基于SOC應(yīng)用,,采用TSMC 0.18μm CMOS工藝,,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)低電壓、高增益的恒跨導(dǎo)軌到軌運(yùn)算放大器IP核,。
該運(yùn)放采用了一倍電流鏡跨導(dǎo)恒定方式和新型的共柵頻率補(bǔ)償技術(shù),,比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單高效。用Hspice對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真,,在1.8V電源電壓,、10pF負(fù)載電容條件下,其直流開(kāi)環(huán)增益達(dá)到103.5dB,,相位裕度為60.5度,,輸入級(jí)跨導(dǎo)最大偏差低于3%。
1引言
在SOC的模擬集成電路設(shè)計(jì)中,,使用簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能成為趨勢(shì),,SOC的設(shè)計(jì)核心是IP核設(shè)計(jì)。運(yùn)算放大器是模擬電路中最重要的電路單元之一,,廣泛應(yīng)用于如數(shù)/模,、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電容電路中[1-2]。隨著電源電壓的不斷降低,,為了提高動(dòng)態(tài)范圍,,軌到軌(Rail to Rail)設(shè)計(jì)變得十分重要。
通常采用互補(bǔ)差分對(duì)實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)共模電壓的Rail to Rail, 但其跨導(dǎo)在整個(gè)輸入范圍內(nèi)變化接近一倍[3],,這使得頻率補(bǔ)償變得很困難,,運(yùn)放穩(wěn)定性變差。Rail to Rail運(yùn)放通常需要兩個(gè)電容作為Miller補(bǔ)償以提供足夠的相位裕度[4],,這不僅會(huì)占用大量的面積,也限制了單位增益帶寬,。
從IP核的設(shè)計(jì)角度出發(fā),,本文所設(shè)計(jì)的運(yùn)放采用一倍電流鏡跨導(dǎo)控制電路恒定輸入級(jí)跨導(dǎo),這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,電路芯片面積小,,同時(shí)也不會(huì)增加輸入級(jí)的噪聲。輸出級(jí)采用AB類(lèi)推挽結(jié)構(gòu),,它能夠在低壓下實(shí)現(xiàn)全擺幅的輸出,,并且可以在保證低失真的情況下,得到較高的電源效率,。針對(duì)AB類(lèi)輸出級(jí)的特殊結(jié)構(gòu),,采用了一種新型的共柵頻率補(bǔ)償技術(shù)[5],可以消除右半平面低頻零點(diǎn),,而且只需要一個(gè)補(bǔ)償電容,,不僅提高了單位增益帶寬,,也節(jié)省了芯片面積。仿真結(jié)果表明,,該運(yùn)放能夠在1.8V的低電源電壓下穩(wěn)定工作,非常適合于低電壓SOC應(yīng)用,。
2電路結(jié)構(gòu)和原理
2.1 Rail to Rail輸入級(jí)及跨導(dǎo)控制
為了使運(yùn)放的共模輸入在整個(gè)電源范圍內(nèi)變化時(shí)電路都能正常工作,采用NMOS 管和PMOS管并聯(lián)的互補(bǔ)差分輸入對(duì)結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)的Rail to Rail,。根據(jù)輸入共模電壓的不同,,輸入級(jí)可分為三個(gè)工作區(qū)域[6]:當(dāng)共模輸入電壓接近VSS時(shí),僅PMOS輸入對(duì)導(dǎo)通,,輸入級(jí)跨導(dǎo)為 ,;當(dāng)共模輸入電壓接近VDD時(shí),僅NMOS輸入對(duì)導(dǎo)通,,跨導(dǎo)為 ,;當(dāng)共模輸入電壓處于中間值時(shí),p 溝和n 溝輸入對(duì)均導(dǎo)通,,跨導(dǎo)為:
由上式可知,,Rail-to-Rail 結(jié)構(gòu)的輸入級(jí)跨導(dǎo)會(huì)在整個(gè)共模輸入范圍內(nèi)變化將近一倍。若將其運(yùn)用于帶有反饋回路的運(yùn)放中,,其環(huán)路增益也變化近一倍,,必將引起失真的增大。當(dāng)輸入級(jí)跨導(dǎo)增大一倍,,則單位增益頻率增大一倍,,從而導(dǎo)致相位裕度減小,運(yùn)放穩(wěn)定性變差,,這也造成了頻率補(bǔ)償很難實(shí)現(xiàn),。所以必須將其改進(jìn)以恒定跨導(dǎo)。
本文設(shè)計(jì)的Rail-to-Rail 輸入級(jí)工作在弱反型區(qū),,MOS管總輸入跨導(dǎo)可由下式給出:
其中,, 是PMOS輸入對(duì)的尾電流, 是NMOS輸入對(duì)的尾電流,, 分別是PMOS和NMOS輸入對(duì)的弱反型斜率因子,。
由(2)式可知,工作在弱反型區(qū)的MOS管跨導(dǎo)與漏電流成正比,。所以可通過(guò)保持互補(bǔ)輸入對(duì)總的尾電流恒定來(lái)穩(wěn)定 ,。假設(shè)兩類(lèi)晶體管的弱反型斜率因子相同,要得到恒定的 ,,其總的尾電流應(yīng)滿足:
滿足上述要求的Rail-to-Rail 輸入級(jí)結(jié)構(gòu)如圖1所示,,由通過(guò)電流開(kāi)關(guān)M7和一倍電流鏡M5-M6來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入級(jí)的gm 控制。若共模輸入電壓較低,,電流源 偏置于PMOS輸入對(duì)M3-M4,,僅有PMOS輸入管對(duì)輸入信號(hào)有放大作用,。當(dāng)共模輸入電壓升高到(VDD-VB1)時(shí),電流開(kāi)關(guān)M7 就會(huì)分走 的部分電流,,并通過(guò)電流鏡M5-M6 將其注入到NMOS輸入對(duì)中,。因此,輸入對(duì)總的尾電流恒為 ,。若共模輸入電壓進(jìn)一步增大,,PMOS輸入對(duì)截止,電流開(kāi)關(guān)使得 通過(guò)電流鏡全部注入到NMOS輸入對(duì),。從而使 在整個(gè)共模輸入范圍內(nèi)保持恒定,。但由式(2)可知, 還與弱反型傾斜因子n有關(guān),。若NMOS與PMOS輸入對(duì)的弱反型斜率因子不等,,仍會(huì)引起 的變化,可通過(guò)改變電流鏡的增益系數(shù)來(lái)得到補(bǔ)償,。
由于電流開(kāi)關(guān)和電流鏡所占面積相對(duì)較小,,該 控制電路幾乎不會(huì)增加輸入管的尺寸大小,因此電路芯片面積小,、功耗低,,非常滿足IP核設(shè)計(jì)的要求。還有另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是不會(huì)增加輸入級(jí)的噪聲,,因?yàn)樵趃m控制電路中生成的噪聲夾雜在互補(bǔ)輸入對(duì)的尾電流中,,可認(rèn)為是共模信號(hào)。對(duì)Rail-to-Rail輸入級(jí)來(lái)說(shuō),,若輸入管匹配,,gm控制電路所產(chǎn)生的噪聲就可以忽略掉。
2.2 Rail-to-Rail輸出級(jí)及共柵補(bǔ)償技術(shù)
在Rail-to-Rail輸出級(jí)中,,AB 類(lèi)傳輸函數(shù)可通過(guò)保持輸出管柵極間電壓恒定來(lái)實(shí)現(xiàn),。采用帶有前饋AB類(lèi)控制的推挽輸出結(jié)構(gòu),它能夠在低壓下實(shí)現(xiàn)全擺幅的輸出,,并 且可以在保證低失真的情況下,得到較高的電源效率,。
用晶體管耦合直接前饋通路實(shí)現(xiàn)的AB 類(lèi)前饋式輸出級(jí)如圖2 所示,。M7、M8為Rail-to-Rail 輸出管,,M1,、M2 組成晶體管耦合的AB 類(lèi)控制電路。Iin1和Iin2為同相位的小信號(hào)電流源,。電路中的兩個(gè)回路M2-M7 和M1-M8控制輸出管的靜態(tài)電流,。當(dāng)一個(gè)輸出管電流非常大時(shí),,另一個(gè)輸出管能夠保持一個(gè)最小值,而不是截止為零,,避免了從截止到導(dǎo)通所需要的時(shí)間延遲,,也減少了交越失真。
通常Rail-to-Rail運(yùn)放是多級(jí)放大器,需要兩個(gè)(或兩個(gè)以上) 電容作為Miller 補(bǔ)償以提供足夠的相位裕度,,這不僅會(huì)占用大量的面積,也限制了單位增益帶寬,;而且多級(jí)放大器作為輸出緩沖器時(shí),電路的穩(wěn)定性還容易隨負(fù)載電容大小的變化而改變,產(chǎn)生震蕩,。Miller補(bǔ)償要求在M23 和M24 柵漏兩端分別接入兩個(gè)補(bǔ)償電容,,其輸出極點(diǎn)可簡(jiǎn)單的表示為(假設(shè)gm7等于gm8, CL 是負(fù)載電容) :
由于電容的前饋通路,Miller 補(bǔ)償引入了一個(gè)右半平面零點(diǎn)zc,該零點(diǎn)減小了相位裕度,同時(shí)也限制了單位增益帶寬,。
如圖2所示,,針對(duì)特殊的AB類(lèi)輸出級(jí),采用M9,,M10和電容CC組成的共柵頻率補(bǔ)償結(jié)構(gòu),,可以阻止通過(guò)電容的前饋電流,并將右半平面零點(diǎn)移至高頻,,同時(shí)也減少了一個(gè)補(bǔ)償電容,,節(jié)省了芯片面積。假設(shè)只考慮晶體管M8 所構(gòu)成的NMOS 共源輸出級(jí),,通過(guò)小信號(hào)分析可以得到,,該電路引入了一個(gè)位于左半平面的零點(diǎn):
整個(gè)放大器主極點(diǎn)可以近似等于:
其中Rout1為第一級(jí)放大電路的輸出電阻,RL為負(fù)載電阻,,對(duì)于較大的RL ,,輸出極點(diǎn)可以近似為:
從式中看出,輸出極點(diǎn)增大了約gm10Rout1倍,,增加M10 (和M9) 的跨導(dǎo)還可將此極點(diǎn)移至高頻,,因此采用較小CC就能實(shí)現(xiàn)頻率補(bǔ)償,獲得較高的單位增益帶寬,。但是,,增加gm9, gm10將會(huì)導(dǎo)致M9 和M10 的漏電流增加,從而減少流經(jīng)M1 和M2 的電流,,進(jìn)一步減小M1和M2的源漏端的飽和壓降Vdsat,,而流經(jīng)M7和M8的電流將增加,輸出阻抗減小,,最終導(dǎo)致放大器開(kāi)環(huán)增益的降低,。此外,增大gm9 , gm10還會(huì)增加等效的輸入噪聲和放大器的功耗。因此M9,、M10的設(shè)計(jì)只需使得兩個(gè)極點(diǎn)分離足以滿足穩(wěn)定性所需的相位裕度即可,。流經(jīng)M9 和M10 的漏電流總是相等,M9和M10的引入并不會(huì)影響放大器總體的失配,;同時(shí)(7)式也說(shuō)明采用較小的補(bǔ)償電容CC 還可以減少負(fù)載電容CL 的增加對(duì)電路頻率特性的影響,。
3整體電路實(shí)現(xiàn)與仿真
綜上所述,電路的整體實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)如圖3所示,,由晶體管M18-M22構(gòu)成的電流鏡和由M28-M31構(gòu)成的電流鏡為整個(gè)電路提供偏置電流,。為了減小輸入失調(diào),盡量增大輸入晶體管面積,,減小其有效柵源電壓,,同時(shí)盡可能減小電流鏡和電流源的寬長(zhǎng)比。通過(guò)減小電流開(kāi)關(guān)M15的寬長(zhǎng)比將失調(diào)變化擴(kuò)展到整個(gè)共模輸入范圍,,可以增加共模抑制比,。
電路采用TSMC 0.18μm 1P6M CMOS數(shù)模混合工藝,,基于BSIM3V3 Spice模型,,10pF電容負(fù)載的條件下,用Hspice對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真,,電源電壓為1.8V,,偏置電壓為0.8V。
輸入級(jí)跨導(dǎo)隨輸入共模電壓變化的結(jié)果如圖4所示,,可以看出,,輸入級(jí)跨導(dǎo)大約為290μS,在整個(gè)輸入共模電壓范圍內(nèi)只變化3%,,基本保持恒定,。在0~0.4V,PMOS差分輸入對(duì)導(dǎo)通,,NMOS差分輸入對(duì)截止,,輸入級(jí)跨導(dǎo)為PMOS輸入對(duì)的跨導(dǎo);在0.9~1.8V,,輸入級(jí)跨導(dǎo)為NMOS輸入對(duì)的跨導(dǎo),;在0.4~0.9V,PMOS和NMOS差分輸入對(duì)同時(shí)導(dǎo)通,,電流開(kāi)關(guān)抽取電流會(huì)引起跨導(dǎo)變化,,主要是由NMOS和PMOS差分輸入對(duì)的寬長(zhǎng)比以及弱反型斜率因子的不同引起的。
該運(yùn)放的頻率特性如圖5所示,,整個(gè)電路的直流開(kāi)環(huán)增益為103.5dB,相位裕度為60.5度,單位增益帶寬為18.9MHz。相比之下,,采用傳統(tǒng)miller補(bǔ)償其帶寬只有9.5MHz,。
整個(gè)放大器的設(shè)計(jì)結(jié)果如下表所示,運(yùn)算放大器的整體性能較好,,并且能夠在1.8V低電壓下工作,,功耗低,芯片面積也大大節(jié)省,。
4結(jié)束語(yǔ)
隨著電源電壓的降低以及芯片集成度的增加, 以IP核形式的Rail to Rail運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)較有優(yōu)勢(shì),,它可以節(jié)省成本和縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期。本文基于0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)恒跨導(dǎo)Rail to Rail運(yùn)算放大器,,整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊,,功耗低,非常適合做成SOC的IP核,。
本文作者創(chuàng)新點(diǎn):
?。?) 從IP核的角度進(jìn)行運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì),使其更具有應(yīng)用價(jià)值,。
?。?) 采用一倍電流鏡方式進(jìn)行跨導(dǎo)控制,和新型的共柵頻率補(bǔ)償技術(shù),,使整個(gè)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊,,適合與其它電路模塊集成應(yīng)用于SOC。
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