力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,，更瞄準物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲器(eFlash),、ARM架構(gòu)處理器芯片和通訊技術(shù)成為SoC整合型芯片，預計下半年出貨,，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,。

       力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對力晶而言只是眾多布局的一小塊,，除了繼續(xù)替臺系IC設(shè)計公司晶豪,、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片,，以及協(xié)助存儲器模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM芯片外,，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。

       有別于一般晶圓代工廠只專注于生產(chǎn)制造而不涉及設(shè)計,，力晶比較像是整合元件廠(IDM),，同時有設(shè)計和制造兩個部分，旗下包括面板驅(qū)動芯片,、電源管理芯片,、影像感測器(CIS)、NFC芯片,、車用存儲器,、物聯(lián)網(wǎng)芯片等，可為客戶量身訂作客制化芯片,，也可以直接提供整合型芯片給客戶采購,。 

       迎接物聯(lián)網(wǎng)時代，臺積電,、聯(lián)電,、中芯國際半導體等陸續(xù)揭橥布局計劃，從打造技術(shù)平臺,、制程完整度,，到扮演伯樂物色具有潛力的新創(chuàng)公司都是目標。力晶也是默默鴨子滑水,，集結(jié)旗下制程平臺的技術(shù)優(yōu)勢,，為物聯(lián)網(wǎng)打造專用的iRAM芯片，成果有機會在2015年浮上臺面,。

       所謂的iRAM芯片,，是集合物聯(lián)網(wǎng)所需要的三大技術(shù)優(yōu)勢，分別為低功耗的ARM架構(gòu)處理器芯片,、嵌入式快閃存儲器(eFlash),，以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通訊芯片，將這三種技術(shù)做成一顆整合型芯片,，目前研發(fā)進度順利,，傳出下半年會進入量產(chǎn),。

       物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)芯片極重視低功耗，因此采用ARM架構(gòu)處理器芯片,，臺積電,、聯(lián)電、中芯國際等也打造超低功耗制程平臺(Ultra-Low Power Platform),，但屬于特殊制程的eFlash技術(shù)的重要性,，在物聯(lián)網(wǎng)時代，其實不亞于低功耗扮演的角色,。

       半導體業(yè)者分析,，多數(shù)半導體晶圓代工廠在eFlash技術(shù)上都不夠扎實，尤其是新崛起的大陸半導體廠eFlash技術(shù)實力都不夠,，即使是授權(quán)自SST等IP業(yè)者以快速取得eFlash技術(shù),，也可能因為量產(chǎn)的晶圓片數(shù)不夠面臨技術(shù)瓶頸，未來需要更多的量產(chǎn)經(jīng)驗來證明技術(shù)的可行性,。

       力晶因為一直有NAND Flash芯片產(chǎn)品,，因此在整合eFlash技術(shù)上已經(jīng)有一定的基礎(chǔ)，在進入此技術(shù)領(lǐng)域上相當順利,。

       力晶靠著從存儲器廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,，2014年獲利超過新臺幣100億元，2015年獲利達新臺幣120億~130億元,，2016年預計也將獲利超過百億元,，創(chuàng)下獲利連續(xù)3年超過百億元的紀錄，日前向銀行團籌組新臺幣150億元的貸款,，借此終結(jié)長期紓困。 

       DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走向穩(wěn)定期,，價格起伏有限,，經(jīng)歷近期價格修正后，下半年DRAM價格會逐漸趨于穩(wěn)定,，尤其2015年預計有三星電子(Samsung Electronics)Galaxy S6和蘋果(Apple)的iPhone 6S系列新機問世,，將會轉(zhuǎn)用3GB和2GB的Mobile DRAM芯片，也帶動許多標準型DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)到Mobile DRAM芯片上,，帶動標準型DRAM芯片跌勢趨緩,。

       另外，力晶的NAND Flash芯片持續(xù)出貨,，臺系存儲器廠陸

       續(xù)切入低容量的NAND Flash領(lǐng)域,，力晶和華邦、旺宏三家臺廠成為臺灣NAND Flash芯片三劍客,，力晶也提供NAND Flash芯片給客戶做成MCP芯片,，主打智能型手機市場,。