高溫及長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司推出第二代 HADES? ，一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品,。 HADES? 旨在面向基于快速開(kāi)關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管,、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器,、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和致動(dòng)器應(yīng)用。 憑借 CISSOID 產(chǎn)品無(wú)與倫比的耐用性,，柵極驅(qū)動(dòng)器 HADES? 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)更高可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命,，從而滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)航空、汽車(chē),、工業(yè),、石油和天然氣市場(chǎng)的應(yīng)用需求。

    HADES? 包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種,，前者可以在溫度最高達(dá) 225°C 的極端溫度應(yīng)用中使用,，后者適用于溫度不超過(guò) 175°C 但側(cè)重點(diǎn)是需要延長(zhǎng)使用壽命的系統(tǒng)。

    HADES? v2 柵極驅(qū)動(dòng)器包括在隔離式高壓半橋中驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)柵極所需的所有功能,。完整的解決方案經(jīng)過(guò)高度集成并采用緊湊封裝,，能夠使快速開(kāi)關(guān)碳化硅功率晶體管發(fā)揮所有優(yōu)勢(shì)。

    芯片組采用三個(gè)集成電路：位于一主側(cè)的 HADES2P,，另一輔側(cè)的 HADES2S 及最近推出的四-二極管 ELARA,。主側(cè)和輔側(cè)芯片均采用陶瓷 QFP 32 針腳或塑料 QFP 44 針腳封裝。

    主側(cè)芯片 (HADES2P) 將 0.8 歐姆 - 80V集成開(kāi)關(guān),、可配置非重疊及欠壓鎖定 (UVLO) 故障管理功能嵌入電流型返馳控制器中,。還包括一個(gè)四通道隔離信號(hào)收發(fā)器 (2 個(gè) Tx 和 2 個(gè) Rx)，用于 PWM 和故障信號(hào)從輔側(cè)通過(guò)微小脈沖變壓器往來(lái)傳輸,。

    這兩個(gè)輔側(cè)芯片 (HADES2S)（一個(gè)用于高位,，一個(gè)用于低位）包括一個(gè) 12A 驅(qū)動(dòng)器、UVLO,、退飽和及超溫保護(hù) (OTP) 故障檢測(cè)電路以及一個(gè)雙通道隔離式信號(hào)收發(fā)器,。 

    還包括一個(gè)評(píng)估套件 (EVK-HADES2)，該套件展示置于 HADES v2 柵極驅(qū)動(dòng)器上的半橋及兩個(gè) CISSOID 的 NEPTUNE（10A/1200V SiC Mosfet）,。 該套件包括一個(gè)帶有該半橋及完整文檔的演示板,。該演示板的尺寸僅為 60mm x 55mm (2.4” x 2.2”)。HADES? v2 能夠驅(qū)動(dòng)更高功率及其他類(lèi)型的開(kāi)關(guān),，包括 IGBT 和傳統(tǒng) MOSFETS,。 在不久的將來(lái)預(yù)期將支持驅(qū)動(dòng) GaN 晶體管。

    HADES? v2 憑借熱耐用性使得設(shè)計(jì)師能夠自由地將柵極驅(qū)動(dòng)器置于功率晶體管旁,，從而最大限度地減少寄生電感并實(shí)現(xiàn)快速切換,，同時(shí)降低切換損失。切換損失越低，操作頻率越高,，電容器和磁組件的尺寸和重量也顯著減少,。此外，操作溫度越高,，冷卻需求越低,，因而系統(tǒng)的尺寸和重量也越小。 

    HADES? v2 芯片組經(jīng)優(yōu)化設(shè)計(jì),，可最大限度減少有源和無(wú)源組件的數(shù)量和尺寸,，因而可實(shí)現(xiàn)將其集成在智能功率模塊 (IPM) 內(nèi)部（當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器位于功率開(kāi)關(guān)旁）。 HADES? 集成到 IPM 中將進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換器的功率密度,，確保在高溫條件下實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的可靠運(yùn)行：在 100 ~ 175°C 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常長(zhǎng)的使用壽命（幾十年）,，或在極端溫度 (175°C~225°C) 應(yīng)用中運(yùn)行數(shù)千小時(shí)。

    CISSOID 的首席執(zhí)行官 Tony Denayer 先生解釋道： “ HADES? v2 是與系統(tǒng)制造商以及來(lái)自各行各業(yè)已采用各種電源轉(zhuǎn)換器的終端用戶經(jīng) 3 年精誠(chéng)合作的結(jié)晶：其中包括適用于工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,、面向鐵路的輔助轉(zhuǎn)換器,、航空發(fā)電機(jī)或 HEV/EV 汽車(chē)電池充電器。 我們匯集了參與第一版本 HADESò 研發(fā)工作的專家的反饋意見(jiàn),，該 HADESò 是第一版本專用于碳化硅 (SiC) 快速開(kāi)關(guān)功率組件的隔離式柵驅(qū)動(dòng)器解決方案,，是于 2011 年發(fā)布的。

    HADES? v2 實(shí)現(xiàn)了高度集成,，融合了 CISSOID 解決方案在過(guò)去 15 年所展現(xiàn)的耐用性,，也反映了系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在性能、功能,、可靠性及成本等方面的要求,。 它不僅適用于惡劣環(huán)境，而且對(duì)于環(huán)境溫度不超過(guò) 100°C 但關(guān)鍵因素是壽命和維護(hù)成本的大規(guī)模,、成本敏感的應(yīng)用,，也非常適合。 

    總之,，HADES? v2 開(kāi)啟了面向真正高密度功率轉(zhuǎn)換器的大門(mén),。 我們?cè)S多客戶都迫不及待地等著它的推出。 我們非常自豪地將這款獨(dú)一無(wú)二的突破性技術(shù)推上市場(chǎng),?！?/p>

    HADES? v2 數(shù)據(jù)表可按下列方式從 CISSOID 網(wǎng)站獲取：http://www.cissoid.com/high-temperature-electronics/ht-standard-products/hades%AE-v2%2c-high-temperature-isolated-gate-driver-for-high-density-power-converters-chipset.html.氣密性陶瓷芯片組可立即交貨,。 塑料芯片組現(xiàn)可訂購(gòu),，樣品可于 2015 年 6 月交貨。評(píng)估套件現(xiàn)售 (p/n: EVK-TIT2785A-T) 3,300 歐元,。

    如欲了解更多信息,，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) www.cissoid.com 或通過(guò) www.cissoid.com/company/about-us/contacts.html 聯(lián)系公司的代表,。