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ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片

推動前沿移動計算未來
2016-05-21

  2016年5月19日,,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片,。仿真基準檢驗結(jié)果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù),,此測試芯片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn),。

  此款測試芯片的成功驗證(設(shè)計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設(shè)計方案包含了IP,、EDA工具,、設(shè)計流程及方法,能夠使新客戶采用臺積電最先進的FinFET 工藝完成設(shè)計定案,。此外,,SoC 設(shè)計人員還能利用基礎(chǔ) IP模塊 (包括標準組件庫、嵌入式內(nèi)存及標準 I/O) 開發(fā)最具競技爭力的 SoC,,以達到最高效能,、最低功耗及最小面積的目標。

  ARM執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)部總裁Pete Hutton表示:“高級移動應(yīng)用 SoC 設(shè)計的首項指導(dǎo)原則就是能效,,因為現(xiàn)今市場對設(shè)備性能的要求越來越高,。臺積電的 16納米FFLL+ 工藝與 ARM Cortex? 處理器奠定了能效的新標準,。我們與臺積電在10納米FinFET工藝技術(shù)上的合作,可確保在SoC層面上的效率,,使我們的芯片合作伙伴在維持嚴苛的功耗標準的同時能夠有更大空間實現(xiàn)創(chuàng)新,。”

  臺積電研發(fā)副總裁侯永清表示:“通過與ARM 合作,,使我們在工藝和IP 的生態(tài)系統(tǒng)上能快速進展,,并加速客戶的產(chǎn)品開發(fā)周期。通力協(xié)作,,我們正在定義能夠持續(xù)促進移動市場發(fā)展的處理器技術(shù),。最新的成果就是結(jié)合 ARM 處理器與臺積電10納米FinFET 技術(shù),為各種尖端移動和消費電子產(chǎn)品的終端用戶帶來嶄新體驗,。”

  此款最新的測試芯片是 ARM 與臺積電長期致力于先進工藝技術(shù)的成果,,基于 2014 年 10 月宣布的首次 10納米FinFET 技術(shù)合作,。ARM與臺積電共同的IC設(shè)計客戶也獲益于早期獲得 ARM Artisan? 物理 IP 與ARM Cortex-A72 處理器的  16納米 FinFET+ 設(shè)計定案,此款高效能處理器已被當(dāng)今多款市場主要和暢銷計算設(shè)備采用,。


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