住友電氣工業(yè)(住友電工)將涉足SiC功率元件業(yè)務(wù),。該公司將利用通過日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的“Tsukuba Power-Electronics Constellations(TPEC)”試產(chǎn)線確立的量產(chǎn)制造技術(shù)開展業(yè)務(wù),。業(yè)務(wù)開始的具體時間未定,,不過該公司預(yù)計SiC功率元件市場到2020年左右將形成規(guī)模,所以“將在此之前啟動業(yè)務(wù)”,。住友電工此前已試制出SiC功率元件和功率模塊等,并在學(xué)會及展會等場合進行了展示,,但當(dāng)時沒有明確是否開展商業(yè)化運作,。
住友電工的SiC功率元件的特點是在柵極部分挖V字型溝道的MOSFET。在柵極部分挖溝的普通溝道型MOSFET,,溝道側(cè)面與元件表面垂直,,而住友電氣工業(yè)的試制品是V字型溝道,溝道側(cè)面與元件表面斜交,。通過V字型溝道,,可以形成缺陷少的氧化膜界面,能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻。比如,,耐壓1200V產(chǎn)品實現(xiàn)了2.0mΩcm2的低導(dǎo)通電阻,。電流值為50A。
由于缺陷少,,閾值電壓的變動也很小,。在175℃、1000小時內(nèi),,閾值電壓變動量在0.12V以下,。
住友電工在2015年5月舉行的功率半導(dǎo)體國際會議“第27屆International Symposium on Power Semiconductor Device & ICs(ISPSD)”上發(fā)布了具有上述特性的SiC MOSFET。這是利用口徑6英寸的SiC基板制成的,。芯片尺寸為3mm見方,。
另外,發(fā)布者獲得了ISPSD的年輕人最優(yōu)秀獎(Charitat Award),。