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4G芯片 聯(lián)發(fā)科 直搗高通大本營

2015-03-18
關(guān)鍵詞: 聯(lián)發(fā)科 T-Mobile VoLTE 4G

       聯(lián)發(fā)科全力沖刺4G,,3月起開始直搗高通大本營!在獲得美國電信營運商T-Mobile認證后,聯(lián)發(fā)科具備最新VoLTE技術(shù)的高階4G晶片,,將開始配合客戶出貨至美國,,由于4G中高階晶片出擊有成,,聯(lián)發(fā)科今年首季業(yè)績可望達陣。

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  聯(lián)發(fā)科今年手機晶片出貨量預(yù)估

  聯(lián)發(fā)科4G晶片一再受到競爭對手攻擊,,指出其高階技術(shù)落后,,并被質(zhì)疑出貨至美國的可能性。據(jù)了解,,聯(lián)發(fā)科不但自本月起出貨至美國,,一向被客戶視 為與高通最大的4G-LTE技術(shù)的載波聚合(Category,簡稱Cat)規(guī)格落差,,也將在第3季推出Cat 6,,直接跳過高通目前主攻的Cat 9、挺進次世代的Cat 10,,與高通在高階市場齊頭較勁,。

  聯(lián)發(fā)科4G的布局在取得中國三大電信營運商,包括中國移動,、中國聯(lián)通,、中國電信的測試認證后,亦已取得歐洲兩大電信營運商Vodafone,、Orange兩大電信營運商的測試認證,。

  此外,最新取得的美國電信4G測試認證,,將自本月從T-Mobile開始出貨,,由于聯(lián)發(fā)科今年4G晶片不但在中國大陸市占率擴大,也將跨出中國 市場,,在上半年即可進軍歐,、美市場,,聯(lián)發(fā)科在4G中高階晶片卡位成功,也將帶動4G晶片的營收占智慧型手機晶片比重,,將在今年首季突破20%,、在第2季突 破30%,遠優(yōu)于去年第4季15%至20%的表現(xiàn),。

  據(jù)了解,,由于聯(lián)發(fā)科大客戶聯(lián)想在取得Motorola之后,聯(lián)發(fā)科進軍美國市場企圖心強烈,,因此投資高階技術(shù)研發(fā),不但完成整合威睿的技術(shù),,將 推出6模晶片,,也快速將VoLTE技術(shù)導(dǎo)入,并在載波聚合的技術(shù)延伸快速追上高通,,因此在美國電信營運商的4G測試認證,,除了T-Mobile外,也將在 今年底取得Verizon的4G測試認證,,并有信心在明年上半年取得Sprint及AT&T的測試認證,。

  法人預(yù)估,聯(lián)發(fā)科4G晶片成功進軍歐,、美市場,,且大陸市場將自第2季開始出貨給中國電信規(guī)格的產(chǎn)品,預(yù)期3月營運開始跳升,,并可達成第一季營收季減10至18%的財測目標(biāo),,第2季智慧型手機晶片出貨量則會較首季成長逾2成。


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