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南亞科,、東芝結(jié)盟案傳破局 三星陣營松口氣

2015-03-12

       存儲器產(chǎn)業(yè)掀起策略聯(lián)盟風(fēng)潮,僅有NAND Flash產(chǎn)品線的東芝(Toshiba)一直尋找DRAM策略聯(lián)盟伙伴,,其與臺廠南亞科洽談合作案逾1季,,近期傳出破局,,南亞科將回頭向母公司臺塑集團(tuán)尋求財務(wù)支援,,希望能獲得資金轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程技術(shù),,臺塑則看好DRAM市場,,傳將支援南亞科將部分12吋晶圓廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)至20納米制程,。

  全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics),、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)都手握DRAM和NAND Flash兩大關(guān)鍵零組件產(chǎn)品線,全球存儲器大廠只有東芝產(chǎn)品線略顯單薄,,僅握有NAND Flash芯片產(chǎn)品線,,遂自2014年下半起與南亞科洽談策略聯(lián)盟案,希望能結(jié)合南亞科旗下DRAM技術(shù)發(fā)展多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品,。

  不過,,由于南亞科旗下12吋廠6萬片產(chǎn)能若全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程技術(shù),至少需投資新臺幣500億~600億元,,業(yè)界傳出南亞科向東芝提出10億美元的策略聯(lián)盟入股計劃,,但東芝認(rèn)為投資額太大,加上配套條件談不攏,,使得策略聯(lián)盟計劃破局,。

  半導(dǎo)體業(yè)者表示,DRAM和NAND Flash產(chǎn)品應(yīng)用及景氣循環(huán)步調(diào)不同,,擁有雙產(chǎn)品線比較可以避開單一產(chǎn)品景氣波動,,并可發(fā)揮相互加乘效應(yīng),進(jìn)軍更大應(yīng)用市場,,目前東芝在NAND Flash市場實力深厚,,東芝與南亞科策略聯(lián)盟傳出破局,對于三星陣營而言可說是松了一口氣,。

   半導(dǎo)體業(yè)者透露,,東芝作風(fēng)一向保守,當(dāng)初南亞科提出與東芝策略聯(lián)盟計劃時,,業(yè)界即保守估計此案成局機(jī)率僅5成,。不過,南亞科若能與東芝策略聯(lián)盟,,不僅可 讓雙方DRAM,、NAND Flash及MCP芯片等產(chǎn)品線互補(bǔ)及拉長戰(zhàn)線,未來可能擴(kuò)大至新世代存儲器MRAM芯片合作,。

  南亞科過去曾與美光合作開發(fā)20納米制程技術(shù),,后來南亞科因為營運轉(zhuǎn)型而放棄研發(fā),但美光仍讓南亞科保留技術(shù)授權(quán)機(jī)會,,然有時間限制,,目前南亞科仍希望能轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程,可能轉(zhuǎn)而向臺塑集團(tuán)尋求資金奧援,,或是另尋其他合作伙伴,,分散臺塑的投資風(fēng)險,。

  根據(jù)南亞科規(guī)劃,目前12吋廠礙于資金限制,,僅部分產(chǎn)能將轉(zhuǎn)進(jìn)到20納米制程,,由于其他陣營存儲器大廠包括三星、海力士都已轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程,,2015年將陸續(xù)量產(chǎn),,恐帶給DRAM市場不小的價格壓力。

  至于NAND Flash產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入1x納米制程世代,,目前TLC型NAND Flash芯片已成為業(yè)界主流,,包括三星、東芝等大廠都積極將TLC芯片導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)應(yīng)用,,使得SSD及智能型手機(jī)躍居NAND Flash芯片最主要應(yīng)用領(lǐng)域,。


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