美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint,，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃,，成為首家控制芯片供應(yīng)商,，2016年搶先導(dǎo)入SSD,。不過(guò)，相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布,。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示,，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測(cè)可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新式NVM,，采用新材料提升NAND Flash速度及密度,，并降低延遲，相對(duì)于磁電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、變相式存儲(chǔ)器(PCM)等新式存儲(chǔ)器,， 目前ReRAM技術(shù)較容易商用化,，投入研發(fā)的半導(dǎo)體廠亦相當(dāng)多。

　　盡管ReRAM商用化時(shí)程越來(lái)越近,，但I(xiàn)M Flash陣營(yíng)3D XPoint技術(shù)將在2016年導(dǎo)入終端產(chǎn)品量產(chǎn),，并應(yīng)用在SSD領(lǐng)域，卻令業(yè)者十分意外,。存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為,，3D XPoint技術(shù)應(yīng)會(huì)先用于特殊型SSD應(yīng)用領(lǐng)域，短期內(nèi)還不會(huì)取代既有DRAM和NAND Flash芯片,，且若是采用新材料,，包括芯片穩(wěn)定度、可靠度及良率等都需要再觀察,。

　　值得注意的是,，業(yè)界傳出臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮已加入3D XPoint計(jì)劃，將研發(fā)支援3D XPoint的控制芯片,，瞄準(zhǔn)特殊型SSD應(yīng)用,，以及需要高速讀寫(xiě)的大型資料庫(kù)儲(chǔ)存、伺服器快取(caching)等應(yīng)用,。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出,，近期慧榮與IM Flash陣營(yíng)在NAND Flash技術(shù)研發(fā)已有重大突破，不僅與美光合作SATA III介面SSD控制芯片,，更傳出與英特爾合作PCI Express(PCIe)介面SSD控制芯片，預(yù)計(jì)2016年問(wèn)世,，正好趕上PCIe介面SSD躍上主流產(chǎn)品列車,。

　　事實(shí)上，用來(lái)取代DRAM和NAND Flash芯片的新式存儲(chǔ)器技術(shù),，包括架構(gòu)及材料一直是各廠高度機(jī)密,。目前DRAM技術(shù)發(fā)展到20納米制程，三星率先進(jìn)入量產(chǎn),，SK海力士及美光旗下華亞科2015年下半才會(huì)放量,，業(yè)者原本認(rèn)為20納米是DRAM技術(shù)極限，但各廠都在研發(fā)1x納米DRAM技術(shù),，由于制程技術(shù)更困難,，投入金額更龐大，讓業(yè)者感受到DRAM技術(shù)已瀕臨極限,。

　　至于NAND Flash技術(shù)則已轉(zhuǎn)進(jìn)3D架構(gòu),，東芝和新帝陣營(yíng)宣布3D NAND技術(shù)進(jìn)入48層堆疊，取代原本僅16層和32層堆疊的3D NAND技術(shù),，可儲(chǔ)存更多資料,，預(yù)計(jì)2016年上半送樣給客戶;至于三星電子亦預(yù)計(jì)2016年推出48層堆疊3D NAND技術(shù),。目前看來(lái)IM Flash陣營(yíng)在新式存儲(chǔ)器發(fā)展稍微領(lǐng)先，3D NAND技術(shù)陣營(yíng)恐將被迫加速開(kāi)發(fā)時(shí)程,。