中芯國(guó)際執(zhí)行副總裁李序武表示，28納米制程除了第一家客戶高通(Qualcomm)量產(chǎn),，博通(Broadcom)和華為旗下海思28納米也會(huì)到中芯生產(chǎn),，大陸本地IC設(shè)計(jì)公司對(duì)28納米需求更是超強(qiáng),。但談到臺(tái)積電到大陸設(shè)12吋晶圓廠，李序武坦言“臺(tái)積電的實(shí)力強(qiáng)到我每天都睡不好!”
李序武表示,，中芯目前28納米制程良率很不錯(cuò),，但仍是有改善空間，重要的是,，高通愿意作為第一家量產(chǎn)28納米制程的客戶,，對(duì)于中芯高度肯定，目前量產(chǎn)的28納米是PolySiON制程,，下一個(gè)目標(biāo)是趕快將28納米的HKMG制程做出來(lái),。很多大客戶都在等待28納米的HKMG制程，一旦量產(chǎn),，海思和博通都會(huì)來(lái)中芯投產(chǎn),。
除了這些國(guó)際IC設(shè)計(jì)大客戶之外，另一波絕對(duì)不容忽略的趨勢(shì),，是大陸本地IC設(shè)計(jì)公司對(duì)于28納米制程需求超強(qiáng),，很多本地IC設(shè)計(jì)客戶都說(shuō)“只要中芯28納米HKMG就緒，隨時(shí)去投產(chǎn)”而這也意味著,，其實(shí)來(lái)自客戶端的壓力逼得緊,。
近期在種種因素考量下，臺(tái)積電也將到大陸設(shè)立12吋晶圓廠,，李序武表示,，臺(tái)積電技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)力超強(qiáng)，強(qiáng)到讓他每天都睡不好,。也期許中芯在先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)和良率驅(qū)動(dòng)會(huì)更加一把勁,。
中芯日前宣布和高通,、華為、比利時(shí)微電子(Imec)一起開(kāi)發(fā)14納米FinFET制程,，目前Imec已有一個(gè)團(tuán)隊(duì)常駐在中芯廠內(nèi),，但主要技術(shù)開(kāi)發(fā)重任仍是要中芯努力，Imec只是要提供一些基礎(chǔ)技術(shù)和專(zhuān)利,，李序武也表示,，這確實(shí)可以讓中芯少走一些冤枉路。
中芯在投入14納米FinFET制程之前,，也評(píng)估過(guò)像是FD-SOI技術(shù),，這技術(shù)在2年前非常吸引人，雖然整體表現(xiàn)沒(méi)有FinFET制程好,，但FD-SOI技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是相較于現(xiàn)有制程改變不多,，但最后還是走FinFET制程，主要是因?yàn)槎鄶?shù)客戶都是需要FinFET制程,。
李序武也指出,，中芯的14納米FinFET制程預(yù)計(jì)在2018年早期風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)(Risk Production)，此前中芯宣布的量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)是2020年,。
除了先進(jìn)制程追著摩爾定律跑,，在“超越摩爾定律”(More than Moore)布局上，看好智能型手機(jī),、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代下MEMS感測(cè)器需求大爆發(fā),，據(jù)中芯規(guī)劃，2015年量產(chǎn)MEMS麥克風(fēng),、慣性感測(cè)器(Inertial Sensing),，預(yù)計(jì)2016年量產(chǎn)壓力感測(cè)器等，一步步齊全MEMS感測(cè)器產(chǎn)品線全線技術(shù),。
針對(duì)未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù),，李序武也指出三大技術(shù)趨勢(shì)，第一是整合型芯片,，如MCU+RF/Wireless,、MCU+eNVM+ RF/Wireless;第二是低功耗技術(shù)Ultra-Low Power;第三是3DIC/TSV/WLCSP等封裝技術(shù)。
針對(duì)RF/Wireless芯片,，中芯現(xiàn)以0.11微米,、65/55/20納米制程技術(shù)生產(chǎn)，未來(lái)除了既有的0.11微米制程,，以及65/55納米制程,，也會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)40/28納米制程技術(shù);嵌入式存儲(chǔ)器Embedded NVM/MCU技術(shù)上，目前是以0.18/0/13微米LL eNVM技術(shù)為主，未來(lái)會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)0.11微米和55/40/28納米ULL eNVM技術(shù),。
在電源管理芯片PMIC產(chǎn)品上,，技術(shù)會(huì)由0.18~0.13微米LG/LDMOS轉(zhuǎn)到65/55納米Ultra Efficient LG/LDMOS;在影像感測(cè)器CIS上，目前以0.18~0.11微米,、90~55納米制程為主,，未來(lái)會(huì)轉(zhuǎn)到90納米～55/40納米3D CIS技術(shù),。
目前中芯國(guó)際有四個(gè)生產(chǎn)基地,，12吋晶圓廠以北京和上海廠為主，北京12吋晶圓一廠月產(chǎn)能3.7萬(wàn)片,，制程技術(shù)為0.18微米~55納米,，二廠剛開(kāi)始量產(chǎn)，未來(lái)會(huì)以先進(jìn)制程40~28納米為主;上海12吋廠月產(chǎn)能為1.4萬(wàn)片,，制程技術(shù)也是鎖定45/40~28納米;其他8吋廠有上海,、深圳和天津廠。