業(yè)內(nèi)首個基于130 nm BCDLite平臺的嵌入式閃存技術(shù),，適用于電源、MCU和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域

　　全球領(lǐng)先的整合單片機,、混合信號,、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）日前通過其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布推出已通過認(rèn)證、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite?技術(shù)平臺的,、SST低掩膜次數(shù)的嵌入式SuperFlash?非易失性存儲器（NVM）技術(shù),。僅僅只需四步掩膜即可將SST嵌入式SuperFlash存儲解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術(shù)結(jié)合在一起，為電源,、單片機（MCU）和工業(yè)IC設(shè)計人員提供兼具成本效益、高耐用性的嵌入式閃存解決方案,。在諸如電池充電（5V-30V）等高容量電源應(yīng)用領(lǐng)域,，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺與SST SuperFlash嵌入式存儲功能的搭配將實現(xiàn)先進的電池監(jiān)測功能，準(zhǔn)確測量出電池的使用時間和健康狀況,。

　　作為業(yè)內(nèi)首個結(jié)合SST嵌入式SuperFlash存儲技術(shù)和先進模擬技術(shù)的代工廠,，GLOBALFOUNDRIES的130 nm BCDLite平臺擁有業(yè)界領(lǐng)先的Rdson，這使得設(shè)計人員能夠以小尺寸裸片實現(xiàn)可編程的單芯片電源解決方案,。

　　SST全球市場營銷及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進130 nm BCDLite工藝節(jié)點的結(jié)合,，開辟了產(chǎn)品全新的應(yīng)用潛力，尤其是對于電源管理市場而言,，令人倍感振奮?，F(xiàn)在，有BCDLite工藝需求的客戶可以在降低成本的同時為其復(fù)雜算法添加嵌入式SuperFlash存儲技術(shù),?！?/p>

　　GLOBALFOUNDRIES嵌入式存儲副總裁Dave Eggleston表示：“我們與SST合作開發(fā)出的這一客戶就緒的130 nm模塊化BCD+NVM平臺,，為客戶提供了前所未有的集成化水平，適用于各類要求苛刻的電池供電應(yīng)用,，包括無人機,、智能電機控制及常關(guān)移動計算等?！?/p>

　　基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺的SST SuperFlash技術(shù)方案現(xiàn)已開始投放市場,，同時由一個資源豐富的自定義庫提供完備的技術(shù)支持，該自定義庫包含了針對模擬/電源SoC而優(yōu)化的現(xiàn)成IP模塊資源,。

　　欲了解更多有關(guān)SST專有SuperFlash? NOR閃存專利技術(shù)的信息,，請訪問www.sst.com/technology/SuperFlash-Overview。

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