日本總和情報網(wǎng)站Gadget速報17日轉(zhuǎn)述Fudzilla的報導(dǎo)指出，據(jù)可靠的消息人士透露,，高通(Qualcomm)采用10nm FinFET制程生產(chǎn)的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(nèi)(2016年內(nèi))發(fā)表,，且搭載該款處理器的智慧手機產(chǎn)品(首發(fā)機)將在明年(2017年)Q1現(xiàn)身。

　　據(jù)報導(dǎo),，除驍龍830之外,，目前也已知有比現(xiàn)行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在，而該款驍龍823產(chǎn)品似乎將持續(xù)采用14nm FinFET制程,。

　　報導(dǎo)指出,，從搭載驍龍830的智慧手機可能會在明年Q1現(xiàn)身這點來看，驍龍830可能將撘載在三星Galaxy S7,、LG G5,、小米Mi 5或宏達電(HTC；2498)HTC 10等旗艦機種的后繼機種上,。

　　微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料稱,，高通驍龍830(代號為“MSM8998”)將采用三星10nm制程、撘載改良版“Kryo”架構(gòu),、且將支援8GB RAM,，預(yù)計將在2017年初發(fā)布。

　　為了對抗高通驍龍820,，聯(lián)發(fā)科(2454)3月16日在深圳宣布自家十核心晶片Helio X20即將上市,，且更在會場上發(fā)布更高階的Helio X25(用來對抗驍龍823？),；而聯(lián)發(fā)科用來對抗驍龍830的產(chǎn)品,，應(yīng)該就是傳聞將采用臺積電(2330)10nm制程的Helio X30。

　　Arena,、GSMArena 3月30日引述中國MTK手機網(wǎng)報導(dǎo),，知情人士透露，聯(lián)發(fā)科X30將進一步深挖三叢十核的潛力,，不僅確認會應(yīng)用10奈米制程,，且是采用臺積電10nm FinFET工藝，預(yù)估最快6月就能成功“設(shè)計定案”(tape-out)，有望年底實現(xiàn)量產(chǎn),。

　　韓國時報報導(dǎo),，Bernstein Research分析師Mark. C. Newman 3月10日發(fā)表研究報告指出，三星的進度雖然有些拖延,，但仍可搶下“業(yè)界第一個10奈米晶圓代工廠”的頭銜,，臺積電、英特爾將會緊跟在后,，至于格羅方德(GlobalFoundries)則幾乎趕不上,。

　　Bernstein預(yù)估，三星的10奈米制程技術(shù)會在今年稍晚小幅投產(chǎn),，主要代工自家的處理器以及高通次代行動晶片組“Snapdragon 830”,。不過，臺積電仍不容小覷,，拜產(chǎn)能龐大之賜,，臺積電也許將后來居上、產(chǎn)量會更多,。