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三星開始量產(chǎn)10nm級DRAM

2016-04-13
關鍵詞: 三星電子 DRAM 10nm DDR4

       韓國三星電子2016年4月5日宣布,,開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片,。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品,。

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  此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,,新開發(fā)了自主設計的新存儲單元結構,、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術,、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等,。由此,,無需使用EUV裝置,,可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn),。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1y)工藝的開發(fā)。

  新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度,較現(xiàn)有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%,,而耗電量削減了10~20%,。三星預定在不久的將來開發(fā)采用此次的10nm級工藝的移動DRAM。

  該公司還將采用以此次的8Gbit產(chǎn)品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產(chǎn)存儲器模塊(內(nèi)存條),。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊,, 面向企業(yè)服務器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內(nèi)存將在2016年內(nèi)陸續(xù)換成10nm級產(chǎn)品,。

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