賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合,。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品,，為工業(yè),、通信和可再生能源應用提供了迫切需要的電壓余量。

　　今天推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級結技術制造,，反向恢復電荷(Qrr)比傳統(tǒng)MOSFET低10倍,。這樣器件就能更快地阻斷電壓，有助于避免共通和熱過應力造成的失效,，在零電壓切換(ZVS)/軟開關拓撲中提高可靠性,，例如移相橋、LLC轉換器和3電平逆變器,。

　　21A SiHx21N65EF有5種封裝形式,，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有兩種封裝。這些MOSFET的導通電阻分別只有157mΩ,、102mΩ和95mΩ,，柵極電荷也非常低，使得器件的傳導損耗和開關損耗都極低,，在太陽能逆變器,、服務器和通信電源系統(tǒng)、ATX/Silver PC開關電源,、焊接設備,、UPS、電池充電器,、外置式電動汽車(EV)充電樁等高功率,、高性能開關應用，以及LED,、高強度氣體放電(HID)和熒光燈鎮(zhèn)流器照明中起到節(jié)能的作用,。

　　器件可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，確保限值通過100% UIS測試,。MOSFET符合RoHS,，無鹵素。

　　新的650V EF系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨的供貨周期為十六周到十八周,。