今年2月下旬日，DRAM大廠美光科技（Micron Technology）宣布,，它已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)售家向合作伙伴提供基于極紫外光（EUV）光刻技術的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 級） DRAM 節(jié)點的 DDR5 內(nèi)存樣品的公司,。不過，美光并未透露其1γ制程使用多少層EUV光刻,。

根據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道，美光送樣的1γ DDR5內(nèi)存芯片,，僅僅只用一層EUV光刻,，這是由于美光希望通過減少EUV使用，以加速量產(chǎn)先進制程DRAM,，并降低成本,。

報道稱，美光選擇減少依賴EUV,，因而更多的關鍵層還是基于成熟的氬氟浸沒式光刻（ArFi）制程,。ASML數(shù)據(jù)顯示，下代深紫外光刻（DUV）系統(tǒng)為193nm波長氬氟激光,，可達成38nm特征尺寸圖案化,。雖然EUV的13.5nm波長精確度更高，但成本也更高,。

美光表示,，EUV技術未完全穩(wěn)定，僅必要時使用,。短期可能提升生產(chǎn)速度,，但長期可能會影響芯片良率和性能。

相比之下,，韓國DRAM大廠三星和SK海力士DRAM目前則更依賴于EUV制程,。目前三星2020年起就采用EUV制程來生產(chǎn)DRAM，其第六代1C 10nm級DRAM使用了超過五個EUV光刻層,。SK海力士則是于2021年導入了EUV制程,，下代1C 10nm級DRAM也是類似策略,。

雖然，美光減少對于EUV光刻的依賴,，短期內(nèi)可節(jié)省成本,，但長期可能會面臨技術瓶頸。市場人士指出,，ArFi制程需更多步驟,，可能導致良率下降，EUV層數(shù)增加,，超過三層后技術難度也顯著增加,。