Flash原廠主要是三星、東芝/閃迪,、美光、SK 海力士,，三星2014下半年就以16nm TLC/MLC量產(chǎn),，2015年提高16nm TLC量產(chǎn)規(guī)模,，由于16nm TLC 128Gb較東芝15nm TLC 128Gb在閃存卡和U盤價格上沒有競爭力,，大量用于eMCP/eMMC,，并從下半年開始轉進14nm量產(chǎn),。東芝/閃迪2015上半年由A19nm向15nm轉換，其中15nm MLC主要用于eMMC和SSD生產(chǎn),，15nm TLC滿足閃存卡、U盤等大容量需求,。

美光2015上半年是由18nm全面轉向16nm,，16nm MLC L94C和L95B滿足eMMC和SSD需求,，16nm TLC B95A和B95B增強了LDPC ECC糾錯能力，并將16nm TLC用于自家SSD中,。SK海力士技術提升比較快，2015年基本已轉入

16nm MLC/TLC工藝量產(chǎn),，由于16nm 128Gb TLC品質穩(wěn)定,，除了獲得蘋果iPhone采用,，還用于供應其它廠商TLC SSD生產(chǎn)，并規(guī)劃在2016年初向14nm轉進,，進一步提高NAND Flash產(chǎn)量。

2014年1ynm MLC較1xnm MLC每片Wafer晶圓Flash Die產(chǎn)出可增加25%,，2015年Flash原廠全面向1ynm TLC規(guī)?；慨a(chǎn),，與1ynm MLC比較,，每片晶圓Flash Die產(chǎn)量可增加30%，成本下滑20%,。以三星工藝技術為例,，一個12吋晶圓，三星采用16nm工藝大約切割出750片的64Gb MLC Flash Die,，同樣采用16nm工藝大約切割出1000片的64Gb TLC Flash Die,，每片晶圓產(chǎn)能將增加33%,，成本降低20%，這也是NAND Flash價格快速下滑的主因,。

市場供過于求,，閃存產(chǎn)品價格跌幅達35%

2015年三星,、東芝/閃迪、美光,、SK海力士等NAND Flash供應量合計超過800億GB當量,，其中三星采用16nm TLC和48層3D技術提高產(chǎn)量,，月產(chǎn)出在22億GB當量,，主要滿足智能型手機,、平板、SSD等需求,，大約占32%的市場份額,。東芝和閃迪Fab 4和Fab 5工廠合計月產(chǎn)出約25億GB當量,，受15nm TLC工藝量產(chǎn)延后和內部重整等影響,，市場占有率下滑至20%,，閃迪則受企業(yè)級SSD認證遞延以及NAND Flash價格下跌拖累,，市占率下滑至15%,。美光擴大16nm TLC量產(chǎn),，并逐步減少MLC市場供貨,，月產(chǎn)出量約12億GB當量,，SK海力士產(chǎn)能主要集中在DRAM,，NAND Flash月產(chǎn)出量大約為8億GB當量,，由于TLC品質好，大部分被蘋果獨攬,，而市場供貨主要以MLC為主。

2015年NAND Flash市場供應量較2014年成長20%,，供應給eMMC和SSD合計超過75%,。eMMC受惠智能型手機出貨成長，且高端機型向128GB提高帶動,，以及平板、OTT盒子,、智能電視等應用增加,，eMMC大約消耗45%的NAND Flash產(chǎn)能。而在移動設備推動下,，SSD在服務器需求快速增長,，再加上消費類SSD從128GB開始普及,，并向256GB轉移,，SSD消耗NAND Flash比重已提高至32%,，預計2018年將成NAND Flash最大的應用產(chǎn)品,。傳統(tǒng)存儲卡在手機市場需求快速下滑,，U盤市場需求也因PC出貨下滑和網(wǎng)絡存儲影響而一蹶不振，對NAND Flash消耗降低至18%,，2016年這一市場還會持續(xù)萎縮,。

Flash原廠1ynm TLC推動NAND Flash成本下滑20%,，閃存產(chǎn)品價格下滑是必然,，而全球智能型手機成長趨緩,，平板出貨下滑,，PC需求持續(xù)不振等卻加快了產(chǎn)品價格下滑的速度,。據(jù)中國閃存市場網(wǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示,，2015上半年市場供過于求，NAND Flash價格指數(shù)下滑15%,，下半年蘋果iPhone 6s,、三星Note 5,、華為榮耀7等新機需求帶動市況有所好轉，但仍低于市場預期,，NAND Flash價格指數(shù)累積跌幅高達35%,，其中主流產(chǎn)品eMMC和SSD平均跌幅25%，閃存卡最高跌幅40%,，U盤價格跌幅在20%左右,，預計2016上半年市場依然會供過于求，下半年市況將有所好轉,。

（來源：中國閃存市場）