《電子技術(shù)應(yīng)用》
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雙極型步進(jìn)電機(jī)的斬波驅(qū)動電路設(shè)計(jì)
2014年微型機(jī)與應(yīng)用第20期
韓俊奇1,,徐建華2,,3,張明星2,王良坤2,,3
1.中國科學(xué)院大學(xué),北京 100049,; 2.中國科學(xué)院微電子研究所,,北京 100029; 3.杭州中科微電子有限公司,,浙江 杭州 310053
摘要: 設(shè)計(jì)了一款用于雙極型步進(jìn)電機(jī)的斬波驅(qū)動電路,,采用可變增益放大器實(shí)現(xiàn)電流檢測和角度細(xì)分以提高精度,采用新型低功耗功率放大電路降低芯片功耗,,并采用0.35 μm BCD工藝,,最高輸出電壓為35 V,驅(qū)動能力為±2.5 A,。測試結(jié)果表明,,負(fù)載電源靜態(tài)電流為3.9 mA,功率管導(dǎo)通電阻不超過0.23 Ω,,斬波電流誤差小于8%,。
Abstract:
Key words :

  摘  要: 設(shè)計(jì)了一款用于雙極型步進(jìn)電機(jī)的斬波驅(qū)動電路,采用可變增益放大器實(shí)現(xiàn)電流檢測和角度細(xì)分以提高精度,,采用新型低功耗功率放大電路降低芯片功耗,,并采用0.35 μm BCD工藝,最高輸出電壓為35 V,,驅(qū)動能力為±2.5 A,。測試結(jié)果表明,負(fù)載電源靜態(tài)電流為3.9 mA,,功率管導(dǎo)通電阻不超過0.23 Ω,,斬波電流誤差小于8%。

  關(guān)鍵詞: 斬波驅(qū)動,;電流檢測,;功率放大電路

0 引言

  步進(jìn)電機(jī)作為控制執(zhí)行元件,它的無累積誤差[1]等特點(diǎn)使其在數(shù)字控制系統(tǒng),、工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,,它的性能主要取決于驅(qū)動器的設(shè)計(jì)。驅(qū)動器中多采用斬波驅(qū)動技術(shù)以提高步進(jìn)電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩和電源利用效率,,其電路設(shè)計(jì)的好壞決定著角度細(xì)分中微步步距角的精度,。在傳統(tǒng)的斬波驅(qū)動器設(shè)計(jì)中,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,,精度不高,。本文設(shè)計(jì)了一款基于0.35 μm BCD工藝實(shí)現(xiàn)的斬波驅(qū)動電路,,精確度高、功耗低且可直接由數(shù)字控制實(shí)現(xiàn)角度細(xì)分,。

1 斬波驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計(jì)


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  斬波驅(qū)動電路系統(tǒng)構(gòu)架如圖1所示,,包括電流檢測電路、斬波邏輯控制電路,、功率放大電路,,其中功率放大電路由柵極驅(qū)動級電路和H橋電路組成。當(dāng)電流檢測電路檢測到電機(jī)線圈電流達(dá)到額定值后復(fù)位SR鎖存器,,使線圈電流進(jìn)入衰減狀態(tài),,開關(guān)K0打開,外接RC振蕩器衰減到VL電壓后置位SR鎖存器,,線圈電流重新進(jìn)入充電狀態(tài),。上述過程不斷重復(fù),使線圈電流在斬波意義上逼近恒定值,。

  對于斬波驅(qū)動電路來說,,斬波電流精度和功耗是兩個(gè)重要指標(biāo),斬波電流精度主要受電流檢測電路精度影響,,功耗主要由功率放大電路設(shè)計(jì)的好壞決定,。因此電流檢測電路和功率放大電路的設(shè)計(jì)是整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。

2 電流檢測電路設(shè)計(jì)

  電流檢測有多種實(shí)現(xiàn)方式[2],,如圖1所示,,該結(jié)構(gòu)采用串聯(lián)電阻法,結(jié)構(gòu)簡單穩(wěn)定,、精度高且無帶寬限制,。由于電機(jī)相電流會達(dá)到安培量級,出于對功耗和功能的考慮,,串聯(lián)電阻RS阻值較小,,采樣電壓VS限制在很小的范圍內(nèi),。

  微步細(xì)分[3]的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)常采用DAC將量化的正弦波數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為模擬參考電壓VREF,,再通過比較器比較VREF與VS的相對大小,進(jìn)而控制相電流形成按正余弦規(guī)律變化的階梯波,,由于采樣電壓Vs值很小,,對比較器精度有很高要求。

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  針對上述問題,,本文提出了一種改進(jìn)型的電流檢測電路,。如圖2所示,將采樣電壓VS經(jīng)非線性可變增益放大器放大,,然后與固定的參考電壓VREF比較,,這樣大大精簡了電路結(jié)構(gòu),,減小了電路輸入失調(diào)對檢測誤差的影響。

  通過選取合適的可變增益放大器的增益,,如式(1)所示,,其中數(shù)字量D0,D1,,…,,Dm-1的二進(jìn)制權(quán)重可通過數(shù)字信號D[3:0]控制相電流幅度形成按正余弦規(guī)律變化的階梯波,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)最高1/16步進(jìn)的角度細(xì)分,。

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  電路中各模塊輸入失調(diào)的影響如式(2)所示,,其中vos_VGA和vos_COM分別表示可變增益放大器和比較器的輸入失調(diào)電壓,由此可知上述失調(diào)電壓僅僅在相電流較小時(shí)對精度有影響,,而此時(shí)D取較大二進(jìn)制數(shù),,vos_COM對精度影響可忽略不計(jì)。

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  此結(jié)構(gòu)中可變增益放大器的設(shè)計(jì)是重點(diǎn),,它要求能放大接近地電平的正電壓小信號,、精確度高并且輸入失調(diào)電壓小,本文通過改變輸出電阻實(shí)現(xiàn)增益改變[4],,具體電路如圖3所示,,圖中省去了控制信號D[2:0]到Y(jié)0,Y1,,…,,Y7的譯碼電路。

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  圖3中MP4,、MP5,、Q2、MP6,、MP7,、R2構(gòu)成一個(gè)反饋系統(tǒng);MP4,、MP5,、Q2構(gòu)成前置放大器,Q2工作在放大區(qū),,VQ1與VQ2為輸入信號,;MP6、MP7,、R2構(gòu)成反饋網(wǎng)絡(luò),。由于MP4、MP5構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu),,VP1處輸出電阻很高,,可以認(rèn)為工作過程中VQ1與VQ2差值恒定,,那么流過MP7的電流變化量?駐iMP7如式(3)所示,其中駐VQ1,、VQ2表示VQ1,、VQ2的電壓變化量。

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  圖3中MP2,、MP3,、Q1、R1構(gòu)成升壓電路,,并與MP4,、MP5、Q2,、R2結(jié)構(gòu)對稱且對應(yīng)器件參數(shù)相同,,MN0為二極管Q1、Q2提供基極電流,。同樣地,,有?駐VQ1=?駐VS,并且當(dāng)輸入電壓VS為零電平時(shí),,忽略輸入失調(diào)電壓,,流過MP7的電流為零,滿足了放大接近地電平正電壓小信號的目的,。此外MP2,、MP3構(gòu)成的電流鏡結(jié)構(gòu),使得升壓電路受電源VCC的波動影響很小,,避免了傳統(tǒng)檢測電路中上拉電阻結(jié)構(gòu)受電源電壓波動影響的弊端,。

  MP6、MP7與MP8,、MP9構(gòu)成共源共柵電流鏡且對應(yīng)器件參數(shù)相同,,有iMP7=iMP8;輸出電壓VG與輸入電壓VS的關(guān)系如式(4)所示,,其中R3,,R4,…,,Rm+3表示串聯(lián)進(jìn)MP8,、MP9支路的電阻:

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3 低功耗功率放大電路設(shè)計(jì)

  本設(shè)計(jì)的功率放大電路中采用H橋結(jié)構(gòu),,H橋橋臂上下管都采用N型電力MOSFET[5],,并通過并聯(lián)盡量多的電力MOSFET來獲得較低的導(dǎo)通電阻。

  上管作為高壓側(cè)開關(guān)管,,其柵極驅(qū)動電路如圖4所示,,其中MN0表示上管,,為保證其較低的導(dǎo)通電阻,通過電荷泵得到高于負(fù)載電源電壓VBB大約5 V的柵極驅(qū)動電壓VCP[6],。

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  圖4中,,VP和VN是數(shù)字開關(guān)信號Vinh經(jīng)電平轉(zhuǎn)換電路產(chǎn)生的模擬開關(guān)信號,高低電平分別為VCP和VBB,,VP與Vinh同相,,VN與Vinh反相。

  當(dāng)Vinh為高電平MN3管打開,,VOUT端通過D1,、MN3、MN4形成對地的電流通路,,VB拉低到VOUT電壓以下,,以保證MN1處于關(guān)閉狀態(tài);同時(shí)打開MP0管,,從而對MN0管柵極迅速充電并打開,,其中R0為限流電阻。在上管打開期間,,VOUT保持高電壓,,D1、MN3,、MN4通路會有持續(xù)漏電流,,因此MN7選用較小尺寸同時(shí)增加MN5、MN6管,,在Vinh變?yōu)楦唠娖剿查g產(chǎn)生一個(gè)高電平脈沖Vm打開MN5管,,為MN1柵極電荷提供額外的泄放通路,降低靜態(tài)電流,,減小導(dǎo)通時(shí)間,。

  當(dāng)Vinh為低電平時(shí),MN3,、MP0管關(guān)閉,,MP1、MP2管打開,,VCP端通過R1,、MP2、D2形成到VOUT的通路,,VA拉高并保持高于VOUT電壓6 V左右,,VB通過MN2跟隨VD升高打開MN1管,從而使MN0柵極電容迅速放電并關(guān)斷;同樣地,,由于在上管關(guān)閉期間R1,、MP2、D2通路存在持續(xù)漏電流,,因此R1選擇大阻值以降低靜態(tài)電流,,MP1、MN2為MN1提供低阻抗充電通路,,大大降低關(guān)閉時(shí)間,。

  上述設(shè)計(jì)中較小的靜態(tài)電流和開關(guān)時(shí)間保證了較低的靜態(tài)功耗和開關(guān)功耗。

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  下管柵極驅(qū)動電路如圖5所示,,數(shù)字控制信號Vinl通過電平轉(zhuǎn)換電路MP0′,、MN1′對下管MN0′充放電,從而實(shí)現(xiàn)功率管的打開和關(guān)閉,。R0′,、R1′、D0′與上管驅(qū)動中R0,、R1,、D0作用一致。

  為了避免橋臂直通,,本電路在柵極控制信號Vinh和Vinl之間了設(shè)置合理的死區(qū)時(shí)間,,使兩者同時(shí)為零。

  在柵極驅(qū)動電路中,,限流電阻的選擇對于開關(guān)功耗至關(guān)重要,。減小限流電阻阻值能減小開關(guān)時(shí)間及開關(guān)功耗,但若過小,,開關(guān)功耗有可能不會降低反而急劇升高,。

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  考慮到功率管的極間電容,柵極驅(qū)動電路如圖6所示,。該圖表示上管MN0關(guān)閉,,下管MN0′打開瞬間的情況。下管MN0′打開,,VOUT電壓下降,,下管柵極驅(qū)動僅對米勒電容CGD2充電,充電電流為i0,,此時(shí)MN0′的柵源電壓恒定且近似為功率管閾值電壓VTH,。VOUT下降速率如式(5)所示,為定值,。因?yàn)镸P0′的導(dǎo)通電阻相比限流電阻R0′較小,,式中忽略了它的影響。

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  上管MN0的柵源電壓VGS1由式(6)給出,其中RMN1表示MN1的導(dǎo)通電阻,。

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  通過式(6)并且考慮電力MOSFET的特點(diǎn),,VGS1的最大值VGS1_MAX簡化表達(dá)式為:

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  由式(7)可以得出,,若要減小關(guān)閉時(shí)間,,需減小限流電阻R0′,同時(shí)要增加MN1管面積來減小RMN1,,因此存在性能與面積間的折中關(guān)系,。同樣,對于上管驅(qū)動中限流電阻R0有同樣關(guān)系式,。

  另外過高的dVout/dt會引起晶體管反向恢復(fù)電流增加,,導(dǎo)致功率管源-漏極電壓超過干線電壓VBB造成晶體管擊穿,上述情況需要同時(shí)加以考慮,,選取最合適的限流電阻R0′值,。

4 仿真與測試結(jié)果


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  圖7給出了帶載步進(jìn)電機(jī)正常工作時(shí)VS電壓所反映的斬波過程,VS經(jīng)歷正電壓,、負(fù)電壓和零電壓分別代表電機(jī)線圈充電,、快衰減和滿衰減。

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  圖8給出了角度細(xì)分下帶載步進(jìn)電機(jī)正常工作時(shí)VS電壓,,圖8(a)是1/16步進(jìn)時(shí)的整體正弦波形,,圖8(b)是1/4步進(jìn)時(shí)的局部臺階。波形的毛刺是正常工作過程中續(xù)流體二極管的反向恢復(fù)電流引起的,。

  其他主要參數(shù)的詳細(xì)測試結(jié)果以及目標(biāo)值如表1所示,。測試結(jié)果顯示了該電路具有較低的功耗和較高的斬波電流控制精度,很好地實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)目標(biāo),。

5 結(jié)論

  本文完成了應(yīng)用于兩相雙極性步進(jìn)電機(jī)的斬波橫流驅(qū)動電路設(shè)計(jì),,測試結(jié)果表明滿足驅(qū)動能力要求,具有較高的精度較低的靜態(tài)功耗以及動態(tài)功耗,,并且易集成角度細(xì)分控制,。同樣的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于三相及以上的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片或者直流電機(jī)中,因此具有廣泛用途,。

參考文獻(xiàn)

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