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美光1γ制程DRAM僅采用了一層EUV光刻

2025-03-12
來源:芯智訊
關鍵詞: 美光 DRAM EUV

今年2月下旬日,DRAM大廠美光科技(Micron Technology)宣布,,它已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)售家向合作伙伴提供基于極紫外光(EUV)光刻技術的1γ (1-gamma)制程的第六代 (10nm 級) DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品的公司,。不過,美光并未透露其1γ制程使用多少層EUV光刻,。

根據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道,美光送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片,,僅僅只用一層EUV光刻,,這是由于美光希望通過減少EUV使用,以加速量產(chǎn)先進制程DRAM,,并降低成本,。

報道稱,美光選擇減少依賴EUV,,因而更多的關鍵層還是基于成熟的氬氟浸沒式光刻(ArFi)制程,。ASML數(shù)據(jù)顯示,下代深紫外光刻(DUV)系統(tǒng)為193nm波長氬氟激光,,可達成38nm特征尺寸圖案化,。雖然EUV的13.5nm波長精確度更高,但成本也更高,。

美光表示,,EUV技術未完全穩(wěn)定,僅必要時使用,。短期可能提升生產(chǎn)速度,,但長期可能會影響芯片良率和性能。

相比之下,,韓國DRAM大廠三星和SK海力士DRAM目前則更依賴于EUV制程,。目前三星2020年起就采用EUV制程來生產(chǎn)DRAM,其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層,。SK海力士則是于2021年導入了EUV制程,,下代1C 10nm級DRAM也是類似策略,。

雖然,美光減少對于EUV光刻的依賴,,短期內(nèi)可節(jié)省成本,,但長期可能會面臨技術瓶頸。市場人士指出,,ArFi制程需更多步驟,,可能導致良率下降,EUV層數(shù)增加,,超過三層后技術難度也顯著增加,。


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