單結(jié)晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管,，它是一種只有一個PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,，它的基片為條狀的高阻N型硅片,，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2,。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。

　　一,、單結(jié)晶體管的特性

　　從圖1可以看出,，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：

　　rbb=rb1+rb2

　　式中：rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化,，rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻,，其數(shù)值與ie無關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié),，與二極管等效,。

　　若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb,，則A點電壓為：

　　VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb

　　式中：η----稱為分壓比,，其值一般在0.3---0.85之間，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加,，就可測得單結(jié)晶體管的伏安特性,，

　　（1）當(dāng)Ve＜η Vbb時,，發(fā)射結(jié)處于反向偏置,，管子截止,，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。

　?。?）當(dāng)Ve≥η Vbb+VD VD為二極管正向壓降（約為0.7伏）,，PN結(jié)正向?qū)ǎ琁e顯著增加,，rb1阻值迅速減小,，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性,，稱為負(fù)阻特性,。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱為峰點，與其對就的發(fā)射極電壓和電流,，分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip和峰點電流Ip。Ip是正向漏電流,，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流,，顯然Vp=ηVbb

　　（3）隨著發(fā)射極電流ie不斷上升,，Ve不斷下降,，降到V點后，Ve不在降了,，這點V稱為谷點,，與其對應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱為谷點電壓,，Vv和谷點電流Iv,。

　　（4）過了V點后,，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài),，所以uc繼續(xù)增加時，ie便緩慢地上升,，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓,，如果Ve＜Vv，管子重新截止,。

　　二,、單結(jié)晶體管的主要參數(shù)

　　（1）基極間電阻Rbb 發(fā)射極開路時,，基極b1,、b2之間的電阻，一般為2--10千歐,，其數(shù)值隨溫度上升而增大,。

　?。?）分壓比η 由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù)，一般為0.3--0.85,。

　?。?）eb1間反向電壓Vcb1 b2開路，在額定反向電壓Vcb2下,，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓,。

　　（4）反向電流Ieo b1開路,，在額定反向電壓Vcb2下,，eb2間的反向電流。

　?。?）發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時,，eb1間的壓降。

　?。?）峰點電流Ip 單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時,，發(fā)射極電壓為峰點電壓時的發(fā)射極電流

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