什么是SLC,？

SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士,、美光、東芝等使用,。

SLC技術(shù)特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極,，即可將所儲存的電荷消除,，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元,，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取,，不過此技術(shù)受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(shù)(Process enhancements),，才能向上提升SLC制程技術(shù),。

什么是MLC？

MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存,。主要由東芝,、Renesas、三星使用,。

英特爾（Intel）在1997年9月最先開發(fā)成功MLC,，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate（閃存存儲單元中存放電荷的部分）,，然后利用不同電位（Level）的電荷，通過內(nèi)存儲存的電壓控制精準讀寫,。MLC通過使用大量的電壓等級,，每一個單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大,。SLC架構(gòu)是0和1兩個值,，而MLC架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此,，MLC架構(gòu)可以有比較好的儲存密度,。

與SLC比較MLC的優(yōu)勢：

簽于目前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存,。SLC架構(gòu)是0和1兩個值,，而MLC架構(gòu)可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構(gòu)的儲存密度較高,，并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來提高產(chǎn)品的容量,，無須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與良率的優(yōu)勢,。

與SLC相比較,，MLC生產(chǎn)成本較低，容量大,。如果經(jīng)過改進,，MLC的讀寫性能應(yīng)該還可以進一步提升。

與SLC比較MLC的缺點：

MLC架構(gòu)有許多缺點,，首先是使用壽命較短,，SLC架構(gòu)可以存取10萬次，而MLC架構(gòu)只能承受約1萬次的存取,。

其次就是存取速度慢,，在目前技術(shù)條件下，MLC芯片理論速度只能達到2MB左右,。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上,。

再者，MLC能耗比SLC高,，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗,。

雖然與SLC相比，MLC缺點很多,，但在單顆芯片容量方面,，目前MLC還是占了絕對的優(yōu)勢。由于MLC架構(gòu)和成本都具有絕對優(yōu)勢，能滿足未來2GB,、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求,?！?/p>

SLC與MLC的識別：

一、看傳輸速度比如有兩款采用Rockchip芯片的產(chǎn)品,，測試時寫入速度有2,、3倍優(yōu)勢的應(yīng)該是SLC，而速度上稍慢的則是MLC,。即使同樣采用了USB2.0高速接口的MP3,，也不能改變MLC寫入慢的缺點。 

二,、看FLASH型號

一般來說,，以K9G或K9L為開頭型號的三星閃存則是MLC，以HYUU或HYUV為開頭型號的現(xiàn)代閃存應(yīng)是MLC,。具體芯片編號以三星和現(xiàn)代為例：三星MLC芯片編號為：K9G******    K9L*****?，F(xiàn)代MLC芯片編號為：HYUU****    HYUV***
　　簡單總結(jié)：　　

如果說MLC是一種新興的閃存技術(shù)，那么它的“新”就只體現(xiàn)在：成本低,！

雖然MLC的各項指標都落后于SLC閃存,。但是MLC在架構(gòu)上取勝SLC，MLC肯定是今后的發(fā)展方向,，而對于MLC傳輸速度和讀寫次數(shù)的問題已經(jīng)有了相當(dāng)多的解決方法,，例如采用三星主控芯片，wear leveling技術(shù),，4bit ECC校驗技術(shù),，都可以在采用MLC芯片的時候同樣獲得很好的使用效果，其性能和使用SLC芯片的沒有什么差別,，而會節(jié)省相當(dāng)多的成本.