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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

2015-09-18

       中國,2015年9月16日——意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST,;紐約證券交易所代碼:STM)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET? F7系列將新增60V的產(chǎn)品線,,可協(xié)助電信,、服務(wù)器和臺式PC機(jī)的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,,最大限度提升電源功率密度,。

ST新聞稿9月16日 圖片——意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制.jpg

       STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能,,還簡化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure),,實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻,、電容和柵電荷量,并取得優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(RDS(ON) x Qg),。此外,,本征體二極管的恢復(fù)電荷(recovery charge)很低,有助于提高開關(guān)性能,。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健,,反向傳輸電容對輸入電容(Crss/Ciss)的比值低,有助于強(qiáng)化抗電磁干擾(EMI immunity),。

       意法半導(dǎo)體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流(synchronous rectification)電路定制,,能夠以更少的并聯(lián)器件達(dá)到最大目標(biāo)電流,以此提高功率密度,、降低元器件使用數(shù)量,。該系列共有12款產(chǎn)品,覆蓋了所有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電源,,最大輸出電流從90A到260A(在Tc=25°C下,,硅限制連續(xù)漏極電流)。新產(chǎn)品提供多個(gè)封裝選擇,,包括PowerFLAT? 5x6,、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK,、D2PAK、TO-220,、TO-220FP,、雙引腳或六引腳H2PAK。

       所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)(包括采用PowerFLAT 5x6封裝的90A STL90N6F7),。

關(guān)于意法半導(dǎo)體

       意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics; ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,,提供創(chuàng)新先進(jìn)的產(chǎn)品及解決方案,為人們帶來更智能且具有更高能效的電子產(chǎn)品,,提升日常生活的便利性,。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品無處不在,致力于與客戶共同努力實(shí)現(xiàn)智能駕駛,、智能工廠,、智能城市和智能家居,以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體主張智能科技引領(lǐng)智慧生活(life.augmented)的理念,。

       意法半導(dǎo)體2014年凈收入74.0億美元,,在全球各地?fù)碛?0萬客戶。


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