本文將介紹的ZVS驅(qū)動(dòng)器是-一種功率大,、高效而且非常簡(jiǎn)單的振蕩器,。它通常被用于產(chǎn)生高頻正弦波的場(chǎng)合比如冷陰極LCD燈箱驅(qū)動(dòng)器或者其他用途。這里有一個(gè)簡(jiǎn)化版的ZVS,。

　　當(dāng)電源電壓作用于V+，電流開始同時(shí)通過兩側(cè)的初級(jí)并施加到MOS的漏極（D）上,。電壓會(huì)同時(shí)出現(xiàn)在MOS的門極（G）上并開始將MOS開啟,。因?yàn)闆]有任何兩個(gè)元件是完全一樣的，一個(gè)MOS比另一個(gè)開的快一些,，更多的電流將流過這個(gè)MOS,。通過導(dǎo)通側(cè)初級(jí)繞組的電流將另一側(cè)MOS的門極電壓拉低并開始關(guān)斷它。圖中電容和初級(jí)的電感發(fā)生LC諧振并使電壓按正弦規(guī)律變化,。如果沒有這個(gè)電容,，通過MOS的電流會(huì)一直增大,，直到變壓器飽和+MOS發(fā)生核爆炸......
　　假設(shè)Q1首先開啟。當(dāng)Z點(diǎn)電壓跟著LC諧振的半個(gè)周期上升到峰值再回掉時(shí),，Y點(diǎn)電壓會(huì)接近0,。隨著Z點(diǎn)電壓下降到0，Q1的門極（G）電壓消失,，Q1關(guān)閉,。同時(shí)Q2開啟，此時(shí)Y點(diǎn)電壓開始上升,。Q2的導(dǎo)通把Z點(diǎn)電壓拉低到接近地,，這可以確保Q1完全關(guān)斷。Q2完成LC振蕩的半周后會(huì)重復(fù)同樣的過程,，此振蕩器繼續(xù)循環(huán)工作,。為了防止本電路從電源拉取巨大的峰值電流而損壞，增加了L1在變壓器抽頭處和V+之間作為緩沖,。LC阻抗限制著實(shí)際的電流（L1只是減少峰值電流,，因?yàn)殡姼杏欣m(xù)流作用吧）。
　　如果你眼夠尖,，會(huì)發(fā)現(xiàn)此振蕩器是一個(gè)零電壓開關(guān)電路（zero-voltage switching ZVS）,，這意味著MOS將在其兩端電壓為零時(shí)關(guān)斷。這對(duì)MOS有好處,，因?yàn)樗试SMOS在承受應(yīng)力比較低的時(shí)候進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作,，這意味著不再需要像硬開關(guān)變換器那樣的巨大散熱器，甚至當(dāng)功率大到1KW時(shí)都可以這樣?。ㄎ矣X得懸......畢竟MOS有導(dǎo)通電阻......誰的ZVS能上1KW,？！反正我沒見過.....）
　　ZVS的振蕩頻率將由變壓器初級(jí)的電感和跨接在初級(jí)兩端的電容決定,?？梢杂孟铝泄接?jì)算：
　　f = 1/2 * π * √(L * C)
　　f 頻率，單位Hz
　　L 初級(jí)的電感,，單位H（注意不是uH,！1H=1000000uH！）
　　C 諧振雕塑的容量,，單位F（注意不是uF!1F=1000000uF)
　　真實(shí)的MOS比較脆弱（汗= = 深有體會(huì)）,，如果門極（G）和源極（S）之間的電壓超過正負(fù)30V，MOS會(huì)損壞,。為了防止這種事情發(fā)生,，我們需要門極（G）的保護(hù)措施；只是簡(jiǎn)單地增加幾個(gè)額外的元件,。如下圖,。
　　? 470歐電阻用來限制MOS門極（G）的電流,，防止損壞。
　　? 10K電阻用于確保MOS可靠關(guān)斷,。
　　? 穩(wěn)壓二極管將MOS的門極（G）的電壓限制在你選用的穩(wěn)壓二極管（12V,、15V、18V）的擊穿電壓之內(nèi),。
　　? 當(dāng)一側(cè)MOS導(dǎo)通時(shí),，UF4007將另一側(cè)MOS的門極（G）電壓拉低
　　值得注意的是,，我們改用+V為MOS供電,，使它們開啟，并使用LC諧振部分通過快恢復(fù)二極管關(guān)斷它們,。這提高了整體電路的性能,。
　　下面的實(shí)物圖很好理解，我希望你喜歡：
　　因?yàn)長(zhǎng)C震蕩時(shí)的電壓比輸入電壓高,，所以你需要確認(rèn)你的MOS可以承受這個(gè)電壓,。一個(gè)比較好的選擇MOS方式，MOS的耐壓要為4倍輸入電壓以上,，IRFP250和更好的IRFP260很適合ZVS（我用IRF540也很好,，但是輸入不要超過20V，IRFZ48,、IRF3205等管耐壓過低不宜使用）,。你需要為MOS添加散熱器，但是不用特大,。記住在安裝散熱器時(shí)一定要加絕緣墊（TO247的IRFP250和IRFP260要加絕緣墊,，TO220的IRF540除了絕緣墊還要加絕緣帽！）,，因?yàn)镸OS的散熱器不是和引腳不是電學(xué)絕緣的（散熱片和漏極是通的,，我想但凡搞電子的都知道吧、）,。那個(gè)諧振電容一定要用好的,，MKP電容，云母電容,，Mylar電容（這個(gè)不認(rèn)識(shí),、、,、）是很好的選擇（電磁爐電容最佳~~）,，千萬不要用電解電容，會(huì)核爆炸的（嘿嘿 每人這么2吧）,。兩個(gè)初級(jí)繞組必須要同方向繞制,，否則不工作,。如果變壓器沒氣息，同樣不會(huì)工作,。（這,、、,、）
　　本文將介紹的ZVS驅(qū)動(dòng)器是-一種功率大,、高效而且非常簡(jiǎn)單的振蕩器。它通常被用于產(chǎn)生高頻正弦波的場(chǎng)合比如冷陰極LCD燈箱驅(qū)動(dòng)器或者其他用途,。這里有一個(gè)簡(jiǎn)化版的ZVS,。
　　當(dāng)電源電壓作用于V+，電流開始同時(shí)通過兩側(cè)的初級(jí)并施加到MOS的漏極（D）上,。電壓會(huì)同時(shí)出現(xiàn)在MOS的門極（G）上并開始將MOS開啟,。因?yàn)闆]有任何兩個(gè)元件是完全一樣的，一個(gè)MOS比另一個(gè)開的快一些,，更多的電流將流過這個(gè)MOS,。通過導(dǎo)通側(cè)初級(jí)繞組的電流將另一側(cè)MOS的門極電壓拉低并開始關(guān)斷它。圖中電容和初級(jí)的電感發(fā)生LC諧振并使電壓按正弦規(guī)律變化,。如果沒有這個(gè)電容,，通過MOS的電流會(huì)一直增大，直到變壓器飽和+MOS發(fā)生核爆炸......
　　假設(shè)Q1首先開啟,。當(dāng)Z點(diǎn)電壓跟著LC諧振的半個(gè)周期上升到峰值再回掉時(shí),，Y點(diǎn)電壓會(huì)接近0。隨著Z點(diǎn)電壓下降到0,，Q1的門極（G）電壓消失,，Q1關(guān)閉。同時(shí)Q2開啟,，此時(shí)Y點(diǎn)電壓開始上升,。Q2的導(dǎo)通把Z點(diǎn)電壓拉低到接近地，這可以確保Q1完全關(guān)斷,。Q2完成LC振蕩的半周后會(huì)重復(fù)同樣的過程,，此振蕩器繼續(xù)循環(huán)工作。為了防止本電路從電源拉取巨大的峰值電流而損壞,，增加了L1在變壓器抽頭處和V+之間作為緩沖,。LC阻抗限制著實(shí)際的電流（L1只是減少峰值電流，因?yàn)殡姼杏欣m(xù)流作用吧）,。
　　如果你眼夠尖,，會(huì)發(fā)現(xiàn)此振蕩器是一個(gè)零電壓開關(guān)電路（zero-voltage switching ZVS），這意味著MOS將在其兩端電壓為零時(shí)關(guān)斷,。這對(duì)MOS有好處,，因?yàn)樗试SMOS在承受應(yīng)力比較低的時(shí)候進(jìn)行開關(guān)動(dòng)作,，這意味著不再需要像硬開關(guān)變換器那樣的巨大散熱器，甚至當(dāng)功率大到1KW時(shí)都可以這樣?。ㄎ矣X得懸......畢竟MOS有導(dǎo)通電阻......誰的ZVS能上1KW,？！反正我沒見過.....）
　　ZVS的振蕩頻率將由變壓器初級(jí)的電感和跨接在初級(jí)兩端的電容決定,?？梢杂孟铝泄接?jì)算：
　　f = 1/2 * π * √(L * C)
　　f 頻率，單位Hz
　　L 初級(jí)的電感,，單位H（注意不是uH,！1H=1000000uH！）
　　C 諧振雕塑的容量,，單位F（注意不是uF!1F=1000000uF)
　　真實(shí)的MOS比較脆弱（汗= = 深有體會(huì)）,，如果門極（G）和源極（S）之間的電壓超過正負(fù)30V，MOS會(huì)損壞,。為了防止這種事情發(fā)生，我們需要門極（G）的保護(hù)措施,；只是簡(jiǎn)單地增加幾個(gè)額外的元件,。如下圖。

　　? 470歐電阻用來限制MOS門極（G）的電流,，防止損壞,。
　　? 10K電阻用于確保MOS可靠關(guān)斷。
　　? 穩(wěn)壓二極管將MOS的門極（G）的電壓限制在你選用的穩(wěn)壓二極管（12V,、15V,、18V）的擊穿電壓之內(nèi)。
　　? 當(dāng)一側(cè)MOS導(dǎo)通時(shí),，UF4007將另一側(cè)MOS的門極（G）電壓拉低
　　值得注意的是,，我們改用+V為MOS供電，使它們開啟,，并使用LC諧振部分通過快恢復(fù)二極管關(guān)斷它們,。這提高了整體電路的性能。
　　下面的實(shí)物圖很好理解,，我希望你喜歡：

       因?yàn)長(zhǎng)C震蕩時(shí)的電壓比輸入電壓高,，所以你需要確認(rèn)你的MOS可以承受這個(gè)電壓。一個(gè)比較好的選擇MOS方式,，MOS的耐壓要為4倍輸入電壓以上,，IRFP250和更好的IRFP260很適合ZVS（我用IRF540也很好，但是輸入不要超過20V,，IRFZ48,、IRF3205等管耐壓過低不宜使用）,。你需要為MOS添加散熱器，但是不用特大,。記住在安裝散熱器時(shí)一定要加絕緣墊（TO247的IRFP250和IRFP260要加絕緣墊,，TO220的IRF540除了絕緣墊還要加絕緣帽！）,，因?yàn)镸OS的散熱器不是和引腳不是電學(xué)絕緣的（散熱片和漏極是通的,，我想但凡搞電子的都知道吧、）,。那個(gè)諧振電容一定要用好的,，MKP電容，云母電容,，Mylar電容（這個(gè)不認(rèn)識(shí),、、,、）是很好的選擇（電磁爐電容最佳~~）,，千萬不要用電解電容，會(huì)核爆炸的（嘿嘿 每人這么2吧）,。兩個(gè)初級(jí)繞組必須要同方向繞制,，否則不工作。如果變壓器沒氣息,，同樣不會(huì)工作,。（這、,、,、）