《電子技術(shù)應(yīng)用》
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日本欲借節(jié)能半導體奪回主導權(quán)

2015-03-25
關(guān)鍵詞: CIES STT-MRAM 磁性隧道結(jié)

       日本東北大學國際集成電子研究開發(fā)中心 (CIES:Center for Innovative Integrated Electronic Systems)于2015年3月19~20日 在東京召開了第一屆成果報告會“1st CIES Technology Forum”,。此次會議為期兩天,,共有近500人參加,。雖然是大學主辦的會議,, 但據(jù)介紹,來自產(chǎn)業(yè)界的聽眾比學術(shù)界的還要多,。

  CIES設(shè)立于2012年10月,,座落在日本東北大學青葉山新校區(qū)內(nèi),是研究自旋電子等電力電子技術(shù)的研發(fā)基地,。2013年4月竣工的研究樓里配備了支持300mm晶圓的工藝生產(chǎn)線及測評分析設(shè)備,。在新一代半導體技術(shù)方面擁有如此完善的開發(fā)環(huán)境的大學研究基地在全球也是很少見的。

   CIES聘請了很多在產(chǎn)業(yè)界擁有豐富經(jīng)驗的技術(shù)人員來擔任研究人員和教師,,所長遠藤哲郎就是原東芝的存儲器技術(shù)人員,。該研發(fā)中心還積極與產(chǎn)業(yè)界合作,正 在與東電電子等進行聯(lián)合研究,。通過這些努力,,CIES最近實現(xiàn)了STT-MRAM(自旋注入磁化反轉(zhuǎn)型MRAM)用測量系統(tǒng)的產(chǎn)品化。該中心的聯(lián)合研究合 作伙伴之一——知名半導體測量裝置企業(yè)是德科技日本公司已于2015年3月17日宣布,,將于2016年初推出該系統(tǒng),。

  將材料與元器件方面的技術(shù)經(jīng)驗應(yīng)用于300mm晶圓

  此次的會議是CIES的首場成果報告會。第一天的會議內(nèi)容具有濃厚的國際論壇色彩,,英特爾及高通等公司紛紛登臺,,以STT-MRAM為主題發(fā)表了演講。第二天則是對CIES的7個研究項目(Consortium Programme)進行了進度報告等,。

  在會議首日的主題演講上登臺的其中一位是作為日本半導體自 旋電子領(lǐng)域“第一人”而為人所知的CIES研究成員,、日本東北大學電氣通信研究所教授大野英男,他演講的題目是 “Spintronics Devices for Integrated Circuits-An Overview-”。他圍繞自旋電子基本元件—— 磁性隧道結(jié)(MTJ)元件,,介紹了旨在實現(xiàn)高穩(wěn)定性垂直磁化的材料和元器件技術(shù),。

  大野教授是日本東北大學節(jié)能自旋電子學集成化中心 (CSIS:Center for Spintronics Integrated Systems)的核心研究人員。他介紹說,,CSIS此前一直在進行 3英寸(75mm)晶圓方面的研究,,“今后打算把我們已獲得的材料技術(shù)等經(jīng)驗,應(yīng)用到支持300mm晶圓,、而且與產(chǎn)業(yè)界親和性較高的CIES里”,。


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