賓夕法尼亞,、MALVERN — 2015 年 6 月19 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，發(fā)布采用高度0.357mm的芯片級(jí)MICRO FOOT? 0.8mm x 0.8mm封裝的TrenchFET? 20V N溝道MOSFET---Si8824EDB。Vishay SiliconixSi8824EDB是20V MOSFET中導(dǎo)通電阻最低的器件,，尺寸為1mm2或不到0.7mm2，在智能手機(jī),、平板電腦,、可穿戴設(shè)備、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器,，以及助聽器等便攜式醫(yī)療設(shè)備中能夠節(jié)省空間,，降低功耗，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間,。

     Si8824EDB適用于電源管理應(yīng)用里的負(fù)載開關(guān),、小信號(hào)開關(guān)和高速開關(guān)，具有極低的導(dǎo)通電阻,，在 4.5V,、2.5V、1.8V,、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻分別為75mΩ,、82mΩ、90mΩ,、125mΩ和175mΩ,，比采用相同CSP封裝的最接近的20V MOSFET最多低25%,，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS為20V,，具有ESD保護(hù)功能,，能在1.2V下啟動(dòng)，加上低導(dǎo)通電阻,，使這顆器件同時(shí)具有安全裕量大,、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更靈活、高性能的優(yōu)點(diǎn),，可用于鋰離子電池供電的應(yīng)用,。

    Si8824EDB的導(dǎo)通電阻與面積乘積極低，只有40mΩ-mm2,，比DFN 1mm2封裝的最接近的20V MOSFET低28%,，在移動(dòng)應(yīng)用里能夠節(jié)省空間，并降低電池功耗,。器件的低導(dǎo)通電阻意味著器件在直流或脈沖峰值電流下的電壓降非常低,，以熱的形式浪費(fèi)的電能更少。MOSFET集成了ESD保護(hù)功能,，保護(hù)電壓達(dá)2000V,，能夠避免在加工或與人體接觸過(guò)程中發(fā)生靜電破壞。

    Si8824EDB現(xiàn)可提供樣品,，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

VISHAY簡(jiǎn)介

     Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器,、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算,、汽車,、消費(fèi)、電信,、國(guó)防,、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。