6 月 10 日消息，美光美國愛達荷州博伊西當(dāng)?shù)貢r間今日宣布向多個關(guān)鍵客戶交付其 HBM4 36GB 12Hi 內(nèi)存樣品。
美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1? 工藝 24Gb DRAM Die 和 12 層堆疊封裝技術(shù)，每個堆棧的速度超過 2.0TB/s，性能較上代 HBM3E 提升 60% 以上，同時能效也實現(xiàn)了 20% 的改進；此外其擁有強大的 MBIST 內(nèi)存內(nèi)置自檢功能。
美光表示其 HBM4 內(nèi)存提升了邏輯 xPU 與內(nèi)存間的數(shù)據(jù)交互，讓 AI加速器能更快地響應(yīng)并更有效地進行推理。該企業(yè)計劃在 2026 年實現(xiàn) HBM4 的產(chǎn)能爬坡，與客戶的下一代 AI 平臺量產(chǎn)節(jié)奏保持一致。
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