討論到eMMC的發(fā)展歷程,，必須要從介紹Flash的歷史開始
Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash,，兩者均為非易失性閃存模塊。
1988年,，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面,。NOR類似于DRAM, 以存儲程序代碼為主,，可以讓微處理器直接讀取,。因?yàn)樽x取速度較快,，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中，如手機(jī),。
1989年,，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級,。因?yàn)镹AND flash的晶片容量相對于NOR大，更像硬盤,，寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR,，所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲設(shè) 備上, 可存儲代碼和資料,。
NAND Flash的存儲單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC,，超越摩爾定律
SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫速度快,，壽命長,，價(jià)格是MLC三倍以上，約10萬次讀寫壽命,。
MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般,，壽命一般，價(jià)格一般,，月3000-10000次讀寫壽命,。
TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢,，壽命短,，價(jià)格便宜，約500次讀寫壽命,，技術(shù)在逐漸成長中,。
摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí),，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍,。換言之,，每一美元所能買 到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上,。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個(gè)月,。
NAND Flash的存儲單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場,，主流存儲單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn),。納米制程工藝和存儲單元的發(fā)展,，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲單元，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時(shí),，還大幅降低了單位 存儲容量的成本,。
但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來的1bit/cell發(fā)展到后來3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜,，出錯(cuò)率不免更高,，讀寫次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來提供EDC和ECC,、平均擦寫等Flash管理,。
隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來襲，嵌入式存儲eMMC即營運(yùn)而生
iphone,，iPAD帶動(dòng)了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展,，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代，對存儲硬件提出了更高的要求,。多媒體播放,、高清攝像，GPS,，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢,，要求存儲硬件擁有高容量、高穩(wěn)定性和高讀寫 速度的同時(shí),，需要存儲芯片在主板中占有更小的空間,。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲技術(shù)的主流趨勢發(fā)展，性能卻在不斷下降,?？刹翆憠勖蹋鲥e(cuò)概率高,，讀寫速度慢,，穩(wěn)定性差。嵌入式存儲芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個(gè)市場 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口,。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口,， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對Flash的特性,，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù),，包括錯(cuò)誤探測和糾正，flash平均擦寫,， 壞塊管理,，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶無需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化,。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間,。
之前市場上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國外的廠商閃迪,、三星、東芝,。而大陸廠商泰勝微科技
今年第一個(gè)在國內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品,，完全自主研發(fā)和封裝測試,，并將其產(chǎn)品命名為qNAND,，已于年中推向了市場。泰勝微科技專注于
嵌入式存儲產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測試工廠的民營企業(yè)。根據(jù)最新的測試結(jié)
果,，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品,。作為后來者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待,。
eMMC的未來
eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代,，eMMC4.5即將問世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來看,，eMMC下 一個(gè)世代將會(huì)由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒,。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來初期將在智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等新興智能型移動(dòng)裝置上,，成為嵌入式儲存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一,。UFS將提供極高的速 度，以即時(shí)高速存儲大型多媒體文件,，同時(shí)在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時(shí)降低功耗,。有了新的90分鐘電影的時(shí)間會(huì)從目前的3分鐘降低到幾秒鐘。這項(xiàng)新的標(biāo)準(zhǔn)將支持 手機(jī),，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品,，并將做為方便通用的開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在。
討論到eMMC的發(fā)展歷程,，必須要從介紹Flash的歷史開始
Flash分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash,，兩者均為非易失性閃存模塊。
1988年,，Intel首次發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面,。NOR類似于DRAM, 以存儲程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取,。因?yàn)樽x取速度較快,，但晶片容量較低，所以多應(yīng)用在通訊產(chǎn)品中,，如手機(jī),。
1989年,，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級,。因?yàn)镹AND flash的晶片容量相對于NOR大，更像硬盤,，寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR,，所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲設(shè) 備上, 可存儲代碼和資料,。
NAND Flash的存儲單元發(fā)展:從 SLC, MLC到TLC,，超越摩爾定律
SLC=Single-Level Cell, 即1bit/cell，讀寫速度快,，壽命長,，價(jià)格是MLC三倍以上，約10萬次讀寫壽命,。
MLC=Multi-Level Cell, 即2bit/cell ,速度一般,，壽命一般，價(jià)格一般,，月3000-10000次讀寫壽命,。
TLC=Triple-Level Cell, 即3bit/cell，速度慢,，壽命短,，價(jià)格便宜，約500次讀寫壽命,，技術(shù)在逐漸成長中,。
摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí),，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍,。換言之,，每一美元所能買 到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上,。而NAND Flash行業(yè)的摩爾定律周期則只有12個(gè)月,。
NAND Flash的存儲單元從最初的SLC（ Single Layer Cell）, 到2003年開始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今，SLC已經(jīng)淡出主流市場,，主流存儲單元正在從MLC向TLC（Triple Layer Cell）邁進(jìn),。納米制程工藝和存儲單元的發(fā)展，使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲單元,，F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時(shí),，還大幅降低了單位 存儲容量的成本,。
但其弊端也輕易顯現(xiàn)，從原來的1bit/cell發(fā)展到后來3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜,，出錯(cuò)率不免更高,，讀寫次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來提供EDC和ECC,、平均擦寫等Flash管理,。
隨著近年平板電腦和智能手機(jī)等在全球熱潮來襲，嵌入式存儲eMMC即營運(yùn)而生
iphone,，iPAD帶動(dòng)了智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)的迅猛發(fā)展,，引發(fā)了電子產(chǎn)品更新?lián)Q 代,，對存儲硬件提出了更高的要求,。多媒體播放、高清攝像,，GPS,，各色各樣的應(yīng)用以及外觀輕薄小巧的發(fā)展趨勢，要求存儲硬件擁有高容量,、高穩(wěn)定性和高讀寫 速度的同時(shí),，需要存儲芯片在主板中占有更小的空間。然而NAND Flash 隨著納米制程和存儲技術(shù)的主流趨勢發(fā)展,，性能卻在不斷下降,。可擦寫壽命短,，出錯(cuò)概率高,，讀寫速度慢，穩(wěn)定性差,。嵌入式存儲芯片eMMC就可以彌補(bǔ)這個(gè)市場 需求和NAND Flash發(fā)展的缺口,。
eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中,。針對Flash的特性,，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯(cuò)誤探測和糾正,，flash平均擦寫,， 壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù),。用戶無需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化,。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。
之前市場上流通的eMMC產(chǎn)品均出自國外的廠商閃迪,、三星,、東芝,。而大陸廠商泰勝微科技
今年第一個(gè)在國內(nèi)推出了自有品牌BIWIN的eMMC產(chǎn)品，完全自主研發(fā)和封裝測試,，并將其產(chǎn)品命名為qNAND,，已于年中推向了市場。泰勝微科技專注于
嵌入式存儲產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),。擁有11年Flash的行業(yè)經(jīng)驗(yàn),，是華南地區(qū)唯一一家擁有12寸晶圓封裝測試工廠的民營企業(yè)。根據(jù)最新的測試結(jié)
果,，BIWIN的品牌eMMC——qNAND在一些關(guān)鍵性能指標(biāo)上大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品,。作為后來者，泰勝微的表現(xiàn)很值得期待,。
eMMC的未來
eMMC規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)逐漸從eMMC4.3世代發(fā)展到eMMC4.4世代,，eMMC4.5即將問世。就目前JEDEC的規(guī)劃方向來看,，eMMC下 一個(gè)世代將會(huì)由UFS(Universal Flash Storage)規(guī)格接棒,。我們將UFS視為一種銜接eMMC 4.5版后的NAND Flash新接口標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)期未來初期將在智能型手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等新興智能型移動(dòng)裝置上,，成為嵌入式儲存媒體的主要的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)之一,。UFS將提供極高的速 度，以即時(shí)高速存儲大型多媒體文件,，同時(shí)在消費(fèi)電子設(shè)備上使用時(shí)降低功耗,。有了新的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)用戶存取90分鐘電影的時(shí)間會(huì)從目前的3分鐘降低到幾秒鐘,。 這項(xiàng)新的標(biāo)準(zhǔn)將支持手機(jī),，數(shù)碼相機(jī)等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品，并將做為方便通用的開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)存在,。
標(biāo)準(zhǔn),，預(yù)計(jì)用戶存取