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HBM3E內(nèi)存競賽升溫

三星 4 月出擊,,美光已領(lǐng)先一步
2025-04-11
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: HBM 內(nèi)存 三星 美光

4 月 10 日消息,,韓媒 Sedaily 于 4 月 8 日發(fā)布博文,報道稱在美國新關(guān)稅政策的不確定性下,,存儲巨頭們并未放緩腳步,,反而加速角逐 HBM3E 市場,。

IT之家援引博文報道,三星調(diào)整了 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)計,,計劃今年 4 月向英偉達(dá)大規(guī)模供應(yīng) 8H 版本,。另一家韓國媒體 EBN 透露,若進(jìn)展順利,,三星 12 層 HBM3E 有望 5 月獲得英偉達(dá)認(rèn)證,。

SK 海力士長期稱霸 HBM 市場,但美光正迎頭趕上,。另一家韓媒 Sisa Journal 指出,,美光 3 月已通過 12 層 HBM3E 驗證,并開始交付,,支持英偉達(dá)最新 B300 產(chǎn)品,。

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該媒體分析認(rèn)為美光的 DRAM 總產(chǎn)能雖然不及 SK 海力士,但其 10nm-class 1b 先進(jìn)工藝占比更高,。這讓美光在產(chǎn)品質(zhì)量上占優(yōu),,尤其在 HBM 關(guān)鍵的散熱管理方面表現(xiàn)突出,。

此外存儲巨頭也在加速推進(jìn) HBM4 競賽,。三星計劃 2025 年實現(xiàn) HBM4 量產(chǎn),但其 10nm 1c DRAM 工藝尚未成熟,,目標(biāo)充滿挑戰(zhàn),。

Business Korea 早前提到,美光預(yù)計 2026 年推出 HBM4,,而 2025 下半年生產(chǎn)的 HBM 多為 12 層產(chǎn)品,。兩大巨頭在技術(shù)升級上各有布局,未來競爭將更激烈,。


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