臺(tái)積電,、三星,、格羅方德等半導(dǎo)體大廠開(kāi)啟在 7 納米制程爭(zhēng)戰(zhàn)，而現(xiàn)在臺(tái)積電有望領(lǐng)先群雄在 2017 年國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù),！

　　全球 IC 設(shè)計(jì)領(lǐng)域論文發(fā)布最高指標(biāo)國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)（ISSCC）下屆確定于 2017 年 2 月 5~9 日在美國(guó)加州登場(chǎng)，臺(tái)積電設(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)組織副總侯永清將擔(dān)任特邀報(bào)告（Plenary Talks）講者,。

　　這次臺(tái)積電 5 篇論文獲選（美國(guó)臺(tái)積電 1 篇）,，2 篇論文為類(lèi)比電路領(lǐng)域，內(nèi)存電路設(shè)計(jì)則有 3 篇。

　　值得關(guān)注的是,，此次臺(tái)積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會(huì)上發(fā)布 7 納米 FinFET 技術(shù),。揭示迄今最小位數(shù) SRAM 在 7 納米 FinFET 的應(yīng)用，驗(yàn)證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測(cè)試芯片在 7 納米制程下,，能大幅提升手機(jī),、平板電腦中央處理芯片運(yùn)算速度，同時(shí)滿足低功率需求,。

　　臺(tái)積電,、三星通常以 SRAM、DRAM 來(lái)練兵,，先從內(nèi)存下手,，當(dāng)良率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。臺(tái)積電先前預(yù)估 10 納米年底量產(chǎn),、7 納米最快 2018 年第一季生產(chǎn),，然在英特爾宣布放緩 10 納米以下制程投入進(jìn)度后，臺(tái)積電與三星在 10 納米,、7 納米先進(jìn)制程展開(kāi)激烈纏斗,。

　　三星在 10 月初搶先臺(tái)積電宣布 10 納米量產(chǎn)，市場(chǎng)近期傳出臺(tái)積電 7 納米最快在明年 2017 就可試產(chǎn),、4 月接單,，拉升 7 納米制程戰(zhàn)火。三星在 7 納米就引進(jìn)極紫外光（EUV）微影設(shè)備,，力拼 2017 年年底 7 納米量產(chǎn),。

　　而格羅方德則宣布跳過(guò) 10 納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn) 7 納米,，預(yù)估 2017 年下半可進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape out）,，2018 年初開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)（risk production）。