《電子技術(shù)應(yīng)用》
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芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍

2016-03-22

  整合光子與電子元件半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度,、增進(jìn)效能并減少功耗,,但受到制程方面的限制,一直無法廣泛應(yīng)用,。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校,、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文,,表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片,。

  據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報導(dǎo),,這顆整合7,000萬個電晶體和850個光子元件的芯片,,采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作,,與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容,因此可以大量生產(chǎn),。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器可讓微處理器和記憶體以光子直接和外接元件通訊,,不需額外的芯片或裝置管理光學(xué)元件。

  光子通訊的優(yōu)勢在于,,可透過內(nèi)建的光線波導(dǎo)或外接光纖同時傳送以不同光色加密的資料流,,并使用波長不到1微米(micron)的紅外線傳送高密度的光通訊封包,大幅增加頻寬,。這顆新芯片每平方毫米的頻寬密度達(dá) 300 Gbps,,是目前市面上電子微處理器的10~50 倍。

  根據(jù)論文所述,,制程包含作為電晶體和光學(xué)波導(dǎo)核心的晶矽層(crystalline-silicon layer)以及用于分隔晶矽層與矽承載晶圓(silicon-handle wafer)的薄埋氧化物層(buried-oxide layer),。

  由于薄埋氧化物層的厚度小于200納米,易導(dǎo)致較高的波導(dǎo)損耗,,為了控制光漏,,研究人員移除芯片上的部份基板,,并發(fā)現(xiàn)處理器功能并未受到影響。

  此外,,研究人員打造矽鍺光偵測器,,并選擇1,180納米波長作為光纖通道,,得到4.3 dB/cm的光傳播損耗,。這個電光發(fā)射器由電光調(diào)變器(electro-optic modulator)和電子驅(qū)動組成,調(diào)變器為直徑10μm,、與波導(dǎo)耦合的矽微型環(huán)共振器,。

  英特爾資深研究員Sadasivan Shankar認(rèn)為,這項(xiàng)研究替目前面臨瓶頸的電晶體技術(shù)立下新的里程碑,,使用光學(xué)元件進(jìn)行芯片到記憶體的傳輸將可降低功耗并增加時脈,。下一步的研究將以展示多波長通訊、改善光子元件以及開發(fā)新的系統(tǒng)應(yīng)用為主,。

  半導(dǎo)體技術(shù)的精進(jìn)讓芯片可執(zhí)行更多運(yùn)算,,但卻無法增加芯片間通訊的頻寬。目前芯片傳輸所消耗的功率已超過芯片功耗預(yù)算的20%,,這項(xiàng)新技術(shù)不僅在低功耗的情況下改善一個數(shù)量級的芯片通訊頻寬,,未來還可能協(xié)助達(dá)到百萬兆等級(Exascale) 的運(yùn)算。


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