新材料和IGBT是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的熱門(mén)話(huà)題,。新材料主要是GaN, SiC這些寬帶隙(WBG)材料,。WBG材料前景非常好! 目前仍有許多問(wèn)題需要克服,。

       寬禁帶半導(dǎo)體材料的主要電性測(cè)試，用簡(jiǎn)單的器件結(jié)構(gòu)來(lái)驗(yàn)證新材料的高壓／高流下的ＩＶ特性,。

       (大)功率半導(dǎo)體器件(有時(shí)也稱(chēng)電力電子器件)，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件, 如整流,開(kāi)關(guān)器件等（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,，電壓為數(shù)百伏以上）,。其中典型代表為 GTO (門(mén)極或關(guān)斷晶閘管), GTR(電力晶體管, 巨型晶體管),power MOSFET(功率場(chǎng)應(yīng)晶體管), IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等。

功率半導(dǎo)體器件的主要特性：

       吉時(shí)利產(chǎn)品專(zhuān)注于器件級(jí)特性分析,，可以提供功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)測(cè)試解決方案,。完善的解決方案包括SMU儀器、電纜,、測(cè)試夾具,、軟件、測(cè)試程序庫(kù)和樣本器件。

功率半導(dǎo)體測(cè)試中的幾個(gè)要點(diǎn)：

A. 高電流測(cè)試時(shí)的連線(xiàn)方法-- 四線(xiàn)法連線(xiàn)（remote sense）,。

Ｂ. 自熱效應(yīng)-- 脈沖測(cè)試（Pulse Measurement）,。

C. 高壓電容測(cè)試-- BiasT, Protection Module, CV測(cè)試。

D. 器件振蕩及解決方案,。