臺積電,、三星、格羅方德等半導體大廠開啟在 7 納米制程爭戰(zhàn),，而現(xiàn)在臺積電有望領(lǐng)先群雄在 2017 年國際固態(tài)電路研討會（International Solid-State Circuits Conference,，ISSCC）率先發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù)！

　　全球 IC 設(shè)計領(lǐng)域論文發(fā)布最高指標國際固態(tài)電路研討會（ISSCC）下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國加州登場,，臺積電設(shè)計暨技術(shù)平臺組織副總侯永清將擔任特邀報告（Plenary Talks）講者,。

　　這次臺積電 5 篇論文獲選（美國臺積電 1 篇），2 篇論文為類比電路領(lǐng)域,，內(nèi)存電路設(shè)計則有 3 篇,。

　　值得關(guān)注的是，此次臺積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會上發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù),。揭示迄今最小位數(shù) SRAM 在 7 納米 FinFET 的應用,，驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試芯片在 7 納米制程下，能大幅提升手機,、平板電腦中央處理芯片運算速度,，同時滿足低功率需求。

　　臺積電、三星通常以 SRAM,、DRAM 來練兵,，先從內(nèi)存下手，當良率提升到一定程度再導入邏輯產(chǎn)品,。臺積電先前預估 10 納米年底量產(chǎn),、7 納米最快 2018 年第一季生產(chǎn)，然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進度后,，臺積電與三星在 10 納米,、7 納米先進制程展開激烈纏斗。

　　三星在 10 月初搶先臺積電宣布 10 納米量產(chǎn),，市場近期傳出臺積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產(chǎn)、4 月接單,，拉升 7 納米制程戰(zhàn)火,。三星在 7 納米就引進極紫外光（EUV）微影設(shè)備，力拼 2017 年年底 7 納米量產(chǎn),。

　　而格羅方德則宣布跳過 10 納米，直接轉(zhuǎn)進 7 納米,，預估 2017 年下半可進行產(chǎn)品設(shè)計定案（tape out）,，2018 年初開始風險生產(chǎn)（risk production）,。