美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)與IBM的研究人員開發(fā)了一種溝槽(trenching)技術(shù),，能被用以透過定向自組裝(self-directed assembly)來打造元件,。

　　研究人員表示,，金奈米粒子能像是鏟雪機(jī)那樣運(yùn)作，在磷化銦(indium phosphide)或其他半導(dǎo)體材料層翻攪而過,，形成奈米通道,。這種技術(shù)可望被用來在所謂的實驗室單晶片(lab-on-a-chip)元件上整合雷射,、感測器,、波導(dǎo)(wave guides)與其他光學(xué)零組件，支援疾病診斷,、篩選實驗性材料與藥物,、DNA檢驗等等。

　　金粒子的通道挖掘能力是偶然被發(fā)現(xiàn)的,，在一個因為污染物而失敗的奈米線(nanowires)形成實驗中,；NIST化學(xué)研究員Babak Nikoobakht表示：“一開始我們非常失望，”但是研究團(tuán)隊無心插柳,，發(fā)現(xiàn)污染物是水,。該實驗的掃描電子顯微鏡影像顯示，結(jié)合水汽的金奈米粒子導(dǎo)致了長長直直的奈米通道,。

　　在磷化銦半導(dǎo)體的表面上形成的表面定向奈米通道電子顯微鏡影像,；那些奈米通道是利用金催化汽態(tài)-液態(tài)-固態(tài)蝕刻制程所形成，而其位置則是由沉積的金圖形(pattern)所定義

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　　研究團(tuán)隊接下來梳理出實現(xiàn)該蝕刻制程所需的化學(xué)機(jī)制與必要條件,，選擇性地在半導(dǎo)體表面涂布金并將之加熱；一旦加熱完成,，底層的磷化銦就會融入金奈米粒子,，形成金合金。他們接下來將加熱的水蒸汽導(dǎo)入系統(tǒng),，發(fā)現(xiàn)當(dāng)水蒸汽溫度達(dá)到攝氏440度以上時,，會形成長長的V型奈米通道；那些通道下方的直線路徑,，是由結(jié)晶半導(dǎo)體內(nèi)的規(guī)律重復(fù)晶格所支配,。

　　研究人員也能將上述技術(shù)應(yīng)用于磷化鎵(gallium phosphide)與砷化銦(indium arsenide)，這兩種半導(dǎo)體材料也是屬于三五族,；這類化合物半導(dǎo)體被用以制作LED,，或是支援通訊,、高速電子等應(yīng)用。Nikoobakht表示,，他相信這種蝕刻制程經(jīng)過調(diào)整之后,，能被用以在矽等材料上制作通道圖案。