臺(tái)積電正在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝路上狂奔,，目前主打16nm,，正在開始量產(chǎn)10nm，兩三年之內(nèi)將陸續(xù)上馬7nm、5nm,，不過據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電還規(guī)劃了一個(gè)12nm工藝,。

　　據(jù)透露,，臺(tái)積電所謂的12nm，其實(shí)是現(xiàn)有16nm工藝的第四代縮微改良版本,，改用全新名字,，目的是反擊三星、GlobalFoundries,、中芯國(guó)際等對(duì)手的14nm工藝優(yōu)勢(shì),，牢牢控制10-28nm之間的代工市場(chǎng)。

　　28nm時(shí)代開始,，臺(tái)積電就不斷改版來(lái)降低成本或提升性能,，以求壓制競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,，比如說(shuō)28nm工藝就先后有28LP、28HP,、28HPL,、28HPM、28HPC,、28HPC+等眾多版本,。

　　如今的16nm經(jīng)過持續(xù)改良之后，漏電率大為降低,，成本也有極大改善,，為此臺(tái)積電將其重新命名為12nm，搖身一變成為獨(dú)立的新工藝,，自然更加誘人,。

　　代工工藝進(jìn)入FinFET時(shí)代以來(lái)，臺(tái)積電16nm,、三星14nm可謂棋逢對(duì)手,，其實(shí)都非常優(yōu)秀，但無(wú)論是技術(shù)還是數(shù)字,，臺(tái)積電都略微落后一些,，因此在16nm發(fā)展到第四代，線寬微縮能力領(lǐng)先三星之后,，12nm的出爐也就可以理解了,。

　　值得注意的是，大陸半導(dǎo)體廠商在完成28nm布局后,，下一個(gè)目標(biāo)將是卡位14nm,，中芯國(guó)際預(yù)計(jì)2020年前量產(chǎn)14nm，華力微電子也規(guī)劃投產(chǎn),。

　　另外,，臺(tái)積電7nm將同時(shí)推出兩個(gè)不同版本，分別針對(duì)移動(dòng)設(shè)備,、高性能計(jì)算,，滿足不同用戶需求。