報告要點

看好國內(nèi)存儲器行業(yè)，關(guān)注新型存儲技術(shù)

存儲器是國之重器，國內(nèi)兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖，這將成為近年來國家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入,，蘊含著巨大的投資機遇。另外,，我們于近期拜訪了華中科技大學(xué)武漢光電國家實驗室的繆向水教授,，繆教授是教育部“長江學(xué)者”特聘教授，是國內(nèi)相變存儲器領(lǐng)域的頂尖專家，我們重點關(guān)注相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進展,。

國內(nèi)外巨頭紛紛布局相變存儲

三星早在2011年便推出PCM手機,；Intel和Mircon在去年推出3D Xpoint，預(yù)計今年底或明年就能量產(chǎn),；IBM在多值存儲領(lǐng)域取得突破性進展,，可大幅降低PCM的成本。國內(nèi)研究機構(gòu)主要有武漢光電國家實驗室和中科院上海微系統(tǒng)所,，已經(jīng)有產(chǎn)品開發(fā)出來,。

國內(nèi)相變存儲器的產(chǎn)業(yè)機遇

從全球整個產(chǎn)業(yè)的專利布局情況來看，三星占40%多,，美光占9%,，IBM15%，國內(nèi)14%左右,。從產(chǎn)業(yè)支持的角度來看,，國內(nèi)將興建多座存儲器工廠，相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現(xiàn),，包括讀寫電路,、放大電路、編碼電路,，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設(shè)備,，只需添置部分設(shè)備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國內(nèi)可以改造生產(chǎn)線來量產(chǎn)相變存儲器,。

推薦標(biāo)的

紫光國芯—全方位布局存儲器產(chǎn)業(yè)

深科技—涉足存儲器封裝,，其他業(yè)務(wù)看點多

長電科技—收購星科金朋，布局高端封測

南大光電—相變存儲將拉動新型MO的需求

艾派克—不僅僅只有打印機

七星電子—設(shè)備領(lǐng)域深度受益

鼎龍股份—CMP拋光墊領(lǐng)域新秀

風(fēng)險提示

系統(tǒng)性風(fēng)險：電子行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期

看好國內(nèi)存儲器行業(yè),，關(guān)注新型存儲器技術(shù)

存儲器是國之重器,，國內(nèi)兩大巨頭紫光國芯和武漢新芯均推出自己的產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖，這將成為近年來國家集成電路產(chǎn)業(yè)最大手筆的投入,，蘊含著巨大的投資機遇,。另外，我們于近期拜訪了華中科技大學(xué)武漢光電國家實驗室的繆向水教授,，繆教授是教育部“長江學(xué)者”特聘教授，是國內(nèi)相變存儲器領(lǐng)域的頂尖專家,。

存儲器行業(yè)現(xiàn)狀

存儲器廣泛應(yīng)用于計算機,、消費電子、網(wǎng)絡(luò)存儲,、物聯(lián)網(wǎng),、國家安全等重要領(lǐng)域，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品,。據(jù)CSIA統(tǒng)計,，2015年國內(nèi)集成電路市場超過10000億，其中存儲器的市場總額（包括邏輯芯片中的存儲器）超過6100億元,，市場空間巨大,。

存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性,。易失性：斷電以后,，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM,，電腦中的內(nèi)存條,。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在,，主要是閃存（Nand FLASH 和NOR FLASH）,，NOR主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲,。在整個存儲器芯片里面,，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH,。

DRAM市場上主要由三星,、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到90%以上,。從NandFLASH市場來講,，2016年第一季度，三星占了35.1%,，所占市場份額很大,。整個存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的,，目前在市場上主導(dǎo)地位的是閃存（flash memory）,。當(dāng)工藝線寬小于16nm的時候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限,。主要的問題：1,、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于16nm時,，厚度逐漸下降,，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度,。2,、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢,。4,、有效的擦寫次數(shù)。

國外巨頭紛紛布局相變存儲器

三星

2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片,；2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片,；2012年基于20nm工藝制備8Gb相變存儲器芯片；2014年發(fā)布相變存儲器的產(chǎn)業(yè)報告,。

美光

2009年基于45nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片,；2011年發(fā)布第一款基于相變存儲器的SSD；2013年基于45nm工藝1Gb相變存儲器芯片實現(xiàn)量產(chǎn),；2015年聯(lián)合Intel發(fā)布3D Xpoint,。

意法半導(dǎo)體

2009年聯(lián)合恒億共同發(fā)布90nm工藝4Mb嵌入式相變存儲器芯片；2010年,，發(fā)布了通過材料改性工程N-GeTe實現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持,；2013年，發(fā)布了通過材料改性工程N-Ge-GST實現(xiàn)SET與高低組保持的性能平衡,。

IBM

2011年IBM發(fā)布了多值的相變存儲器操作算法,，然后推出了基于MIEC材料選通的多層crosspoint存儲器。2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲電阻漂移的算法解決辦法,，2016年發(fā)布多值相變存儲器,，進入90nm工藝。

國際其他產(chǎn)家,，包括英特爾,、臺積電等都有在其中做過相關(guān)工作。

國內(nèi)相變存儲器發(fā)展情況

國內(nèi)來說,，主要是兩家：華中科技大學(xué)和中科院上海微系統(tǒng)所（宋志棠教授帶領(lǐng)的）,。2010年華科制作的是1Mb, 中科院上海微系統(tǒng)所做的是8Mb的。

2009年武漢光電國家實驗室研制成功相變存儲器芯片,，2010年我們研制成功1Mb的測試芯片,，同時在相變速度方面，我們在全球是最快的,，速度達(dá)到0.2ns,。

此外，實驗室還研制出了相變存儲卡：

相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展機遇

武漢新芯2006年成立,，2008年量產(chǎn),，主要做NOR Flash，良率在世界范圍內(nèi)很高,。今年3月底啟動了國家集成電路基地項目，依托武漢新芯建設(shè)，主要做3D NAND 和DRAM,，預(yù)計5年內(nèi)投資240億美元,，計劃2020年月產(chǎn)能達(dá)到30萬片，2030年月產(chǎn)能達(dá)到100萬片,，規(guī)模是很大的,，為一代的新型存儲技術(shù)產(chǎn)業(yè)化打下基礎(chǔ)。國內(nèi)現(xiàn)在存儲器技術(shù)是熱點,，三星在西安,，英特爾在大連都要做3D NAND，海力士在無錫做NAND 和DRAM,，最近福建晉江也建廠做DRAM,。這些生產(chǎn)線，最小產(chǎn)能每個月10萬片以上,，我國存儲器的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀可以得到徹底改觀,。以前存儲器進口占比95%，現(xiàn)在投入很大,，國內(nèi)和國外都在投,，基本上都生產(chǎn)NAND 和DRAM。這些生產(chǎn)線的建設(shè)為以后新型存儲器的發(fā)展帶來很大的機遇,。

從專利上來講,，2002-2014年中2008-2009年專利是比較多的。全球整個專利布局方面,，三星占40%多,，美光占9%，IBM15%,，國內(nèi)14%,。在國內(nèi)中芯國際和上海微系統(tǒng)所在一起有200多個專利，華中科技大學(xué)有45個專利,，復(fù)旦大學(xué)有29,，半導(dǎo)體所有18個。從專利布局可以看出,。三星從材料,、結(jié)構(gòu)、測試,、工藝,、電路方面占比分別為17.7%、28.5%,、8.4%,、14.8%,、30.6%，可以看出每個公司在專利方面的布局重點壓在什么地方,。國內(nèi)也是材料占比15.07%,，結(jié)構(gòu)占比39.72%、工藝占比15.07%,、電路占比19.86%,、測試占比7.54%，其它占比2.74%,，這是整個專利布局申請的保護領(lǐng)域占整個相變存儲器的比例,。

相變存儲器發(fā)展趨勢

過去存儲容量提升都是通過 Scaling Down，從90nm到45nm,，甚至16nm,，在Scaling Down的過程中成本都一直在提高。現(xiàn)在相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種,，一種是三維堆疊,，還有一種是多值技術(shù)。英特爾和美光重點突破的是三維堆疊技術(shù),，而IBM在多值存儲領(lǐng)域取得了突破性進展,。

2015年英特爾和美光推出了3D-Xpoint存儲器，是基于相變材料,，給相變存儲器帶來了新的機遇,。這個是交叉點陣列的結(jié)構(gòu)，另外存在空間堆疊,，像汽車一樣,，二維停車庫停的車很少，建多層停車場以后停的車就會多很多,，以三維的方式來提高存儲密度,。存儲密度是DRAM的8-10倍，讀取速度是目前閃存的1000倍,，耐用性是閃寸的一倍,，所以受到廣泛的關(guān)注。

相變存儲相關(guān)問題

1,、問：國內(nèi)在大力布局存儲器芯片制造,，這些fab能否代工相變存儲器？

答：目前來講,，武漢新芯主導(dǎo)產(chǎn)品是Nor Flash,，目前生產(chǎn)線比較成熟，正在布局3D NAND Flash,。相變存儲器的外圍電路用CMOS工藝就可以實現(xiàn),，包括讀寫電路,、放大電路、編碼電路,，都可以利用原來生產(chǎn)線大部分設(shè)備,，只需添置部分設(shè)備就可以生產(chǎn)（如刻蝕），因此國內(nèi)可以改造產(chǎn)線代工相變存儲器,。但是如果公司想重新投一條相變存儲器芯片產(chǎn)線，成本太高,，不經(jīng)濟,。從代工廠的角度說，如果有成熟的新興技術(shù),，通過改造產(chǎn)線實現(xiàn)生產(chǎn)更受歡迎,。

2、問：國內(nèi)在3D NAND Flash領(lǐng)域是處于追趕的狀態(tài),，在相變存儲領(lǐng)域是否可能實現(xiàn)彎道超車,？

答：3D NAND Flash現(xiàn)在是三星一家領(lǐng)先，其他幾家基本處于同一水平,。相變存儲領(lǐng)域國內(nèi)布局比較早,，若相變存儲要大規(guī)模生產(chǎn)至少國內(nèi)有技術(shù)儲備，處于與國外并駕齊驅(qū)的狀態(tài),。

3,、問：上海微系統(tǒng)所已經(jīng)做出了8Mb的容量，那么要實現(xiàn)1GB甚至1TB的跨越,，難點在什么地方?

答：難點在于我們研發(fā)的設(shè)備比生產(chǎn)線的設(shè)備落后很多,。一般來講，研發(fā)機構(gòu)的設(shè)備比公司的要高級,，但是在集成電路行業(yè),，公司設(shè)備比研究所的高級，公司不愿意用更高級的設(shè)備去研發(fā),。比如中芯國際做研發(fā)的都是試驗線,，而不會是產(chǎn)業(yè)線。假如我們有好的設(shè)備,，在解決容量,、探擾、功耗三個問題的前提下,，我們也是可以做到1GB大容量的,。

4、問：相變存儲器是否可以替代DRAM和FLASH,？

答：相變存儲器現(xiàn)在的價格在DRAM和FLASH中間,，它的容量比DRAM大,，比FLASH低；它的速度DRAM慢一點,，但比FLASH快很多?，F(xiàn)在的存儲系統(tǒng)很不平衡，都走向極端,，速度和容量不可同時滿足,。而相變存儲器介兩者之間，能夠在速度和容量找到平衡點,，找到自己市場,。但是也不太可能完全替代DRAM和FLASH。

5,、問：相變存儲器全產(chǎn)業(yè)鏈有哪些可以國產(chǎn)化,，有哪些方向可以投資？

答：在材料源方面（硫系化合物半導(dǎo)體）,，假如我們用PVD的方法來做材料,，那么可以去關(guān)注一些做靶材的公司。假如我們用化學(xué)的方法來做材料,，可以去關(guān)注MO源的公司,，比如南大光電；在機器方面,，可以去投資做刻蝕設(shè)備的相關(guān)公司,，重點關(guān)注北方微電子；在封裝方面,，未來3D封裝是重點,；在產(chǎn)品設(shè)計方面，可以重點關(guān)注紫光華芯等紫光體系的公司,，另外也可關(guān)注做NOR FLASH設(shè)計的兆易創(chuàng)新,。

6、問：您剛剛說了很多國內(nèi)外公司關(guān)于相變存儲器做的工作,，那您認(rèn)為國內(nèi)外在相變存儲器的技術(shù)上差距大不大,，有多大？

答：國內(nèi)目前在關(guān)鍵技術(shù)上有所突破,，在相變存儲器專利方面國內(nèi)占了14%-15%,。我們在做相變存儲器研發(fā)的人員、數(shù)量和質(zhì)量還比不上國外,。目前國內(nèi)就華中科技大學(xué),、中科院上海微系統(tǒng)所這2家專門做相變存儲器芯片，人員投入還不夠,。因此和三星,、美光相比,，還是有一定的差距。但是在存儲器領(lǐng)域我們也有自己的核心技術(shù),，擁有一定的地位,。

推薦標(biāo)的

從整個國家存儲器產(chǎn)業(yè)來看，紫光國芯,、深科技和長電科技為核心受益標(biāo)的,；從相變存儲器的角度來看，最相關(guān)的公司為南大光電和艾派克,。

紫光國芯—全方位布局存儲器產(chǎn)業(yè)

設(shè)計領(lǐng)域

公司于2015年9月收購西安華芯的股權(quán),，收購?fù)戤吅蟪止杀壤_(dá)到76%。西安華芯始源于英飛凌半導(dǎo)體的存儲器事業(yè)部,，是國內(nèi)唯一具有世界主流大容量存儲器核心設(shè)計開發(fā)技術(shù)的公司。華芯自有品牌大容量DRAM芯片及內(nèi)存條已成功量產(chǎn)上市,，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器,、平板電腦、電視機頂盒,、工業(yè)控制等領(lǐng)域,，產(chǎn)品也遠(yuǎn)銷到大陸以外的臺灣、韓國,、歐洲等地,。

制造領(lǐng)域

2015年11月，紫光國芯公告擬定向增發(fā)800億資金,，成為A股有史以來最大規(guī)模的再融資,。定增資金主要用來三個項目，其中,，包括932億元的資金用來投資建造存儲器工廠,，規(guī)劃兩年時間完成。工廠實施完成并達(dá)產(chǎn)后,，預(yù)計每月可新增12萬片的存儲芯片產(chǎn)能,。預(yù)計年均營收為354億元、年均利潤總額為87億元,、投資回收期為6.28年（含建設(shè)期2年）,。

封測領(lǐng)域

目前公司正在積極推進參股臺灣力成和南茂事宜，我們認(rèn)為紫光集團同時入股兩家臺灣封測廠力成和南茂,，有三大利好影響：

加強大陸與臺灣半導(dǎo)體企業(yè)和產(chǎn)業(yè)鏈的合作,，互利共贏；

力成和南茂都是半導(dǎo)體封測公司,，分別側(cè)重于集成電路和存儲器芯片的封裝,、測試,，二者有望在業(yè)務(wù)中達(dá)成合作，共享客戶與技術(shù)方面的資源,；

紫光集團的大手筆收購增強了在存儲器產(chǎn)業(yè)的實力,，幫助旗下上市平臺紫光國芯在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長中獲得更多的份額，企業(yè)價值凸顯,。

其他業(yè)務(wù)

在存儲器芯片之外,，公司是國內(nèi)智能卡芯片龍頭，并積極布局特種集成電路領(lǐng)域,，在去年已開拓大量客戶,，在軍隊信息化加速、自主可控需求提升的背景下,，公司作為特種集成電路的“航空母艦”將迎來良好發(fā)展機遇,。

深科技—涉足存儲器封裝，其他業(yè)務(wù)看點多

深科技致力于提供硬盤零部件,、固態(tài)存儲,、通訊及消費電子、醫(yī)療器械等各類電子產(chǎn)品的先進制造服務(wù)以及計量系統(tǒng),、支付終端,、自動化設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，目前公司切入到LED新能源領(lǐng)域,，成立的子公司進行了LED芯片,、外延片、封裝模組,、照明應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈的布局,。

磁頭及硬盤盤基片制造商，外延布局存儲器封測

深科技是全球第二大硬盤磁頭專業(yè)制造商,，也是中國唯一的硬盤盤基片制造商,，掌握核心制造技術(shù)。目前公司90%的磁頭產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了自動化或半自動化生產(chǎn),，加之在防振,、臟污控制、防靜電干擾,、高等級凈化間生產(chǎn)控制等方面的工程能力,，公司在磁頭制造領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先水平。

2015年,，公司全面收購沛頓科技（深圳）有限公司（以下簡稱“沛頓科技”）,，沛頓科技在芯片存儲行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND FLASH等封裝檢測技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、客戶資源和高端人才,。沛頓科技現(xiàn)有產(chǎn)品包括內(nèi)存芯片DRAM和移動存儲封裝芯片（SIP）和嵌入式存儲芯片/嵌入式多功能芯片（eMMC/eMCP/MCP）,。

其他業(yè)務(wù)看點充足

公司一直在積極推進固態(tài)硬盤項目，早幾年就有針對性的成立了專項小組來跟進固態(tài)硬盤的發(fā)展,。日前,，希捷和金士頓都意欲推進固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)，公司已做好準(zhǔn)備,，可隨時承接固態(tài)硬盤的生產(chǎn),。

公司彩田園區(qū)城市更新單元規(guī)劃項目已獲得深圳市城市規(guī)劃委員會建筑與環(huán)境藝術(shù)委員會審批通過。項目拆除用地面積57,977.5平方米,，開發(fā)建設(shè)用地面積43,828.4平方米,，計容積率建筑面積為262,970平方米，其中產(chǎn)業(yè)研發(fā)用房195,280平方米（含創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)用房9,770平方米）,，產(chǎn)業(yè)配套用房62,050平方米（含配套商業(yè)21,000平方米,、配套宿舍41,050平方米），公共配套設(shè)施5,640平方米,。另外,，允許在地下開發(fā)16,000平方米商業(yè)用房。

長電科技—收購星科金朋,，布局高端封測

星科金朋總部位于新加坡，在韓國,、新加坡,、中國上海均設(shè)有工廠，在美國,、歐洲,、韓國等地均擁有銷售團隊，產(chǎn)品定位中高端,，覆蓋全球主要消費市場的客戶,。公司完成對星科金朋的收購后，行業(yè)排名從第六位躍升至第四位,，全球市場占有率從3.9%提升至10%,。

星科金朋技術(shù)領(lǐng)先，客戶資源豐富

星科金朋不僅具有先進的封裝技術(shù),，更有優(yōu)質(zhì)的客戶資源,，在技術(shù)方面，星科金朋的eWLB,、TSV,、SiP、PoP等均為行業(yè)領(lǐng)先的高端封裝技術(shù)能力；在客戶方面,，覆蓋了國際高端客戶,，包括高通、博通,、SanDisk,、Marvell等。

星科金朋擁有多種先進封裝技術(shù),，主要有FC（倒裝）,、eWLB（嵌入式晶圓級球柵陣列）、TSV（硅通孔封裝技術(shù)）,、SiP（系統(tǒng)級封裝）,、PiP（堆疊組裝）、PoP（堆疊封裝）等,。

星科金朋的客戶涵蓋集成電路制造商和集成電路設(shè)計企業(yè),，并且許多客戶都是各自領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。

國內(nèi)存儲器封測需求加大,，公司深度受益

公司收購星科金朋后,，無論是產(chǎn)能還是封測技術(shù)均成為國內(nèi)封測行業(yè)絕對龍頭，同時與中芯國際,、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金深度綁定,，將充分受益于整個集成電路產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。

從芯片產(chǎn)品端來看,，國內(nèi)布局最廣且投入力度最大的是存儲器芯片,，公司具備存儲器芯片領(lǐng)域完善的封測技術(shù)，將深度受益于這一趨勢,。

MO源即高純金屬有機源,，目前90%左右的應(yīng)用都集中于LED領(lǐng)域，其也是制造新一代太陽能電池,、相變存儲器,、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料,。目前相變存儲器主要使用GST（Ge,、Sb、Te）材料,，公司有含這三種材料的MO源,，隨著PCM技術(shù)的發(fā)展，若它能在市場上得到大規(guī)模的商用,，上游MO源行業(yè)將直接受益,，公司作為全球MO源生產(chǎn)的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè),，業(yè)績將會出現(xiàn)明顯的提升。

從公司的布局來看,，主要分為三大塊業(yè)務(wù)：MO源,、高純特種氣體和光刻膠。

1,、  公司的MO源前主要應(yīng)用于下游制備LED外延片,，其產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了國內(nèi)進口替代，還遠(yuǎn)銷歐美及亞太地區(qū),，積累了如Osram,、飛利浦、豐田合成,、晶元光電,、三安光電、士蘭明芯,、華燦光電,、乾照光電等一大批穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的客戶資源；

2,、  公司子公司全椒南大光電完成了7條生產(chǎn)線的建設(shè),，具備了35噸高純磷烷、15噸高純砷烷等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力,。

3,、  公司參股北京科華31.39%，切入到光刻膠領(lǐng)域,。

艾派克—不僅僅只有打印機

艾派克主營業(yè)務(wù)包括集成電路芯片,、通用打印耗材及核心部件和再生打印耗材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,，主要產(chǎn)品包括打印耗材芯片、打印耗材及相關(guān)部件等,；艾派克通過收購Lexmark（世界領(lǐng)先的打印產(chǎn)品及服務(wù)供應(yīng)商,，產(chǎn)品包括打印機、耗材及相關(guān)軟件及服務(wù)）,，一舉奠定了其打印領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭地位,。

艾派克在存儲器領(lǐng)域的布局

艾派克在非易失性存儲器設(shè)計及應(yīng)用領(lǐng)域擁有多項核心技術(shù)。艾派克已具備0.35,、0.18和0.13微米工藝的非易失性存儲器EEPROM設(shè)計與生產(chǎn)能力,，特別在高速EEPROM和低功耗EEPROM設(shè)計上具有較強優(yōu)勢，目前艾派克擁有相關(guān)EEPROM_IP16項,。

艾派克助推PCM商業(yè)化

艾派克獲得上海微系統(tǒng)研究所相變存儲器PCRAM_IP在打印機及打印耗材芯片領(lǐng)域獨家使用授權(quán),，通過排他性合作增加了艾派克的競爭優(yōu)勢。從研究所角度看，其PCM技術(shù)可以快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,，有助于進一步研發(fā)投入,。兩者優(yōu)勢互補，促進協(xié)同發(fā)展,。

七星電子——設(shè)備領(lǐng)域深度受益

在元器件領(lǐng)域,，公司依托60多年的元器件技術(shù)積累，建立了完善的新產(chǎn)品,、新工藝研發(fā)體系,，其電阻、電容,、晶體器件,、微波組件、模塊電源,、混合集成電路等高精密電子元器件被廣泛應(yīng)用于精密儀器儀表,、自動控制等高精尖特種行業(yè)。隨著國家進一步推進軍用電子元器件國產(chǎn)化政策,，軍用元器件的需求保持10%-15%的穩(wěn)定增長且毛利率水平高,，是公司當(dāng)前利潤的主要來源。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,，公司集成電路設(shè)備逐步由研發(fā)進入應(yīng)用的關(guān)鍵階段,，目前為公司貢獻業(yè)績的主要是應(yīng)用于電力電子、光伏等領(lǐng)域的設(shè)備,；公司收購北方微電子,，其產(chǎn)品主要包括刻蝕、PVD和CVD幾大類,，應(yīng)用領(lǐng)域包括集成電路制造,、封裝、LED,、功率半導(dǎo)體,、化合物半導(dǎo)體等細(xì)分市場，客戶涵蓋中芯國際,、武漢新芯,、三安光電等國內(nèi)大廠，有望深度受益于新一輪國內(nèi)大規(guī)模晶圓廠投資浪潮,。

此外,，公司通過自主研發(fā)的鋰離子動力電池設(shè)備的技術(shù)水平處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，主要應(yīng)用于動力汽車和儲能行業(yè),。在中國動力電池巨大市場需求的驅(qū)動下,，預(yù)計中國2016年鋰離子電池設(shè)備市場將增長17%,，達(dá)到34億元規(guī)模，公司相關(guān)業(yè)務(wù)將深度受益,。

公司將實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的自主可控,，預(yù)計公司16-18年凈利潤分別為1.01億元、1.63億元,、2.43億元,，對應(yīng)EPS分別為：0.22、0.36,、0.53元,。

鼎龍股份——CMP拋光墊領(lǐng)域新秀

公司大力投入裝備及人才力量，2016 有望形成初步產(chǎn)能,。若一二期產(chǎn)能50 萬片達(dá)產(chǎn)后,，預(yù)計年新增銷售收入100，000 萬元,，正常年度新增年均利潤總額41,，177 萬元，稅后利潤35,，000 萬元,。鼎龍2015 年主業(yè)的收入約為10.5 億人民幣，若CMP項目的順利實施會使公司的營業(yè)收入迎來翻番,，再造“一個鼎龍”,。

公司擁有彩色聚合碳粉、再生硒鼓和打印耗材芯片是鼎龍旗下的三大業(yè)務(wù)模塊,，規(guī)模效應(yīng)十分突出,，而且三者優(yōu)勢互補，協(xié)同發(fā)展,。收購旗捷將力促鼎龍在芯片領(lǐng)域具有話語權(quán),，收購佛萊斯通則讓鼎龍在化學(xué)碳粉領(lǐng)域具有產(chǎn)業(yè)控制力，硒鼓耗材方面則在產(chǎn)業(yè)鏈打通的背景下,，未來具有產(chǎn)業(yè)繼續(xù)整合的空間,，公司將有望在耗材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)龍頭霸主的地位，未來利潤有望跨越式提升,。

公司推進集成電路芯片及制程工藝材料研發(fā)中心項目,，研發(fā)并布局新的IC 產(chǎn)業(yè)方向,，著眼長遠(yuǎn),，凸顯上市公司的深謀遠(yuǎn)慮。在整合打印耗材產(chǎn)業(yè)鏈的同時將業(yè)務(wù)延伸至IC 產(chǎn)業(yè),，并以數(shù)字圖文快印O2O 的方式打造全新的數(shù)字打印市場,，而且促進與打印耗材市場的融合,。

公司深入打造“互聯(lián)網(wǎng)+中心工廠+窗口店”全新的圖文快印商業(yè)模式，實現(xiàn)線上線下的融合,。作為行業(yè)內(nèi)唯一能夠提供全系列兼容耗材的公司,，鼎龍有能力打破國外耗材廠商對終端的壟斷，成為快印行業(yè)的整合者,。預(yù)計16年-18年EPS分別為0.66,、0.93、1.14元,。

風(fēng)險提示：

系統(tǒng)性風(fēng)險：電子行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期