Flash原廠主要是三星,、東芝/閃迪,、美光,、SK 海力士，三星2014下半年就以16nm TLC/MLC量產(chǎn),，2015年提高16nm TLC量產(chǎn)規(guī)模,，由于16nm TLC 128Gb較東芝15nm TLC 128Gb在閃存卡和U盤價(jià)格上沒有競(jìng)爭(zhēng)力，大量用于eMCP/eMMC,，并從下半年開始轉(zhuǎn)進(jìn)14nm量產(chǎn),。東芝/閃迪2015上半年由A19nm向15nm轉(zhuǎn)換，其中15nm MLC主要用于eMMC和SSD生產(chǎn),，15nm TLC滿足閃存卡,、U盤等大容量需求。
美光2015上半年是由18nm全面轉(zhuǎn)向16nm,，16nm MLC L94C和L95B滿足eMMC和SSD需求,，16nm TLC B95A和B95B增強(qiáng)了LDPC ECC糾錯(cuò)能力，并將16nm TLC用于自家SSD中,。SK海力士技術(shù)提升比較快,，2015年基本已轉(zhuǎn)入
16nm MLC/TLC工藝量產(chǎn)，由于16nm 128Gb TLC品質(zhì)穩(wěn)定,，除了獲得蘋果iPhone采用,，還用于供應(yīng)其它廠商TLC SSD生產(chǎn)，并規(guī)劃在2016年初向14nm轉(zhuǎn)進(jìn),，進(jìn)一步提高NAND Flash產(chǎn)量,。
2014年1ynm MLC較1xnm MLC每片Wafer晶圓Flash Die產(chǎn)出可增加25%，2015年Flash原廠全面向1ynm TLC規(guī)模化量產(chǎn),，與1ynm MLC比較,，每片晶圓Flash Die產(chǎn)量可增加30%，成本下滑20%,。以三星工藝技術(shù)為例,，一個(gè)12吋晶圓，三星采用16nm工藝大約切割出750片的64Gb MLC Flash Die,，同樣采用16nm工藝大約切割出1000片的64Gb TLC Flash Die,，每片晶圓產(chǎn)能將增加33%，成本降低20%,，這也是NAND Flash價(jià)格快速下滑的主因,。
市場(chǎng)供過于求，閃存產(chǎn)品價(jià)格跌幅達(dá)35%
2015年三星,、東芝/閃迪,、美光、SK海力士等NAND Flash供應(yīng)量合計(jì)超過800億GB當(dāng)量,，其中三星采用16nm TLC和48層3D技術(shù)提高產(chǎn)量,，月產(chǎn)出在22億GB當(dāng)量，主要滿足智能型手機(jī),、平板,、SSD等需求，大約占32%的市場(chǎng)份額,。東芝和閃迪Fab 4和Fab 5工廠合計(jì)月產(chǎn)出約25億GB當(dāng)量,，受15nm TLC工藝量產(chǎn)延后和內(nèi)部重整等影響，市場(chǎng)占有率下滑至20%,，閃迪則受企業(yè)級(jí)SSD認(rèn)證遞延以及NAND Flash價(jià)格下跌拖累,，市占率下滑至15%。美光擴(kuò)大16nm TLC量產(chǎn),，并逐步減少M(fèi)LC市場(chǎng)供貨,，月產(chǎn)出量約12億GB當(dāng)量，SK海力士產(chǎn)能主要集中在DRAM,，NAND Flash月產(chǎn)出量大約為8億GB當(dāng)量,，由于TLC品質(zhì)好，大部分被蘋果獨(dú)攬,，而市場(chǎng)供貨主要以MLC為主,。
2015年NAND Flash市場(chǎng)供應(yīng)量較2014年成長(zhǎng)20%，供應(yīng)給eMMC和SSD合計(jì)超過75%,。eMMC受惠智能型手機(jī)出貨成長(zhǎng),，且高端機(jī)型向128GB提高帶動(dòng),，以及平板、OTT盒子,、智能電視等應(yīng)用增加，eMMC大約消耗45%的NAND Flash產(chǎn)能,。而在移動(dòng)設(shè)備推動(dòng)下,，SSD在服務(wù)器需求快速增長(zhǎng)，再加上消費(fèi)類SSD從128GB開始普及,，并向256GB轉(zhuǎn)移,，SSD消耗NAND Flash比重已提高至32%，預(yù)計(jì)2018年將成NAND Flash最大的應(yīng)用產(chǎn)品,。傳統(tǒng)存儲(chǔ)卡在手機(jī)市場(chǎng)需求快速下滑,，U盤市場(chǎng)需求也因PC出貨下滑和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)影響而一蹶不振，對(duì)NAND Flash消耗降低至18%,，2016年這一市場(chǎng)還會(huì)持續(xù)萎縮,。
Flash原廠1ynm TLC推動(dòng)NAND Flash成本下滑20%，閃存產(chǎn)品價(jià)格下滑是必然,，而全球智能型手機(jī)成長(zhǎng)趨緩,，平板出貨下滑，PC需求持續(xù)不振等卻加快了產(chǎn)品價(jià)格下滑的速度,。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)網(wǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)顯示,，2015上半年市場(chǎng)供過于求，NAND Flash價(jià)格指數(shù)下滑15%,，下半年蘋果iPhone 6s,、三星Note 5、華為榮耀7等新機(jī)需求帶動(dòng)市況有所好轉(zhuǎn),，但仍低于市場(chǎng)預(yù)期,，NAND Flash價(jià)格指數(shù)累積跌幅高達(dá)35%，其中主流產(chǎn)品eMMC和SSD平均跌幅25%,，閃存卡最高跌幅40%,，U盤價(jià)格跌幅在20%左右，預(yù)計(jì)2016上半年市場(chǎng)依然會(huì)供過于求,，下半年市況將有所好轉(zhuǎn),。
（來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)）