能把閃存,、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點集于一身嗎,？恒憶(Numonyx)推出的全新系列相變存儲器(PCM)就可以做到,。該系列產品采用被稱為相變存儲的新一代存儲技術,，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性,，適用于固線和無線通信設備,、消費電子,、PC和其他嵌入式應用設備。
    Numonyx亞太區(qū)嵌入式業(yè)務總經理徐宏來先生,，近日在北京向記者詳細介紹了該新產品系列——Omneo PCM P5Q及P8P,。

徐宏來先生
恒憶(Numonyx)亞太區(qū)嵌入式業(yè)務總經理

革命性技術——PCM
    Numony Omneo PCM所用的材料是硫族化合物Ge2、Sb2,、Te5(GST),，利用其生成的相變可逆變的物質，存儲新的信息,。即通過在非晶態(tài)與晶態(tài)之間變化實現(xiàn)存儲,；通過測量GST電阻實現(xiàn)讀取,；通過電流給GST加熱(焦爾效應)實現(xiàn)寫入,。徐宏來先生強調了PCM的一個特性——位修改性：“假設改變一個8位的信息，從‘10111001’改成‘01011010’,，位修改性能使得8位中只需要改5位,。但是按照目前NOR的原理或邏輯，就不能只改變這5位,，而需要先把8位都擦除，形成‘11111111’的狀態(tài),，然后再寫入‘01011010’,，這是一個相當復雜的過程?？梢娢恍薷拇蟠蠛喕藢懖僮鬟^程,，速度更快，數(shù)據(jù)處理更簡單易行,。PCM提供了有效空間應用,，帶來了革命性的結果。此外,，PCM還有非易失性,，能對數(shù)據(jù)進行保護，且其讀寫性,、成本降低空間都有非常特別的地方,。”
Omneo相變存儲器創(chuàng)新機遇
    “PCM帶來的變革會對整個半導體行業(yè)帶來革命性的影響，過兩年整個DRAM應用可能會被PCM所取代,。目前,，DRAM所占有的產值是相當大的，一旦被PCM取代,，整個存儲行業(yè)可能被重新改寫,。”徐宏來先生自豪地說,，“基于很好的材料和特性，Numonyx有幸成為第一個做相變存儲器的公司,，今天我將向大家介紹Omneo PCM P5Q和P8P,。”
    雖然PCM采用的是革命性的材料，但目前Numonyx推出的產品是漸變,、過渡的產品,，其目的在于讓市場更快地接受它，認識它與傳統(tǒng)的存儲器不一樣的地方,，讓大家感受市場如何利用這個相變材料的特性生產出革命性產品,。DDRx這個產品我們目前正在研發(fā)狀態(tài)，產品一旦推出,，會對現(xiàn)在的DRAM應用產生直接的影響,。目前推出的P5Q和P8P是定位于嵌入式應用的，具有嵌入式系統(tǒng)所需的2個性能：一是長遠制程升級能力,，不管是NAND還是NOR,，都是基于量存儲原理，在15 nm~12 nm就會產生瓶頸,，而PCM不存在這個問題,；二是可靠性，PCM結構相當穩(wěn)定,，不像NAND和NOR,，在使用中氧化會使其急劇退化，所以只能做到10萬次擦寫的極限,，而目前PCM已經達到100萬次,，隨著工藝的提升，這個可靠性會有更進一步的提高,。
    徐宏來先生介紹：“兼容高速SPI接口的90 nm 128 MB P5Q瞄準高速增長的串行存儲器市場,，支持并行NOR接口的90 nm 128 MB P8P 瞄準并行存儲器市場。預計到2012年,，45 nm計劃會將現(xiàn)有市場總規(guī)模擴大到10億美元以上,。”Numonyx Omneo相變存儲器給嵌入式應用帶來的好處主要有：(1)簡單易用，既能像RAM一樣可修改字節(jié),，又避免了閃存的文件系統(tǒng),；(2)提升系統(tǒng)性能，不但能模仿閃存,，寫速度是閃存的3倍,，而且無擦除操作，寫速度是閃存的10倍；(3)耐寫能力是閃存的10倍,，可以進行100萬次寫操作,。
    最后，徐宏來先生給記者展示了一些Omneo PCM的應用案例,。例如在智能電表中,，P5Q可以完成NOR、EEPROM和NVRAM三者相加的功能,，并且需要的電池容量更小,，這樣既環(huán)保又實惠，在數(shù)字機頂盒,、電信,、商業(yè)打印機等領域，P5Q和P8P也能發(fā)揮同樣的作用,。