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英特爾下一代3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

2016-10-26
關(guān)鍵詞: 英特爾 內(nèi)存 DRAM SSD

       去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破,。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),,它非常適合DRAMSSD之間的市場,。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布,。

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  根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度,。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號,。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣,。不幸的是,,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品推出時間,。

  英特爾這項計劃似乎已經(jīng)改變,,因為即將到來的服務(wù)器處理器Skylake EP不支持3D XPoint。相反,,現(xiàn)在看起來第一款支持全新內(nèi)存技術(shù)的服務(wù)器系統(tǒng)將在2019年晚些時候推出,。

  這是非常令人失望的,因為今年年初英特爾傳聞與合作伙伴一起開發(fā)3D XPoint固態(tài)硬盤,,其中技術(shù)已經(jīng)測試了很長時間,。盡管如此,我們還是希望英特爾可以在消費電子市場,,推出采用此新技術(shù)的產(chǎn)品,。

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