陸續(xù)傳出全球代表性半導體業(yè)者決定前往大陸設立生產(chǎn)基地，盡管有技術(shù)外流的風險，但面對全球最大的消費市場招手,，業(yè)者仍決定冒險一試。由于每年大陸的半導體進口規(guī)模比進口石油還高,，讓大陸政府欲積極發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)以提高自給率。如今領(lǐng)導業(yè)者的建廠計劃無疑是提升大陸自給率的最佳時機,，長期而言還有機會取得技術(shù)。

　　據(jù)韓媒ET News報導,，日前排名第二的IC制造業(yè)者格羅方德(GlobalFoundries)決定與重慶市政府合作,，在當?shù)嘏d建12吋(300mm)晶圓廠。重慶市政府提供土地與建物,，格羅方德負責設備與技術(shù)部分,，但雙方的持分比例與投資金額等資訊并未公布。預計2017年起投產(chǎn)130~40納米邏輯,、模擬,、混合信號芯片等。業(yè)界認為,，該工廠初期量產(chǎn)規(guī)模以每月投入晶圓為基準約1.5萬片,。格羅方德則計劃將新加坡Fab 7工廠使用的技術(shù)移轉(zhuǎn)到即將新建的大陸重慶工廠。

　　先前臺積電也曾發(fā)表到南京的建廠計劃,，規(guī)劃興建12吋晶圓廠,，投產(chǎn)時間定在2018年，生產(chǎn)16納米FinFET芯片,。從臺積電最新的技術(shù)地圖(Roadmap)來看,，2018年最新制程應為10納米或7納米技術(shù)，因此用于南京工廠的技術(shù)約落后兩個世代左右,，原因應是考慮技術(shù)外流問題,。

　　如今格羅方德也決定在重慶建廠，并采用130~40納米,，而非最先進的10納米級FinFET制程,，業(yè)界認為應也是考慮技術(shù)可能外流所做的決定。

　　在存儲器領(lǐng)域,，兩大韓廠早已在大陸工廠使用最新技術(shù)進行生產(chǎn),。三星電子(Samsung Electronics)在西安工廠生產(chǎn)3D NAND Flash存儲器，SK海力士(SK Hynix)在無錫工廠也幾乎與韓國利川工廠同步,，使用相同的先進制程量產(chǎn)DRAM,。

　　全球最大的半導體業(yè)者英特爾(Intel)同樣也前進大陸,，2015年宣布要將位于大連的系統(tǒng)半導體廠房轉(zhuǎn)換為存儲器生產(chǎn)工廠，計劃投資約6.2兆韓元(約52.28億美元),，目標在2016年下半投產(chǎn)3D NAND Flash存儲器,。

　　力晶科技則決定與合肥市政府合資興建12吋晶圓半導體廠，合作方式為合肥市政府負責出資,，力晶提供技術(shù),。如此一來，形同將生產(chǎn)技術(shù)全面交給大陸,。

　　韓國業(yè)界認為力晶的技術(shù)約落后韓廠4~5年左右,，但若有大陸政府的雄厚資金挹注，也將產(chǎn)生極大威脅,。若韓廠研發(fā)更先進的DRAM制程稍微放慢腳步或遭遇瓶頸,，未來很快就會被大陸追上。

　　業(yè)界認為,，三星,、SK海力士、臺積電,、英特爾等半導體領(lǐng)導業(yè)者在大陸的建廠計劃并非合資型態(tài),，技術(shù)流出的風險較低。但格羅方德與力晶以提供技術(shù)的方式與大陸合作,，將間接扶植大陸的技術(shù)競爭力,，為大陸半導體產(chǎn)業(yè)崛起助一臂之力。

　　但也有另一派業(yè)界人士認為,，存儲器領(lǐng)域并非兒戲,，許多有意前進大陸發(fā)展的美國、日本,、德國半導體業(yè)者鎩羽而歸,，目前大陸政府的出資來自地方，投資不如由中央政府主導的集中,，或許反而能成為韓國業(yè)者成長茁壯的機會,。