12月5日消息,,根據(jù)英特爾計(jì)劃將在2025年量產(chǎn)其最新的Intel 18A制程,,而臺(tái)積電也將在2025年下半年量產(chǎn)N2(2nm)制程,,這兩種制程工藝都將會(huì)采用全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管架構(gòu),,同時(shí)Intel 18A還將率先采用背面供電技術(shù),那么究竟誰(shuí)更具優(yōu)勢(shì)呢,?
根據(jù)最新曝光的明年2月召開的ISSCC 2025會(huì)議的議程顯示,,英特爾屆時(shí)將會(huì)以《A 0.021μm2 High-Density SRAM in Intel-18A-RibbonFET
Technology with PowerVia-Backside Power Delivery》為題來進(jìn)行演講。從該標(biāo)題泄露的信息來看,,Intel 18A的SRAM密度為0.021 μm2的高密度 SRAM 位單元尺寸(實(shí)現(xiàn)了大約 31.8 Mb/mm2 的 SRAM 密度),,與Intel 4 的 0.024 μm2 的高密度 SRAM 位單元尺寸相比,這是一個(gè)重大改進(jìn),。
但是,,Intel 18的這個(gè)指標(biāo)也只是與臺(tái)積電的 N3E 和 N5 基本一致,相比之下,,臺(tái)積電的 N2制程將高密度SRAM 位單元大小縮小到大約 0.0175 μm^2,從而實(shí)現(xiàn) 38 Mb/mm^2 的 SRAM 密度,,后者在這方面更加的優(yōu)秀,。
需要注意的是,除了 SRAM 位單元大小之外,SRAM 的一個(gè)關(guān)鍵特性是它的功耗,,我們并不真正知道Intel 18A 和 臺(tái)積電N2 在這個(gè)指標(biāo)上是如何的,,因此還不宜過早的下結(jié)論。
另外,,Intel 18A相比之前的Intel 3 還擁有兩大優(yōu)勢(shì):GAA 晶體管和背面供電網(wǎng)絡(luò) (BSPDN),。雖然臺(tái)積電N2也是基于GAA晶體管架構(gòu),但是其并沒有采用BSPDN技術(shù),。簡(jiǎn)單來說,,BSPDN技術(shù)不僅有望改善晶體管的功率傳輸,從而提高某些設(shè)計(jì)的性能效率,,而且還使設(shè)計(jì)人員能夠使它們更小,,從而提高邏輯密度。從這方面來看,,Intel 18A似乎更具優(yōu)勢(shì),。
雖然現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)使用大量 SRAM,并且其密度的高低對(duì)于節(jié)點(diǎn)到節(jié)點(diǎn)的擴(kuò)展至關(guān)重要,,但邏輯密度比 HDC SRAM 密度更重要,。不過,目前英特爾和臺(tái)積電均未披露邏輯密度方面的信息,。
不過,,根據(jù)英特爾前CEO帕特·基辛格的說法,Intel 18A制程性能表現(xiàn)將領(lǐng)先于臺(tái)積電N2(2nm)制程,。雖然Intel 18A制程與臺(tái)積電N2制程的晶體管密度似乎差不多,,但英特爾的背面供電技術(shù)更加優(yōu)秀,這讓硅芯片擁有更好的面積效率(area efficiency),,意味著成本降低,,供電較好則代表表現(xiàn)性能更高。不錯(cuò)的晶體管密度,、極佳的供電讓Intel 18A制程略領(lǐng)先臺(tái)積電N2,。此外,臺(tái)積電的封裝成本也高于英特爾,。
從時(shí)間進(jìn)度上來看,,Intel 18A即將在2025年上半年量產(chǎn)。在今年10月,,英特爾就已經(jīng)向聯(lián)想等合作伙伴交付了基于Intel 18A制程的Panther Lake CPU樣品,。而臺(tái)積電似乎也已經(jīng)向客戶交付了基于其N2制程的樣品,但是量產(chǎn)時(shí)間可能需要等到2025年下半年,。