《電子技術(shù)應(yīng)用》
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【重磅】UV LED技術(shù)重大應(yīng)用領(lǐng)域匯總

2015-12-31

  相比于UV放電燈,,UV-LED具有眾多優(yōu)點(diǎn):不含汞,無(wú)環(huán)境污染,,無(wú)健康風(fēng)險(xiǎn),;壽命長(zhǎng);輻射衰減??;便于控制和調(diào)節(jié)等。因此UV-LED具有廣闊的應(yīng)用前景,,可用于固化,、檢測(cè)、醫(yī)療,、美容,、殺菌、消毒,、通信等眾多領(lǐng)域,。

  醫(yī)療(光療法)

  Inada等用紫外LED(365 nm)對(duì)Jurkat腫瘤細(xì)胞進(jìn)行了照射。通過比對(duì),,用紫外LED和傳統(tǒng)光源系統(tǒng)照射后細(xì)胞凋亡和壞死的數(shù)量是近似一致的,。這證明,紫外LED具有作為光療用的全新光源的潛力和可能性,,可以替代系統(tǒng)笨重,、壽命短暫、能耗較大的傳統(tǒng)紫外熒光燈,。

  熒光檢測(cè)(生物檢測(cè))

  針對(duì)熒光檢測(cè)中連續(xù)UV光激發(fā)難以提供周期性響應(yīng),、無(wú)法形成清晰的熒光分析圖像,且有機(jī)物的熒光強(qiáng)度隨曝光時(shí)間而衰減等問題,,Huang等人使用了一個(gè)可調(diào)脈沖控制模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)有機(jī)染料BL-ORT的熒光測(cè)試,。該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如下圖所示,脈沖控制模塊的周期可調(diào)范圍為1~1 000 ms,,用來(lái)提高電源穩(wěn)定性以及光源輻射的均勻性,。LED模組采用了6個(gè)3W的405 nm UV-LED和6個(gè)3 W的375 nm UV-LED用于熒光檢測(cè),并裝有3個(gè)白光LED來(lái)提供可見圖像的一般照明。當(dāng)BL-ORT被周期30 ms的脈沖UV-LED光激發(fā)時(shí),,可以獲得大部分的完整熒光數(shù)據(jù),。而且這種脈沖激發(fā)光源的能耗可降低至50%。該系統(tǒng)可用于生化反應(yīng),、安保,、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的熒光檢測(cè),。

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  污水處理(殺菌消毒)

  Chevremont等以廢水中的細(xì)菌和化學(xué)指標(biāo)來(lái)評(píng)估UV-A或UV-C LED及兩者結(jié)合對(duì)城市污水的處理效果,。實(shí)驗(yàn)監(jiān)測(cè)了城市污水中排泄物生物指標(biāo)的殘存率和肌酸酐和苯酚的氧化率,結(jié)果表明,,與單獨(dú)使用一種UV-LED相比,,結(jié)合使用UV-A和UV-C兩種LED能夠更有效地減少?gòu)U水中微生物的含量,且可以氧化37%的肌酸酐和苯酚,,該結(jié)果堪比使用諸如TiO2等光催化劑的效果,。這種方法能夠有效再生利用城市廢水,對(duì)于很多水資源匱乏的國(guó)家而言具有重要的意義,。

  化合物降解(光降解)

  Roddick等研究了255 nm UV-LED與H2O2結(jié)合的間歇式反應(yīng)器對(duì)于處理高鹽的城市污水中的反滲透濃縮物的效果,。以溶解有機(jī)碳(DOC)濃度、顏色以及酸堿度(pH值)作為檢測(cè)指標(biāo),。研究結(jié)果表明,該反應(yīng)器能夠造成發(fā)色團(tuán)化學(xué)鍵斷裂并改變分子結(jié)構(gòu),,將高分子量的化合物降解為低分子量化合物,。凝結(jié)物導(dǎo)致DOC濃度、顏色等指標(biāo)減小,,而后續(xù)的UVC/H2O2處理造成這些參數(shù)進(jìn)一步降低,。這證明UV-LED在反滲透濃縮物降解處理領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。

  印刷光刻(光固化)

  紫外固化是目前UV-LED應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的主要方向之一,。博林格林州立大學(xué)的研究組在2007年比較了UV-LED與傳統(tǒng)UV光源用于丙烯酸酯固化的效果,,研究了兩者的聚合速率以及生成的涂層性能,證實(shí)了UV-LED可以替代傳統(tǒng)UV光源用于各種固化應(yīng)用領(lǐng)域,。

  Huang等評(píng)估了在電路板印制過程中用高功率紫外LED替代傳統(tǒng)紫外燈的可能性,。該文介紹了兩種光模塊:第1種包含6個(gè)1 W的UV-LED,排列成直徑為50 mm的環(huán)形,;第2種包含12個(gè)3 W的LED,,焊接于一個(gè)直徑為100 mm的MC-PCB上。兩種模塊都能發(fā)射峰值波長(zhǎng)為400 nm的光譜,。為了得到平行光源,,第1種光模塊使用了拋物線反射器,使得光強(qiáng)增加了6~10倍并將光束角從140°減小到了30°。為了接近實(shí)際的過程,,只將紫外光源替換成UV-LED模塊,,自動(dòng)化系統(tǒng)上的其他所有參數(shù)保持不變,在刻蝕完成后,,觀察圖案并用圖像測(cè)量軟件進(jìn)行測(cè)量,。根據(jù)PCB標(biāo)準(zhǔn),只有相對(duì)誤差低于15%的樣品才能被接受,。結(jié)果顯示,,紫外LED在PCB印刷中的使用具備可行性。

  哈立法大學(xué)研究組開發(fā)了一個(gè)低成本的便攜式UV-LED光刻系統(tǒng),,采用172個(gè)主波長(zhǎng)380 nm的InGaN UV-LED陣列封裝在3×3 in2的區(qū)域,,如下圖所示。系統(tǒng)的曝光時(shí)間和功率可以由電子控制器精確調(diào)控,,最小特征尺寸約為5 μm,。與傳統(tǒng)接觸式光刻相比,UV-LED光刻系統(tǒng)價(jià)格更低廉,,可以使用現(xiàn)有設(shè)備改建,,且操作設(shè)備簡(jiǎn)單。UV-LED光刻降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性,,可以作為大制程窗口微型結(jié)構(gòu)光刻的1種理想備選方案,,非常適合微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS),、微流體應(yīng)用等,。

  芯片性能

  近年來(lái),UV-LED的芯片性能得到了快速提高,。

  NUV-LED的輻射效率已達(dá)到30%以上,,單顆LED的輻射功率已達(dá)到十幾瓦,并且在進(jìn)一步提高,。隨著封裝功率密度的提高以及系統(tǒng)設(shè)計(jì)的改進(jìn),,大功率NUV-LED有望真正實(shí)際應(yīng)用于各種紫外領(lǐng)域,成為傳統(tǒng)UV放電燈的補(bǔ)充和替代品,。在光固化行業(yè)可以實(shí)現(xiàn)大幅度節(jié)能,、提升涂層品質(zhì),具有極大的應(yīng)用前景,。

  DUV-LED受制備工藝技術(shù)的限制,,芯片效率較低,目前批量產(chǎn)品的輻射效率小于2%,。降低有源層位錯(cuò)密度,、提高外量子效率是DUV-LED芯片研究的主要方向,。

  UV-LED在醫(yī)療、檢測(cè),、殺菌,、消毒、降解,、光刻等領(lǐng)域的應(yīng)用效果已得到了驗(yàn)證和改進(jìn),。


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