構(gòu)建中國存儲器的夢一步步在向前推進,，繼今年4月武漢“新芯”宣布動工，公布了宏偉的規(guī)劃蘭圖,。如今紫光入圍,，成立長江存儲科技有限責任公司，并推選趙偉國當董事長,，丁文武當副董事長,，表明項目再次取得實質(zhì)性的進展。
國內(nèi)外對于項目上馬的看法差異很大,，就目前非常有限的資料來判斷,，一定取得勝算的把握可能尚不好預測。
中國存儲器業(yè)的發(fā)展剛剛啟步,，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集,，一是政府主導的武漢新芯，它們與Spansion及中科院微電子所等合作,，據(jù)說己經(jīng)有9層3DNAND樣品;二是紫光,，它的策略是先通過兼并，達到一定高度之后再自行研發(fā);三是兩個地方政府,，福建與合肥,，它們試圖尋找技術(shù)伙伴，或者挖技術(shù)團隊后再前進,。
兼并
紫光把希望寄于通過兼并,，讓中國的存儲器業(yè)的起點抬高，再進行自主研發(fā),。這樣的思維聽起來是務實的,，然而由于中國處在特定環(huán)境下，許多正常的兼并貿(mào)易都被美國CFIUS否決,。綜合起來近時期紫光的實踐,，欲聯(lián)手美光等，希望能得到技術(shù)支持的想法恐怕難以實現(xiàn),。更有傳聞欲學習臺灣地區(qū)的“華亞科”模式,，由中方出資，美光技術(shù)主導,，最終成為美光在全球布局的一部分,。如果是這樣的結(jié)局恐怕有違于中國開初建設存儲器芯片事業(yè)的初衷。
因此現(xiàn)階段的兼并之路恐難以為繼,。
合資與合作
福建“晉華”開創(chuàng)出一條新路,。原本依制鞋，服裝出口為主的僑鄉(xiāng),，試圖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型進入存儲器芯片制造領(lǐng)域,，近期還得到大基金等的支持。
晉華的模式很清晰,，中方出資,，技術(shù)上依賴聯(lián)電，最終經(jīng)營的盈利還分成給聯(lián)電,，是個兩岸合作雙贏的模式,。關(guān)鍵是它們選擇利基型DRAM作為突破口。
什么是利基型DRAM?
全球DRAM從應用可分成五類,，分別是標準型(PC等應用),，服務器，行動式,，繪圖用及利基型(消費類consumer),。2015年的DRAM市場中五類產(chǎn)品的占比分別為26%，22%,，38%,，6%及6%，并預測2016年分別為19%,，24%,，42%，6%及8%,。表示利基型DRAM的市場己擴大30%,。
由于利基型DRAM是客制化為主，屬于小眾市場(年總銷售額才約35億美元,，而整個DRAM市場在350-400億美元),，采用相對成熟的制程。開初國內(nèi)業(yè)界對于選擇聯(lián)電作為DRAM的技術(shù)合作伙伴有些質(zhì)疑,，也是可以理解的,。
然而任何事應該看它作什么?用最后的結(jié)果來回答。剛開始就貼上“標簽”,，未必一定正確,。據(jù)目前的判斷聯(lián)電在選擇利基型DRAM作為中國存儲器業(yè)的突破口可能是步好棋。
因為利基型DRAM主要用于液晶電視,、數(shù)字機頂盒,、播放機等消費型電子等相關(guān)產(chǎn)品中，多數(shù)是采用成熟制程,。
利基型DRAM需求相當穩(wěn)定,，很多都是客制化晶片,，不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品，不像標準型DRAM會因為價格下跌使得容量倍增,，影響利基型DRAM漲價的主要因素是以供給端為主,。
目前全球最大的利基型DRAM供應商為海力士，南亞科和華邦則是陸續(xù)轉(zhuǎn)戰(zhàn)此領(lǐng)域,，此外還有IC設計公司晶豪科,、鈺創(chuàng)、力積,，IC測試廠泰林等,。
晉華存儲器項目采用成熟制程的利基型DRAM。它避開先進工藝制程的激烈競爭,，而依賴于終端應用產(chǎn)品,，與中國具有全球最大的應用市場相匹配，所以未來的產(chǎn)品市場銷售相對可能易于控制,。不足之處據(jù)傳是采用32納米制程啟步,，以及技術(shù)上由聯(lián)電控制。
因此從項目的達成率分析,，晉華項目相對的成熟度較高,，而且中方省心，省事,，只要解決資金供應,，以及未來產(chǎn)品的市場銷售問題。
該項目未來最大的擔憂是中方如何盡快的由學生地位轉(zhuǎn)變成老師,?！∵@是一條最為艱難之路，因為仔細思考目前除了有錢,，技術(shù)與人材都不具備,，再加上全球存儲器壟斷，西方處處堵截我們,，因此中國只有狠下一條心,，丟掉一切幻想，加強自主研發(fā),，為國家爭一口氣,。
但是科學技術(shù)來不得半點虛假，必須遵循規(guī)律,，因此需要人材,，投入及時間。目前第一階段的目標是2018年，100,，000片產(chǎn)能,，量產(chǎn)32層3D NAND閃存。
擺在首位的肯定是技術(shù)上迅速的突破,，新芯至少要過32層,，多少納米制程尚不清楚。技術(shù)上能突破是新芯的立足之本,。
中國存儲器業(yè)發(fā)展可能分成三步：第一步是盡快的研發(fā)成功，早日量產(chǎn)：第二步是提高制程技術(shù),，并迅速的降低成本;第三步在全球存儲器的下降周期時逆勢的擴充產(chǎn)能,，縮小差距。
看似簡單的步驟,，執(zhí)行起來經(jīng)常會受到各種干擾,，因此貴在堅持。從此點上趙董事長有長處,，西北漢子的性格,，能勇往直前，迅速作出決斷,。然而中國半導體業(yè)尚處在非完全市場經(jīng)濟階段,，有許多非市場化的因素一定會導入，讓企業(yè)左右為難,，但是最終一定要作出抉擇,。
尤其是當企業(yè)出現(xiàn)虧損時，而且是連續(xù)數(shù)年之后,，還要能說服自己,，及股東能繼續(xù)的投資，需要鐵婉式的決斷,。
近期魏少軍博士講,，存儲器項目最困難的是項目啟動的三年之后。那時生產(chǎn)線己經(jīng)開通,，關(guān)鍵要產(chǎn)出有競爭力的市場產(chǎn)品,。否則盡管產(chǎn)品生產(chǎn)很多，庫存也很大,，會帶來很大的資金壓力,，這是一定會發(fā)生的事。
存儲器業(yè)的特征就是起伏大,，價格下降快,，不是處于全球的領(lǐng)先地位，面臨虧損的幾率是非常大。
所以趙董事長的角色并不好當,，既要符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要,，又要為投資的股民謀福利，有時是個互相矛盾的事,。
中國發(fā)展存儲器業(yè)是國策,，是塊硬骨頭，目前己無退路,，只有向前挺進?，F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風險要更大些,，因此要集中國內(nèi)的最頂級人材,，也可學習臺積電的“夜鶯部隊”方式，爭取更多的時間去努力攻克它,，但是相信只有通過自主研發(fā)的成果才是屬于自己的,。
另外合資發(fā)展的模式可能相對易行，兩岸合作實現(xiàn)雙贏是大勢所趨,，它對于中國能早日產(chǎn)出存儲器芯片是有十分重要的意義,。