中國(guó)把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為命脈來(lái)抓,，國(guó)內(nèi)最大也是最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片廠即將在武漢開(kāi)工,，總計(jì)耗資240億美元，預(yù)計(jì)在2017年到2018年開(kāi)始生產(chǎn),，而且中國(guó)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片會(huì)跳過(guò)2D NAND閃存直接進(jìn)入3D NAND閃存時(shí)代,，起點(diǎn)可不低,。不過(guò)在3D NAND市場(chǎng)上,，四大豪門(mén)已經(jīng)積累太多優(yōu)勢(shì)了,，其中三星一家的3D NAND產(chǎn)能就占到了40%，國(guó)產(chǎn)NAND閃存要想打開(kāi)市場(chǎng),，面臨的難度可想而知,。

　 　集邦科技公布的全球主要的閃存芯片供應(yīng)商報(bào)告中，三星2015年的NAND產(chǎn)能約為484.5萬(wàn)片晶圓,，主流工藝是16nm,。在3D NAND閃存上，三星是全球量產(chǎn)最早的供應(yīng)商,，2013年就量產(chǎn)V-NAND閃存了,，當(dāng)時(shí)還是32層堆棧的(第一代24層堆棧的沒(méi)有規(guī)模量產(chǎn))，之后三星 又推出了48層堆棧的第三代V-NAND閃存,，并與去年底開(kāi)始量產(chǎn),。

　　集邦科技公布的全球主要NAND廠商的產(chǎn)能及份額

　　三星在中國(guó)西安投資70億美元建設(shè)新一代晶圓廠，主產(chǎn)的就是3D NAND閃存,，在如此龐大的投資下,，三星西安工廠去年1-8個(gè)產(chǎn)值就達(dá)到了115億元。根據(jù)集邦科技的分析,，三星在2016年有可能占到全球3D NAND閃存市場(chǎng)的40.8%份額,，絕對(duì)是一家獨(dú)大。

　　SK Hynix去年的產(chǎn)能約為249萬(wàn)片晶圓,，主流工藝也是16nm,，他們的3D NAND閃存芯片要在今年Q1季度才能量產(chǎn)，主要36層堆棧的MLC及48層堆棧的TLC閃存,，3D NAND閃存市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)為3.3%,。

　　東芝/閃迪去年的產(chǎn)能約為588萬(wàn)片晶圓，主流工藝是15nm,，不過(guò)3D NAND閃存也是要到今年Q1季度量產(chǎn),，主要是48層堆棧的MLC/TLC閃存，今年預(yù)計(jì)份額為5.4%,。

　　美光/Intel合資的IMFT公司去年產(chǎn)能219.5萬(wàn)片晶圓,，主流工藝為16nm，去年Q4季度開(kāi)始量產(chǎn)32層堆棧的MLC/TLC閃存,，預(yù)計(jì)今年的份額為17.6%,。

　　此外，Intel雖然與美光合資生產(chǎn)閃存,，但去年已經(jīng)決定把中國(guó)大連的Fab 65工廠從芯片組生產(chǎn)轉(zhuǎn)向閃存制造,，總計(jì)投資55億美元，分析認(rèn)為投產(chǎn)的產(chǎn)品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint閃存,。

　　隨著三星,、Intel等國(guó)際公司擴(kuò)大中國(guó)晶圓廠的3D NAND閃存產(chǎn)能，中國(guó)大陸所占的3D NAND產(chǎn)能有可能從目前的8%提高到2017年的超過(guò)10%,。

　 　另一方面,，中國(guó)本土自建的國(guó)產(chǎn)NAND工廠本月底正式動(dòng)工，預(yù)計(jì)2017年到2018年正式建成投產(chǎn),，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng),，而且所生產(chǎn)的芯片直 接進(jìn)入3D NAND閃存時(shí)代，技術(shù)來(lái)源是飛索半導(dǎo)體,，但不確定他們的3D NAND閃存具體是什么工藝,，技術(shù)水平與三星,、Intel相比如何。

　　國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片晶圓廠的產(chǎn)能目標(biāo)是每月20萬(wàn)片晶圓,，算起來(lái)一年就是240萬(wàn)片了,，差不多達(dá)到了SK Hynix現(xiàn)在的水平，不過(guò)月產(chǎn)20萬(wàn)片晶圓的目標(biāo)不是一蹴而就的,，一座晶圓廠通常的月產(chǎn)能不過(guò)是數(shù)萬(wàn)片,，所以20萬(wàn)片的月產(chǎn)能需要多年的產(chǎn)能建設(shè)才有可能。