時至今日,，相信已經(jīng)沒有任何人能否認Xilinx在FPGA領(lǐng)域的霸主地位,。尤其是近年來,，Xilinx通過不斷創(chuàng)新,，大幅提高系統(tǒng)級性能,，降低功耗,，節(jié)約物料成本,，在28nm 和 20nm 持續(xù)領(lǐng)先,，為客戶提供領(lǐng)先競爭對手一代的價值,。
2015年2月23日，Xilinx宣布推出全新的16nm UltraScale+系列FPGA,、3D IC和MPSoC系列,，包括Kintex UltraScale+ FPGA、Virtex UltraScale+ FPGA及3D IC系列,，以及包含了業(yè)界首款全可編程MPSoC的Zynq UltraScale+系列,。這些新的器件進一步擴展了Xilinx的UltraScale產(chǎn)品系列。
Xilinx全球高級副總裁,、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人先生表示：“包處理與傳輸,、無線、視頻與音頻,、云和數(shù)據(jù)中心,、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)是我們關(guān)注的應(yīng)用市場。這些應(yīng)用場景對期間提出了三點嚴苛的要求,。即性能與功耗的可擴展性,、系統(tǒng)集成與智能化,，以及保密性和安全性。在我們的16nm器件研發(fā)過程中,，這三點是必須要考慮的,。”
Xilinx全球高級副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人
憑借新型存儲器,、3D-on-3D和多處理SoC（MPSoC）技術(shù),，16nm UltraScale+系列再次實現(xiàn)了領(lǐng)先一代的價值優(yōu)勢。
UltraRAM：最新的存儲技術(shù)
以往,，如果某個應(yīng)用對存儲器的容量要求較高,，設(shè)計中往往會加入外部存儲器。但同時不可避免的會出現(xiàn)性能降低,、功耗提高的情況,。UltraRAM的出現(xiàn)填補可這片空白。在器件內(nèi)部,，存儲器最高容量可達432Mb,，滿足深度數(shù)據(jù)包緩沖、視頻緩沖的要求,，可以應(yīng)用在4K/8K數(shù)字電視等視頻應(yīng)用場合,。
SmartConnect：智能互聯(lián)
16nm UltraScale+系列采用了一項全新的基于工具的互聯(lián)優(yōu)化技術(shù)——SmartConnect。這項技術(shù)能夠根據(jù)特定設(shè)計的吞吐量,、時延和面積要求自動優(yōu)化互聯(lián),，可將系統(tǒng)性能功耗比提升20%，從而解決系統(tǒng)級IP互聯(lián)瓶頸,。
3D-on-3D:行業(yè)首創(chuàng)
Xilinx首次在第三代3D IC上集成了3D晶體管,，相比于平面晶體管，3D晶體管的性能功耗比呈非線性提升,。湯立人表示：“3D-on-3D帶來的不僅僅是性能功耗比的提升,，它同時實現(xiàn)了集成度和成本的突破。單芯片的集成度是非常有限的,，采用3D封裝,，集成度會提高很高。就成本來說,，做一個完整的芯片和分成三個芯片做,，其成本相差非常大。”
MPSoC：異構(gòu)多處理技術(shù)
“前一代Zynq期間集成了兩個ARM核,，不能完全滿足客戶需求,。全新的Zynq UltraScale MPSoC實現(xiàn)了前所未有的異構(gòu)多處理能力，我們?yōu)楹线m的任務(wù)提供合適的引擎,。例如針對視頻編解碼,，提供了ARM Mail-400MP專用圖形處理器,；針對4K/8K應(yīng)用，提供了H.265視頻編解碼器單元等,。” 湯立人分析到：“這些新期間相比此前解決方案可將系統(tǒng)級性能功耗比提升約5倍,。”
TMSC：領(lǐng)先的工藝
Xilinx和全球首屈一指的服務(wù)代工廠臺積公司保持緊密合作，新一代的UltraScale+系列采用了臺積公司的16FF+ FinFET 3D晶體管技術(shù),，大幅提升了器件的性能功耗比,。通過系統(tǒng)級的優(yōu)化，UltraScale+提供的價值遠遠超過了傳統(tǒng)工藝節(jié)點移植所帶來的價值,。
通過部署上述所有領(lǐng)先技術(shù),，Xilinx的16nm FinFET FPGA和MPSoC可以提供領(lǐng)先一代的價值優(yōu)勢。其性能功耗比提高了2~5倍,，同時實現(xiàn)了系統(tǒng)集成和智能化的巨大飛躍,，以及客戶所需要的最高級別的保密性和安全性。憑借這些產(chǎn)品組合,，Xilinx將在LTE-Advanced,、早期5G無線、Tb級有線通信,、ADAS系統(tǒng)以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場進一步鞏固其市場領(lǐng)先地位,。