《電子技術(shù)應(yīng)用》
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聚焦新型存儲 突破核心技術(shù)

2016-08-01

  信息化是當(dāng)今世界經(jīng)濟和社會發(fā)展大勢,,也是實現(xiàn)國家現(xiàn)代化和經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。習(xí)近平總書記高度重視我國信息化發(fā)展,,在中央網(wǎng)絡(luò)安全和信息化領(lǐng)導(dǎo)小組第一次會議上做出了“沒有信息化就沒有現(xiàn)代化”的重要論斷,?!秶倚畔⒒l(fā)展戰(zhàn)略綱要》的發(fā)布,進一步凸顯了我國建設(shè)網(wǎng)絡(luò)強國,、占據(jù)信息化制高點的強大決心,。綱要明確提出大力增強信息化發(fā)展能力,,把發(fā)展核心技術(shù),做強信息產(chǎn)業(yè)發(fā)在了首要位置,。

  信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度決定著信息化發(fā)展水平,,我國正處在從“跟跑并跑”向“并跑領(lǐng)跑”轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵時期,要抓住自主創(chuàng)新的牛鼻子,,構(gòu)建安全可控的信息技術(shù)體系,,培育形成具有國際競爭力的產(chǎn)業(yè)生態(tài),把發(fā)展的主動權(quán)牢牢掌握在自己手里,。半導(dǎo)體是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),,而存儲作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是當(dāng)前核心技術(shù)領(lǐng)域的競爭焦點,。

  一、目前信息產(chǎn)業(yè)存儲領(lǐng)域存在的問題

  在國際信息存儲芯片的產(chǎn)業(yè)格局中,,我國扮演的角色一直十分尷尬,。作為世界上最大的存儲芯片消費國,我國自主設(shè)計并制造的存儲芯片在全球消費市場的占比僅有2%,在高端存儲芯片制造方面占比基本為零,。我國擁有全世界最大的PC端和移動終端消費市場,,在全球半導(dǎo)體消費市場的占比近60%,但2014年進口存儲芯片高達400億美元,,占中國進口芯片總規(guī)模的23.7%,。

  這樣尷尬的角色不僅嚴重制約著我國經(jīng)濟健康發(fā)展和產(chǎn)業(yè)升級,更嚴重影響了國家信息安全。2013年“棱鏡門”事件披露后,,世界各國都高度重視信息安全,,而實現(xiàn)存儲芯片的自主設(shè)計與制造則是從根本上保證國家信息安全的關(guān)鍵一步。為了擺脫高端存儲芯片完全依賴進口的被動局面,,將我國的“金銀財寶”存在自己制造的可靠的“保險箱”中,,發(fā)展國內(nèi)自主設(shè)計并制造的高端存儲芯片顯得十分必要和緊迫。

  二,、存儲領(lǐng)域一次歷史性機遇--磁旋存儲

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)投入大,,周期長,在已經(jīng)占據(jù)龐大應(yīng)用市場,,具備成熟工藝流程和產(chǎn)品的傳統(tǒng)存儲領(lǐng)域,,我國很難能在短期內(nèi)打破既定格局。而近期剛剛興起的新型高端存儲器領(lǐng)域,,則為我國擺脫高端存儲芯片完全依賴進口的被動局面,快速掌握和突破存儲領(lǐng)域核心技術(shù)提供了一次歷史性機遇,。

  磁旋存儲芯片(STT-MRAM)是一種新型的非易失性存儲器。其讀寫速度快,,擦寫次數(shù)接近無限次,。在性能上STT-MRAM可媲美DRAM和SRAM,,遠遠超過FLASH,同時還具備低功耗,;非易失性,,即斷電后不丟失數(shù)據(jù);抗輻射,、耐高溫性能卓越,,能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作等一系列優(yōu)勢。

  STT-MRAM不僅可以在現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)的各種終端設(shè)備中找到適用場景,,還能夠利用其高速讀寫和高可靠性,,推動物聯(lián)網(wǎng)終端向更高速更智能的方向發(fā)展。同時,,利用STT-MRAM作為計算存儲層的新型存儲器,,能夠填補從高速緩存到內(nèi)存的非易失存儲空白,解決計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的“內(nèi)存墻”難題,,大大提升CPU計算處理效率,;STT-MRAM的抗輻射,耐高溫和高耐磨壽命等特性,,也為其在航天航空,、汽車電子、醫(yī)療電子等惡劣環(huán)境領(lǐng)域的應(yīng)用開拓了廣闊的空間,,對我國在許多特殊領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從存儲器底層保障信息安全,,降低甚至完全擺脫對國外高端高可靠存儲器的依賴有重要意義。

  三,、抓住機遇,,實現(xiàn)存儲領(lǐng)域“彎道超車”

  當(dāng)前,傳統(tǒng)存儲器行業(yè)已被三星,、海力士,、美光等巨頭把持,其他廠商毫無進入的機會,。在STT-MRAM領(lǐng)域,,盡管國際巨頭實力雄厚,特別是東芝,、三星掌握較多專利,,但由于STT-MRAM器件是近年來新興的存儲技術(shù),有跨學(xué)科性和多維發(fā)展趨勢,我們還有較多的機會發(fā)展自身的專利儲備,,并和其他廠商形成交叉授權(quán),,具有彎道超車的機會。到目前為止,,真正消費級的MRAM產(chǎn)品還未大規(guī)模推出,,為各種規(guī)格產(chǎn)品進行綜合優(yōu)化的生產(chǎn)技術(shù)和芯片架構(gòu)尚未成熟,,相關(guān)的國際標(biāo)準也在形成之中,正是我國企業(yè)進入的最佳時機。

  習(xí)近平總書記指出:企業(yè)是科技和經(jīng)濟緊密結(jié)合的重要力量,,應(yīng)該成為技術(shù)創(chuàng)新決策,、研發(fā)投入、科研組織,、成果轉(zhuǎn)化的主體,。作為從事信息存儲產(chǎn)業(yè)50多年的“國家隊”,中電??凳冀K堅持企業(yè)的創(chuàng)新主體地位,,定位“安全、存儲,、智慧”,,積極進取,發(fā)揮國家隊龍頭引領(lǐng)作用,,努力在高端高性能存儲領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,。近幾年來,我們對STT-MRAM,、PCRAM(相變存儲器)、RRAM(阻變存儲器)等新一代存儲芯片技術(shù)進行了系統(tǒng)和細致的調(diào)研,,最終選定STT-MRAM作為新一代存儲芯片技術(shù)的主要突破方向,,組建了國際一流技術(shù)和創(chuàng)新能力的研發(fā)團隊,啟動了研發(fā)中試線建設(shè),,有望在存儲領(lǐng)域率先突破核心技術(shù)攻關(guān),,實現(xiàn)“彎道超車”。

  四,、構(gòu)建自主可控安全基石,落實信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要

  當(dāng)前和今后一個時期,,是我國實現(xiàn)“兩個一百年”奮斗目標(biāo),實現(xiàn)中華民族偉大復(fù)興的關(guān)鍵時期,。我國在工業(yè)革命時期,,未能抓住與世界同進步的歷史機遇,逐步落到了被動挨打的境地,。而目前席卷全球的信息革命,,讓我們又來到了一個歷史的關(guān)鍵點,我們必須牢牢把握這次機會,,這是我們這一代人的歷史責(zé)任,。

  通過華為海思等的發(fā)展歷程,我們看到了半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)在我國崛起的希望和巨大的市場需求,。中電??祵凑諊倚畔⒒l(fā)展戰(zhàn)略綱要指出的路線圖,牢牢把握住存儲領(lǐng)域歷史性機遇,,發(fā)揮自身特色,不斷創(chuàng)新,,以十年磨一劍的心態(tài),,認真做好基礎(chǔ)技術(shù)的研發(fā),突破核心技術(shù),,通過產(chǎn)學(xué)研合作,,研究和產(chǎn)業(yè)化STT-MRAM存儲器,制造完全自主可控的中國存儲芯片,,打通存儲領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈,致力于發(fā)展核心技術(shù),,做強信息產(chǎn)業(yè),為國家的信息安全提供自主可控的安全基石,。


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