《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Peregrine 半導(dǎo)體公司推出40 GHz射頻SOI開關(guān)

UltraCMOS® PE42524樹立了射頻 SOI開關(guān)在高頻性能方面的新標(biāo)準(zhǔn), 比起現(xiàn)有的GaAs解決方案,在可靠性和性能方面具有優(yōu)勢(shì)
2015-04-20

       美國(guó)圣地亞哥──Peregrine半導(dǎo)體公司射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人,,先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū),現(xiàn)在推出UltraCMOS? PE42524,這是行業(yè)中第一個(gè)工作頻率高達(dá)40 GHz 的射頻 SOI開關(guān)。這種開關(guān)引人注目地把Peregrine的高頻產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到先前以砷化鎵(GaAs)技術(shù)為主的頻率,。作為GaAs以外的另一種解決方案,PE42524的可靠性高,,在線性度,、隔離性能、過渡過程時(shí)間和靜電放電(ESD)保護(hù)性能等方面具有優(yōu)勢(shì),。由于這種開關(guān)具有這些特性,,是用于測(cè)試和測(cè)量、微波回程,、雷達(dá)和軍事通信設(shè)備的理想開關(guān),。

       “隨著我們把高頻產(chǎn)品進(jìn)一步延伸到微波頻率,Peregrine證明了射頻 SOI技術(shù)的能力和優(yōu)勢(shì),?!?nbsp;Peregrine半導(dǎo)體高級(jí)營(yíng)銷經(jīng)理Kinana Hussain說?!拔覀兊腢ltraCMOS技術(shù)促成了我們的高頻元件,,例如PE42524,,達(dá)到以前人們認(rèn)為射頻SOI不可能達(dá)到的性能水平,。Peregrine的產(chǎn)品發(fā)展路線圖包括其他高頻元件,已經(jīng)并將繼續(xù)在射頻 SOI方面樹立新的標(biāo)準(zhǔn),。"

       Peregrine的高頻開關(guān)產(chǎn)品,,其中包括13 GHz、18 GHz,、26.5 GHz和現(xiàn)在40 GHz產(chǎn)品,,是用Peregrine公司的UltraCMOS技術(shù)制造的。UltraCMOS技術(shù)是SOI技術(shù)在藍(lán)寶石基片上實(shí)現(xiàn)的專利技術(shù),。對(duì)于高頻設(shè)計(jì),,藍(lán)寶石基片具有十分重要的若干關(guān)鍵性好處。藍(lán)寶石的損耗角正切優(yōu)于CMOS十倍,,優(yōu)于砷化鎵三倍,。藍(lán)寶石是電阻率超高的基片,它的隔離度高,,而且寄生電容最小,。藍(lán)寶石基片根除了硅基片常見的許多耦合方面的影響,因而為射頻系統(tǒng)工程師帶來非凡的線性度和功率處理性能,。

特性,、包裝,、價(jià)格和供貨

       Peregrine的PE42524是單刀雙擲(SPDT)射頻開關(guān)裸片,它的頻率范圍寬,,從10 MHz至40 GHz,。它的端口與端口之間的隔離性能極好,插入損耗低,,線性度優(yōu)異,。在30 GHz時(shí),開關(guān)的隔離性能是47分貝,,插入損失為2.2分貝,,在13.5 GHz時(shí)的IIP3為50 dBm。PE42524的開關(guān)時(shí)間為225納秒,,過渡過程時(shí)間很短,,為840納秒,所有引腳的人體放電模型(HBM)靜電放電保護(hù)電壓高達(dá)2000伏,。和砷化鎵的解決辦法不同,,對(duì)于PE42524,在射頻端口,,如果沒有直流電壓,,不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供,,它的凸塊間距為500微米,,從而根除了由于邦定線長(zhǎng)度變化而引起的性能變化。

樣品,、評(píng)估工具和量產(chǎn)件現(xiàn)在已經(jīng)上市,。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),訂購(gòu)數(shù)量為1千片時(shí)的價(jià)格是每個(gè)40美元,,訂購(gòu)數(shù)量為5千片時(shí)的價(jià)格是32.44美元,。

特性

UltraCMOS? PE42524

配置

單刀雙擲(SPDT)

頻率范圍

10 MHz至40 GHz

隔離性能好

· 48 dB (在 26.5 GHz時(shí))

· 39 dB (在 35 GHz時(shí))

33 dB (在 40 GHz時(shí))

線性度好

IIP3 為50 dBm (在13.5GHz時(shí))

輸入的 1dB壓縮點(diǎn)

· 31.5 dB (在 26.5 GHz時(shí))

28 dB (在35 GHz時(shí))


插入損耗小

· 1.8 dB (在 26.5 GHz時(shí))

3.1 dB (在35 GHz時(shí))

靜電放電(ESD)保護(hù)額定電壓高

2000V(人體放電模型,所有引腳)

開關(guān)時(shí)間


225 ns

過渡過程時(shí)間

封裝

840 ns

倒裝片裸片


Peregrine半導(dǎo)體公司簡(jiǎn)介 
       Peregrine導(dǎo)體公司Murata公司的一員,,SOI絕緣體上硅)技術(shù)創(chuàng)始人,,是提供高性能射頻集成解決方案的領(lǐng)的無晶圓廠應(yīng)商。自1988以來,,Peregrine和它的創(chuàng)團(tuán)隊(duì)一直在完善UltraCMOS?術(shù)──這是SOI方面擁有專利權(quán)的先進(jìn)技術(shù),, 提供解決射場(chǎng)的最大挑戰(zhàn)所需要的性能性度,。由于Peregrine半導(dǎo)體提供的產(chǎn)片集成方案,,具有最好的性能,寬帶,、業(yè),、聯(lián)網(wǎng)、工,、移動(dòng)設(shè)備,、智能手機(jī)、空間技術(shù),、測(cè)試測(cè)設(shè)備和無線等場(chǎng)的領(lǐng)先公司完全可選擇,。Peregrine有超180項(xiàng)利和正在審批專利,已經(jīng)向市場(chǎng)提供二個(gè)UltraCMOS,。欲了解更多信息,,請(qǐng)?jiān)L問http://www.psemi.com


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