Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,,提升高頻應用效率
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,,QC僅為56 nC
2025-03-03
來源:VISHAY
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年2月27日 — 日前,,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率,,在同類二極管中,,它們在電容電荷(Qc)和正向壓降之間實現(xiàn)了出色的平衡。
日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯(lián)雙二極管組件,,以及50 A至90 A單相橋器件,。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造,正向壓降低至1.36 V,,顯著減小導通損耗,,提高能效。此外,,與硅基二極管相比,,這些器件具有更好的反向恢復參數(shù),幾乎沒有恢復尾電流,。
這些器件的典型應用包括AC/DC功率因數(shù)校正(PFC),,以及用于光伏系統(tǒng)、充電站,、工業(yè)不間斷電源(UPS)和電信電源的反激式(FBPS)和LLC轉換器中的DC/DC超高頻輸出整流,。在這些應用環(huán)境下,,二極管QC低至56 nC,可實現(xiàn)高速開關,,其采用的行業(yè)標準封裝可直接替代競品解決方案,。
這些二極管可在高達 +175 °C高溫下工作,并且具有正溫度系數(shù)便于并聯(lián),。這些器件通過UL E78996認證,,其特點是端子之間具有較大的爬電距離,以及簡化的機械設計,,便于快速組裝,。
新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為18周,。
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