英飛凌和松下日前簽署一項合作,，聯(lián)合開發(fā)GaN器件,，該產(chǎn)品是基于松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
日前,，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片,，采用DSO封裝,。
作為下一代重要的半導(dǎo)體技術(shù),，GaN越來越受到重視,，主要特點是具備高功率密度小尺寸的特點,，另一點則是提高能源效率的一大關(guān)鍵。
一般來說,，基于硅上GaN技術(shù)的電力設(shè)備可用于廣泛的領(lǐng)域，從高電壓的工業(yè)應(yīng)用,，如服務(wù)器電源到DC-DC轉(zhuǎn)換的低電壓應(yīng)用等,。
IHS預(yù)測，GaN功率器件相關(guān)市場年復(fù)合增長率將超過50%,，從如今的1500萬美元至2023年的8億美元,。
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