《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設計 > 設計應用 > 基于鉗位電路的碳納米管薄膜聲源系統優(yōu)化
基于鉗位電路的碳納米管薄膜聲源系統優(yōu)化
2015年電子技術應用第12期
游 洋1,李 雙1,程予露1,,李 達2
1.蘇州大學 城市軌道交通學院,,江蘇 蘇州215006,;2.中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所,,江蘇 蘇州215123
摘要: 碳納米管薄膜是一種由碳原子組成的新型納米材料,可被制作成一種基于熱致發(fā)聲效應的揚聲器,。針對碳納米管薄膜電-熱-聲系統的頻率失真問題,,提出添加鉗位電路的解決方法,并進行了理論研究和實驗驗證,。結果表明,,加入鉗位電路后,系統輸出的聲波頻率與輸入電壓頻率變?yōu)橐恢?,且聲能量顯著增大,,聲壓級提高約5 dB。與傳統疊加直流偏置電壓的方法相比,,無需直流電源,,降低了系統功耗。
中圖分類號: TB54
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2015.12.014

中文引用格式: 游洋,,李雙,,程予露,,等. 基于鉗位電路的碳納米管薄膜聲源系統優(yōu)化[J].電子技術應用,,2015,41(12):54-57.
英文引用格式: You Yang,,Li Shuang,,Cheng Yulu,,et al. Optimization of carbon nanotube thin film loudspeaker system based on clamp circuit[J].Application of Electronic Technique,2015,,41(12):54-57.
Optimization of carbon nanotube thin film loudspeaker system based on clamp circuit
You Yang1,,Li Shuang1,Cheng Yulu1,,Li Da2
1.School of Urban Rail Transportation,,Soochow University,Suzhou 215006,,China,; 2.Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics(SINANO),Chinese Academy of Sciences,,Suzhou 215123,,China
Abstract: Carbon nanotube film is a kind of new nanomaterials composed of carbon atoms and can be made into a new kind of loudspeaker based on the thermophone theory. The method to add a clamp circuit is offered to solve the frequency distortion optimization problem in the carbon nanotube thin film loudspeaker system. This solution has been theoretically and experimentally investigated in this paper. Results indicate that the output acoustic frequency is equal to the input voltage frequency after adding the clamp circuit. Besides, the acoustic energy increases significantly and the sound pressure level(SPL) improves about 5 dB. Compared with the traditional way to add the direct current bias, the solution in this paper dispenses with the direct-current power supply and reduces system power consumption.
Key words : carbon nanotube film;clamp circuit,;frequency distortion,;direct current bias

    

0 引言

    熱致發(fā)聲器(Thermophone)[1]的基本原理是利用交流電加熱薄膜,使薄膜產生與電信號相關的熱信號,,利用薄膜與周圍空氣的熱傳導,,使薄膜周圍空氣產生與熱信號相一致的膨脹與壓縮,進而產生聲波,,實現電-熱-聲的轉換,。一個世紀以前,Arnold和Crandall通過對700 nm厚鉑薄膜的研究,,驗證了熱致發(fā)聲器理論的可行性,。但是由于當時材料的局限性(頻率響應范圍較窄,單位面積比熱容高),,熱致發(fā)聲器的研究并沒有突破性的進展,。

    近年來,納米技術的突飛猛進,,給熱致發(fā)聲器的研究開辟了一條新的道路,。2008年清華大學物理系范守善院士科研組研究出了一種新型碳納米管(Carbon Nanotube)薄膜揚聲器[2],并且對其平均聲壓響應的公式進行了建模,。2013年香港城市大學童立紅等對這一公式進行了修正[3],,使其在高頻部分與實驗數據更加吻合。2014年美國UT Dallas的Aliev A E對碳納米管薄膜的熱學性能進行了相關研究[4],,測試了其所能承受的最大輸入功率,。本文研究使用的碳納米管薄膜,由中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件與材料研究部李清文研究組生產制造并提供。

    碳納米管薄膜具有透明,、質量輕,、單位面積熱容低及可塑性強等優(yōu)點,可以被制作成各種形狀的揚聲器以適應不同的環(huán)境需求[5],。但是由于其發(fā)聲原理[6],,使得碳納米管薄膜揚聲器的輸出聲音頻率為輸入電壓信號的兩倍,產生頻率失真,。本文提出添加鉗位電路[7]的方法,,對碳納米管薄膜聲源電-熱-聲系統的頻率失真問題進行理論研究和實驗驗證。結果表明,,加入鉗位電路之后,,系統輸出聲音頻率與輸入電壓信號頻率一致,且聲壓顯著增大,,聲壓級提高約5 dB,。與傳統疊加直流偏壓方法相比,該方法無需直流電源,,降低了系統功耗,。

1 碳納米管薄膜揚聲器的頻率失真

    由文獻[2]可知,在1 MHz輸入信號頻率以內,,碳納米管薄膜的電阻隨頻率的變化不明顯,,所以碳納米管薄膜可以看作是一個純阻抗電阻。當碳納米管薄膜揚聲器的輸入為正弦交流信號:

ck2-gs1-5.gif

    其中Pin為輸入平均熱功率,,f為聲音頻率,,其他參數詳見文獻[2]。

    薄膜的輸出聲壓頻率是輸入電壓信號頻率的2倍,。

2 添加直流偏置電壓后的聲壓頻率變化

    對于碳納米管薄膜電-熱-聲系統的頻率失真問題,,可添加直流偏置電壓進行解決,一般為串聯直流電壓源,,如圖1所示,。

ck2-t1.gif

    添加了直流偏置電壓之后,輸入薄膜的電壓瞬時值為:

    ck2-gs6.gif

    根據焦耳定律,,產生的瞬時焦耳熱量,,也就是揚聲器的瞬時功率為:

ck2-gs7-9.gif

ck2-t2.gif


ck2-t3.gif

    圖3為輸入1 kHz交流信號時薄膜產生聲壓的波形圖和頻譜(測試值)。由此可知該方法存在一定弊端:

    (1)需要額外電源,,揚聲器系統能耗變大,。

    (2)由于直流電源內阻問題,部分交流信號直接通過直流電源,,而產生較高的兩倍頻率的聲壓失真,。

    為了更好地改進碳納米管薄膜聲源系統,,本文提出添加鉗位電路的方法。   

3 添加鉗位電路后的薄膜聲學響應

    鉗位電路是二極管的一種應用,,經常用于各種顯示設備中[7],其主要功能是:將輸入信號的位準予以上移或下移,,并不改變輸入信號的波形,。圖4為無源鉗位電路的原理圖,其基本元件有二極管D,、電容C,、電阻R。需要注意信號周期T須遠小于時間常數τ,,其中τ=R×C,。一般通過5個時間常數τ,電容充電基本結束,,電壓瞬時值為Uin=U1sin(ωt)+U1,。

ck2-t4.gif

    圖5為示波器顯示的輸入信號和經鉗位電路后的輸出信號的波形對比。

ck2-t5.gif

當輸入信號Uin=U1sin(ωt)通過鉗位電路后,,輸入薄膜的電壓信號變?yōu)閁in=U1sin(ωt)+U1,,由式(9)可知,輸入信號的平均熱功率為ck2-t5-x1.gif

    文獻[2]所建立的聲壓模型,,沒有考慮疊加直流偏壓或鉗位電路的情況,。通過以上的分析可知,加入鉗位電路之后,,揚聲器系統輸入功率有效值增大了三倍,;碳納米管薄膜產生聲壓的頻率發(fā)生了改變,其主頻與輸入信號的頻率保持一致,。

    綜上所述,,基于鉗位電路的碳納米管薄膜揚聲器聲壓的理論模型可修改為:

    ck2-gs10.gif

    與原聲壓公式相比,平均聲壓增大3倍,,換算成聲壓級,,增大了9.54 dB。

    對添加鉗位電路的碳納米管薄膜的聲學響應進行測試,。采用DASPV10多功能數據采集儀,,實驗在蘇州大學城市軌道交通學院半消聲室進行。

    采用單層13 cm×9 cm方形碳納米管薄膜,,內阻為1.2 kΩ,,附著在銅線所圍成的框架上,底部為絕緣塑料板,,實物照片和結構簡圖見圖6,。

ck2-t6.gif

    揚聲器系統結構如圖7所示,。

ck2-t7.gif

    鉗位電路參數:擊穿電壓為50 V(小于實驗最大輸入電壓有效值30 V),壓降為0.7 V的二極管(壓降0.7 V遠小于實驗輸入電壓有效值,,可將其設為理想二極管),,電容C=4.7 μF,時間常數τ=5.64 ms,,碳納米管薄膜內阻為R=1.2 kΩ,。

    輸入頻率為0.5 kHz的電壓信號,加鉗位電路前,,薄膜輸出聲壓頻率為1 kHz,;加入鉗位電路之后,輸出聲壓頻率變?yōu)?.5 kHz,,與輸入頻率保持一致,,如圖8,但由于T=2 ms,,接近于時間常數τ,,所以聲壓波形有些變形。

ck2-t8.gif

    當輸入電壓頻率升高時,,由于周期T遠小于時間常數τ,,輸出聲壓波形的變形減小,更接近于正弦波形,,如圖9,。

ck2-t9.gif

    圖10和圖11為加入鉗位電路前后薄膜輸出的聲壓級隨輸入電壓和頻率的變化情況??梢?,加入鉗位電路之后所產生的聲壓級增大5 dB左右,且揚聲器較好的頻率響應出現在2 kHz~5 kHz,。

ck2-t10.gif

ck2-t11.gif

    由于實驗中所用的碳納米管薄膜附著的框架手工制作,,工藝比較粗糙,有的部分出現開叉,,且附著在銅線上不均勻,,導致實測電阻存在一定誤差。薄膜放置于絕緣塑料硬板上,,不同于理論聲壓公式中懸空放置,,導致鉗位電路實際增大的聲壓級小于理論增大值。

4 結論

    針對碳納米管薄膜聲源系統的特點,,提出添加鉗位電路的方法,,并進行了理論研究和實驗驗證。研究結果表明:

    (1)加入了鉗位電路后,,輸出聲壓主頻與輸入交流電信號頻率保持一致,,克服了薄膜熱致發(fā)聲效應的頻率失真問題,,運用于揚聲器系統中能更好地還原輸入的音頻信號。

    (2)在保持輸出聲壓與輸入電信號頻率一致的同時,,鉗位電路還能增大輸入功率,,提高聲能量使得聲壓增大,提高了碳納米管薄膜揚聲器的性能,。

    (3)鉗位電路結構簡單,,無需添加額外直流電源,使得碳納米管薄膜揚聲器耗能不至于過高,,能起到降低成本的作用,。

參考文獻

[1] 吳宵軍,,董衛(wèi),,陳艷,等.一種新型的音頻電聲實驗裝置[J].電聲技術,,2009,,33(12):33-35.

[2] LIN X,ZHOU C,,CHEN F,,et al.Flexible,stretchable,,transparent carbon nanotube thin film loudspeakers[J].Nano Lett,,2008,8(12):4539-4545.

[3] LIM C W,,TONG L H,,LI Y C.Theory of suspended carbon nanotube thinfilm as a thermal-acoustic source[J].J Sound Vib,2013,,332(21):5451-5461.

[4] ALIEV A E,,MAYO N K,BAUGHMAN R H,,et al.Thermal management of thermoacoustic sound projectors using a free-standing carbon nanotube aerogel sheet as a heat source[J].Nanotechnol,,25(40):405704.

[5] BARNARD R A,JENKINS M D,,BRUNGART A T,,et al.Feasability of a high powered carbon nanotube thin film loudspeaker[J].J Acoust Soc Am,2013,,134(3):EL276-81.

[6] LIN X,,LIU P,LIU L,,et al.High frequency response of carbon nanotube thin film speaker in gases[J].J Appl Phys,,2011,,110(8):084311-084311-5.

[7] 孫鐵成,王宏佳,,張學廣,,等.一種采用無源鉗位電路的新型零電壓零電流開關變換器[J].中國電機工程學報,2006,,26(17):72-76.

[8] 吳宵軍,,董衛(wèi),陳艷,,等.一種新型高頻熱聲裝置的實驗研究[J].聲學與電子工程,,2010(1):41-44.

[9] 萬廣通,董衛(wèi),,王紅星.一種新型熱致發(fā)聲裝置的特性研究[J].電聲技術,,2011,35(8):27-29.

此內容為AET網站原創(chuàng),,未經授權禁止轉載,。