容為100uF、自舉電阻為50(情況下,,初始充電時間約5ms,。

自舉電容、電阻和二極管的選擇

1. 自舉電容C1的選擇:

其電容值可通過下式來選擇:

C1=IBS(T1/(VHSPACE=12
 

圖1:充電初始化,。


        其中,,T1為IGBT1的最大開通脈寬時間,IBS為IC的驅動電流(取決于溫度和頻率特性),,(V為允許的放電電壓,。通常應對計算出的電容值增加2~3倍裕量。注意:由于交流電機和直流無刷電機的控制方式不同,,T1具有較大的差異,,因而C1的選取值差別較大。

2. 自舉電阻R2的選擇

        一般來說,,R2電阻值的選擇應使時間常數(shù)C1×R2能夠滿足使放電電壓((V),,能在IGBT2的最大導通脈寬(T2)內(nèi)充電到C1。同時還需注意充電瞬間的最大充電電流,,控制電源應能提供此瞬態(tài)電流,。然而,,如果僅僅IGBT具有“開-關-開”控制模式,時間常數(shù)的設置應使在導通階段消耗的電荷能夠在關斷時間內(nèi)被充電,。

3. 二極管D1的選擇

        二極管D1應采用高壓快恢復二極管(600V或更高),,最大承受電流應大于充電瞬間的最大充電電流。

DIP IPM的短路保護電路

在PCB板布局布線時,,應盡量滿足如下要求:

        旁路電阻盡量靠近DIP IPM的引腳N放置,;RC濾波器盡量靠近DIP IPM的CIN引腳放置;A,、B和C之間的走線應盡可能短,。

        RC濾波器時間常數(shù)設定在1~2(s之間,此RC濾波電路可防止旁路電阻上噪聲引起的短路保護誤動作,,它還應允許FWDi反向恢復電流流通,。為了確定時間常數(shù),需要考慮IGBT的性能,,圖3舉例說明了帶最小導通閾值電壓的IGBT的情況,。例如,當驅動電壓為推薦范圍內(nèi)的最大值16.5V時,,在上述條件下能通過額定集電極電流的8.5倍(VD=16.5V時的最大電流),,此時,如果IGBT的導通時間(脈寬)小于4us,,表明IGBT能夠安全地關斷,。對于DIP IPM,考慮設置裕量,,RC時間常數(shù)的推薦值為2us或更小,。
電流檢測旁路電阻值的選擇HSPACE=12
 

圖2:DIP IPM的短路保護電路。


        采用下式來計算電流檢測電阻的阻值:R=VSC(ref)/ISC,。其中,,VSC(ref)為控制IC的SC參考電壓(動作閾值),ISC為需要中斷的電流值,。

        控制IC的SC參考電壓(動作閾值)隨寄生電壓和溫度而變化,,應考慮其波動范圍,需要基于下述參數(shù)來設計,??紤]到VSC(ref)參數(shù)及旁路電阻的精度問題,實際上應考慮下述短路保護動作閾值:

SCmax.= VSC(ref)max,,旁路電阻最小值,;

SCtyp.= VSC(ref)typ,旁路電阻典型值,;

SCmax.= VSC(ref)min,,旁路電阻最大值,。
 

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