2015年7月22日,，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日推出了兩個全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——低功耗SRAM領(lǐng)域的領(lǐng)先產(chǎn)品,，能夠為工廠自動化（FA）,、工業(yè)設(shè)備、智能電網(wǎng)等應(yīng)用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命,。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110納米制造工藝,，融合了創(chuàng)新的存儲單元技術(shù),，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間,。

       近來,，業(yè)內(nèi)對用戶系統(tǒng)安全性和可靠性的要求日漸提高，而SRAM作為存儲系統(tǒng)程序和財務(wù)交易數(shù)據(jù)等重要信息的載體,，必須具備高水平的可靠性,。因此，如何減少因阿爾法輻射和宇宙中子輻射造成的軟失效（注釋1）成為了一項重點課題,。通常情況下,，解決這一問題的處理方式是在SRAM或用戶系統(tǒng)中加入內(nèi)部糾錯（ECC）電路。但ECC電路的糾錯能力具有一定的局限性,，例如：可能無法同時糾正多個位元的錯誤,。

瑞薩的超LP SRAM的存儲器單元采用其獨有技術(shù)，抗軟失效能力（注釋2）是傳統(tǒng)全CMOS型存儲單元（注釋3）的500多倍,，使其成為了對可靠性具有高要求的應(yīng)用領(lǐng)域的理想之選,，包括工廠自動化、測量設(shè)備,、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備,、工業(yè)設(shè)備以及消費電子設(shè)備、辦公設(shè)備和通訊設(shè)備等諸多其他應(yīng)用領(lǐng)域,。

全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：

· (1) 采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術(shù),，大幅提升了抗軟失效能力，實現(xiàn)了更良好的可靠性

       在瑞薩超LP SRAM的結(jié)構(gòu)方面,，存儲單元中的每個存儲節(jié)點（注釋5）都結(jié)合了堆疊電容（注釋4）技術(shù),，從根本上預(yù)防了軟失效的出現(xiàn)（注釋6）。此外,，每個SRAM單元的負(fù)載晶體管（P溝道）為多晶硅薄膜晶體管（TFT）（注釋7）,，堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管,，這樣可確保存儲區(qū)內(nèi)不形成寄生晶閘管,，并從理論上杜絕閂鎖效應(yīng)（注釋8）。因此,，對于需要嚴(yán)格保證高水平可靠性的應(yīng)用環(huán)境（如：工廠自動化,、測量設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備,、交通系統(tǒng),、工業(yè)設(shè)備等）而言，超LP SRAM可謂理想之選,。

· (2) 待機電流比上一代產(chǎn)品降低了50%以上,，有助于延長備用電池使用壽命

       全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb產(chǎn)品的待機電流僅為0.5 μA（典型值）,，32 Mb產(chǎn)品（注釋9）的待機電流僅為1 μA（典型值）。新產(chǎn)品的電流消耗水平比瑞薩先前推出的同類SRAM產(chǎn)品（注釋10）降低了50%以上,，有效延長了備用電池的使用壽命,。保存數(shù)據(jù)時的最低電源電壓為1.5 V，低于先前瑞薩同類產(chǎn)品的2.0 V,。

· (3) 封裝選項

       16 Mb RMLV1616A系列提供三個封裝選項：48球FBGA,、48管腳TSOP(I)及52管腳μTSOP (II)，客戶可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來選擇最適合的封裝方案,。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引腳的FBGA封裝,。

定價和供貨

       RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的樣品將于9月發(fā)布，定價根據(jù)存儲容量而有所不同,。例如，16 Mb RMLV1616A系列的單價為16.5美元,，32 Mb RMWV3216A系列的單價為31美元,。上述兩個系列的量產(chǎn)預(yù)計將于2015年10月啟動。采用110納米工藝的4 Mb和8 Mb超LP SRAM產(chǎn)品已經(jīng)開始量產(chǎn),。

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· （注釋1）軟失效：

       指在硅基板被外部阿爾法輻射或中子輻射擊中時生成電荷,，造成存儲數(shù)據(jù)丟失的現(xiàn)象。相比可重現(xiàn)的半導(dǎo)體元件物理故障等硬錯誤,，軟失效具有不可重現(xiàn)性,，僅需讓系統(tǒng)重寫數(shù)據(jù)即可修復(fù)。一般來說,，制造工藝越精密,，軟失效的出現(xiàn)率會越高。

· （注釋2）根據(jù)瑞薩進(jìn)行的系統(tǒng)軟失效評估結(jié)果,。

· （注釋3）全CMOS型存儲單元：

       由同一硅基板表面上共計六個P通道MOS晶體管和N通道MOS晶體管所構(gòu)成的SRAM存儲單元結(jié)構(gòu),。其表面積較大，存在閂鎖風(fēng)險,。

· （注釋4）堆疊電容：

       具有兩個由多晶硅或金屬構(gòu)成的電極的電容器,。此類電容器構(gòu)成于硅基板上MOS晶體管的上層。

· （注釋5）存儲節(jié)點：

       每個存儲單元內(nèi)以“高”或“低”電勢形式存儲信息位的觸發(fā)器電路節(jié)點,。

· （注釋6）瑞薩已在其網(wǎng)站上發(fā)布了針對采用超LP SRAM系統(tǒng)的軟失效評估結(jié)果,。整個評估過程歷時一年多，并在與一般用戶使用環(huán)境相似的條件下進(jìn)行,，最終結(jié)果表明不存在軟失效,。

· （注釋7）薄膜晶體管（TFT）：

       使用薄膜多晶硅構(gòu)成的晶體管。此元件可用作SRAM負(fù)載晶體管,，構(gòu)成于硅基板上MOS晶體管的最上層,，可有效減少存儲單元的面積,。

· （注釋8）閂鎖效應(yīng)：

       指CMOS晶體管的電位阱、硅基板,、P型擴散層和N型擴散層所形成的NPN或PNP結(jié)構(gòu)（寄生雙極性晶體管）因電源或輸入引腳過電壓而進(jìn)入開啟狀態(tài),，從而造成大電流在電源和接地之間流動的現(xiàn)象。

· （注釋9）在3.0 V電源電壓和25°C環(huán)境溫度下得出的參考值,。

· （注釋10）R1LV1616R系列和R1WV3216R系列,，采用了150 nm工藝。

關(guān)于瑞薩電子株式會社

       瑞薩電子株式會社（TSE：6723）,，是全球首屈一指的微控制器供應(yīng)商和高級半導(dǎo)體解決方案的首選供應(yīng)商,，產(chǎn)品包括微控制器、SoC解決方案和各 種模擬與功率器件,。2010年4月,，NEC電子公司（TSE：6723）和株式會社瑞薩科技合并成立了瑞薩電子株式會社，公司業(yè)務(wù)覆蓋了面向各種應(yīng)用的研究,、開發(fā),、設(shè)計與制造。瑞薩電子株式會社總部設(shè)在日本,，在全球20多個國家均設(shè)有分公司,。