4 月 8 日消息,，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線,。
這是繼 2009 年英飛凌,、奇夢達德國 DRAM 工廠破產關停后,，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產。
雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術,。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層,，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級別,，同時保持斷電不丟失數據的特性,。
注：FeRAM 類似于 SDRAM,，是一種隨機存取存儲器技術。它使用了一層有鐵電性的材料,，取代原有的介電質,，因此也擁有了非揮發(fā)性內存的功能。
FMC 首席執(zhí)行官 Thomas Rueckes 解釋稱：“鉿氧化物的鐵電效應將 DRAM 電容轉變?yōu)榉且资源鎯卧?，在保持高性能的同時實現(xiàn)低功耗,，特別適合 AI 運算的持久內存需求?！?/p>
合作雙方將依托 Neumonda 開發(fā)的 Rhinoe,、Octopus、Raptor 三大測試系統(tǒng),，構建從研發(fā)到量產的完整鏈條,。
Neumonda 首席執(zhí)行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標是重建德國的存儲芯片產業(yè)，本次合作邁出了關鍵一步,?！?/p>
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